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461.
乙醇体系中硫化锌纳米粒子的制备及其光致发光性能研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用新颖、简单的异相化学反应方法,在乙醇体系中制备了硫化锌纳米粒子。X-射线能谱分析(EDS)证实所得产物是硫化锌;X-射线衍射分析(XRD)表明硫化锌的晶胞粒径为5—7nm;场发射扫描电镜(阻SEN)观察显示,硫化锌的粒径在30-40nm;荧光光谱分析表明,与在水溶液体系中制得的硫化锌体材料相比,该法制得的硫化锌除了粒径更小、更均匀以外,其发光主要集中在蓝光区,荧光谱带显变窄,发光强度也有所增加。 相似文献
462.
以硫化锌为基质,Ce和Tb为激活剂,在1100℃合成了发绿光且余辉时间达5min以上的光致发光材料。研究了样品的荧光光谱、物相及形貌,结果表明:在高温合成过程中,硫化锌从闪锌矿结构(β-ZnS)转变为纤锌矿结构(α—ZnS),在一定量的硼酸存在时,这种转化很完全,且较好地抑制了氧化锌的生成,Ce和Tb进入硫化锌晶格,Ce敏化Tb发光。 相似文献
463.
我们用射频共溅射技术和后退火处理,获得在石英、Si和Ge衬底上的纳米晶Si(nc-Si) Raman测量清楚地显示出nc-Si的类Lo模(~518cm-1)和类To模(~814cm-1),Raman峰的半高宽(FWHM)和积分强度也显示随退火温度Ta增加的变化,这一结果同nc-Ge/SiO2的情况类同,退火温度Ta=650℃时,nc-Si的平均尺寸为4.9nm 我们用514.5nm的Ar+激光激发,得到了室温可见PL,结果表明:PL谱在2.2eV处有一强的发光峰,与nc-Ge/SiO2相比,SiO2中nc-Si的PL峰更强,峰值能量较大,相应的Ta也较高,当Ta>800℃和Ta<600℃时,PL峰很弱 通过地研究膜中nc-Si的含量与PL峰之间的关系,表明nc-Si的含量对PL峰的积分强度有重要影响,对峰位影响不大,当Si/SiO2靶面积比为1∶1时,PL峰最强 相似文献
464.
采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.相关研究表明退火对p型GaP和p型AlGaInP载流子浓度有重要影响.与未退火样品相比,460℃退火15min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5 6×1018cm-3增大到6 5×1018cm-3,p型AlGaInP层的空穴浓度由6 0×1017cm-3增大到1 1×1018cm-3.这可能是由于退火破坏了Mg-H复合体,恢复了Mg受主的活性导致的. 相似文献
465.
采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Si SiO2薄膜,并在各种温度下进行了退火处理.XRD分析表明Si SiO2薄膜为非晶结构,XPS分析表明样品主要是以SiO1.90的形式存在,它是富硅或者缺氧的结构.在室温下观察到了可见光致发光(PL)现象,探测到样品的峰位分别在370nm、410nm、470nm和510nm.结合激发谱对相应的激发与发光中心进行了讨论.另外,还研究了退火温度对其峰位与峰强的影响. 相似文献
466.
热处理对ZnO:Al薄膜的结构、光学和电学性质的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
用电子束蒸发技术在石英衬底上制备了铝掺杂氧化锌(ZnO:Al)透明导电薄膜, 并对其退火前后的结构和光电性质进行了研究. X射线衍射实验结果表明所制备样品均具有c轴择优取向的六角多晶结构. 光致发光谱由较强的紫外发光和弱深能级缺陷发光组成. 薄膜具有较高的透射率、电导率和载流子浓度. Hall效应测试结果表明薄膜为简并n型半导体, 室温电阻率为6.7×108722;4 Ω8729;cm, 载流子浓度在1020 cm8722;3量级. 研究了其导电机理及载流子的输运机制. 相似文献
467.
在利用MOCVD方法制备的调制掺杂GaAs/AlGaAs多量子阱超晶格材料中,由于深能级杂质形成的非辐射复杂合中心的存在,使样品具有较大的暗电流并削弱了该材料的光致发光强度,样品经过氢等离子体处理后,其光电性质明显改善。 相似文献
468.
半导体微簇光致发光现象是目前物理学的研究热点之一。从光电子能普的基本原理出发,提出了一种确定IVA族元素半导体纳米微微的表面氧化层厚度的有效方法并应用于对Ge微族构成纳米组装薄膜的光学性质和光致发光机制的解释。直径为10nm和微簇由2nm厚的表面氧化层及直径为6nm的未氧化中心构成。该中心具有强的量子约束效应导致的基本带隙展宽(光学吸收边蓝移),氧化层、中心及其组合在紫光的激发下产生复杂的光致发光现象。实验结果与文中所提出的理论模型吻合。 相似文献
469.
在真空中、氮气中、大气中和氧气中分别测量了生长的硅片上的8-羟基喹啉铝(Alq3)薄膜光致发光(PL)谱及其在不同激光功率密度下的PLC强度衰减谱。发现氧气和较强激光幅照共同作用会导致Alq3薄膜表面PL的衰减与淬灭。 相似文献
470.
纳米氧化锌薄膜的光致发光特性研究 总被引:4,自引:0,他引:4
本文报道了利用低压金属有机气相外延(LP-MOCVD)工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌(ZnS)薄膜,然后,将硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化,制备高质量的纳米氧化锌(ZnO)薄膜。X-射线衍射(XRD)结果表明,氧化锌具有六角纤锌矿晶体结构,在900℃退火的样品的光致发光(PL)中,在长为3.3eV处观察到一束强紫外光致发光和相当弱的深能级发射,紫外发光强度与深能级发射强度之比是80,表明纳米ZnO薄膜的高质量结晶。 相似文献