纳米晶α-Ga2O3: Eu3+的制备与发光性质研究

利用共沉淀法制备纳米晶α-Ga2O3: Eu3 发光粉体.对不同掺杂浓度、不同煅烧温度的系列样品,均观测到Eu3 的室温强特征发射.样品的晶相与发射性质的研究表明,所制备的样品经600℃到950℃热处理后,晶相为三方相;最佳的掺杂浓度为2%,特征峰613nm (5D0→7F2)最强;能量传递主要是电荷转移(CTB).     

[Mn（phen）2（H2O）Cl]Cl·4H2O的合成、结构、性质和理论研究（Phen=1，10-邻菲啰啉）

通过水热反应合成了一种新的含锰化合物[Mn（phen）2（H2O）Cl]Cl·4H2O（phen=1,10-邻菲啰啉）（1）,并对该化合物进行了X－射线单晶结构表征。该化合物具有孤立结构特征,在分子中含有新颖椅式构型的八聚体水团簇。光致发光研究发现该化合物发射强的绿光。通过分子轨道计算,我们认为该化合物的光致发光来自配体到金属中心的电荷跃（LMCT）以及配体到配体的电荷跃迁（LLCT）。     

电子束蒸发方法制备ZnO薄膜的结构和光学特性研究

用电子束蒸发方法在硅衬低上制备ZnO薄膜,测量了ZnO薄膜的XRD谱,表明六角晶体结构的薄膜具有强C轴择优取向(002),并且,测量了ZnO薄膜样品的二次离子质谱(SIMS),表明其化学剂量比为1∶1。在光致发光实验中,用He-Cdi激光器的325nm(50mω)波长激发,观察到了385nm的紫外光发射。     

纳米材料显现潜在指纹的研究

目前,潜在指纹显现技术面临两大难题需要解决。一方面,情况复杂的客体以及遗留时间过长的陈旧指纹样品需要显现技术具有空前的灵敏度;另一方面,粉末刷显法以及有毒有害显现试剂亟需得到替换和改善,以确保技术工作人员的身体健康。鉴于上述情况,近年来技术工作人员开始将纳米技术同光致发光法相结合,并应用于潜在指纹的显现,旨在推出一种高效、无毒、无损、价廉的潜在指纹显现技术,以期能够突破潜在指纹显现技术发展的瓶颈状态。     

In1-x GaxN/Si异质结太阳能电池的光伏特性研究

通过器件模拟对n—In1-xGaxN/p—Si异质结的光伏特性进行了研究,并与c—Si同质结薄膜电池的性能作了比较。在AM1.5的光照条件下,n—IGN/p—Si异质结在最佳的电池设计、最佳的材料和最佳的操作参数条件下获得的电池效率达到了27%。电池效率受到薄膜质量的强烈影响,从电子亲和势、多数载流子的迁移率、少数载流子的寿命、薄膜厚度以及掺杂水平的变化可以得到说明。     

富纳米硅氮化硅薄膜光致发光机制

对于富纳米硅氮化硅薄膜的光致发光,其电子-空穴对存在3类光激发-光发射过程.通过对富纳米硅氮化硅薄膜光致发光模型的数值模拟对比分析,提出富纳米硅氮化硅薄膜光致发光是量子限制模型和能隙态模型发光机制共同作用的结果.利用得到的结论,讨论一些已报道的富纳米硅氮化硅薄膜光致发光实验结果.     

草酸电解液中制备的多孔阳极氧化铝薄膜光致发光特性

用电化学阳极氧化工艺,在草酸电解液中制备了3个系列的多孔阳极氧化铝(AAO)薄膜样品,分别考察了氧化电压、氧化时间以及电解液浓度对样品光致发光的影响.结果表明,AAO薄膜的光致发光发射谱(PL)和光致发光激发谱(PLE)的峰强随阳极电压的增加、氧化时间的延长及浓度的增大分别依次单调增强;阳极电压、氧化时间和电解液的浓度只对峰强起调制作用,并不改变发射谱和激发谱的峰位.分析了存在这种相关性的原因.     

[Mn(phen)2(H2O)Cl]Cl·4H2O的合成、结构、性质和理论研究(Phen=1,10-邻菲啰啉)

通过水热反应合成了一种新的含锰化合物[Mn(phen)2(H2O)Cl]Cl·4H2O(phen=l,lo-邻菲啰啉)(1),并对该化合物进行了X-射线单晶结构表征.该化合物具有孤立结构特征,在分子中含有新颖椅式构型的八聚体水团簇.光致发光研究发现该化合物发射强的绿光.通过分子轨道计算,我们认为该化合物的光致发光来自配体到金属中心的电荷跃迁(LMCT)以及配体到配体的电荷跃迁(LLCT).     

混晶半导体材料GaAs1—xPx：N（x=0.4）光致发光谱研究

采用变激发功率密度下的光致发光，变温下的光致发光等手段，研究了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）样品中各发光带的发光特性，比较了不同激发条件下Ｎｒ与Ｎｘ发光带的不同行为，求得在出不同的温度区间内，Ｎｒ及Ｎｘ不同的激活能，结果表明Ｎｒ与Ｎｘ分属不同的杂质发光中心有着不同的束缚激子的机制。     

混晶GaAs1—xPx：N（x=0.88）中NN1对束缚激子发光的声子伴线

采用选择激发的实验手段，在混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ；Ｎ的光致发光谱中观察２到ＮＮ１对束缚激子发光的声子伴线。通过荧光谱线窄化效应，在发光谱中得到了ＧａＰ：Ｎ低温光致发光谱中Ａ线相似的ＮＮ１线的声子伴线精细结构，其中包括ＴＡ，ＬＡ，ＬＯ等声子伴线。