全文获取类型
收费全文 | 474篇 |
免费 | 10篇 |
国内免费 | 34篇 |
专业分类
丛书文集 | 58篇 |
教育与普及 | 36篇 |
理论与方法论 | 2篇 |
现状及发展 | 6篇 |
综合类 | 416篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 1篇 |
2022年 | 4篇 |
2021年 | 9篇 |
2020年 | 5篇 |
2019年 | 7篇 |
2018年 | 4篇 |
2016年 | 8篇 |
2015年 | 9篇 |
2014年 | 13篇 |
2013年 | 17篇 |
2012年 | 25篇 |
2011年 | 19篇 |
2010年 | 27篇 |
2009年 | 59篇 |
2008年 | 33篇 |
2007年 | 33篇 |
2006年 | 29篇 |
2005年 | 19篇 |
2004年 | 19篇 |
2003年 | 16篇 |
2002年 | 21篇 |
2001年 | 24篇 |
2000年 | 13篇 |
1999年 | 13篇 |
1998年 | 12篇 |
1997年 | 19篇 |
1996年 | 9篇 |
1995年 | 8篇 |
1994年 | 12篇 |
1993年 | 10篇 |
1992年 | 10篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 4篇 |
1989年 | 3篇 |
1988年 | 1篇 |
排序方式: 共有518条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径;对样品测量光致发光谱,其发光峰分别位于361 nm和430 nm,比较发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移.文中对发光机理进行初步讨论. 相似文献
12.
利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心. 相似文献
13.
利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-χNχ混晶的发光复合机制.GaP1-χNχ混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分χ≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(χ≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征.另一方面也表现出新的发光机制. 相似文献
14.
不同衬底生长ZnO薄膜的结构与发光特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(Al2O3)(0001)和硅(100)衬底上制备ZnO薄膜.通过X-光衍射测量与分析表明两者都沿C轴方向生长,在Al2O3衬底上的ZnO薄膜结晶质量优于在Si衬底上的薄膜样品.然而,由原子力显微镜观测发现在Al2O3衬底上的薄膜晶粒呈不规则形状,且有孔洞,致密性较差;而在Si衬底上的ZnO薄膜表面呈较规则的三维晶柱,致密性好.光致发光测量表明,不同衬底上生长的ZnO薄膜表现出明显不同的发光行为. 相似文献
15.
主要通过低温和室温变功率光致发光(PL)谱的实验手段,研究了GaN纳米柱和对应薄膜(作为参考)的量子效率表现.实验中发现在室温,激发光功率为0.5mW时,GaN纳米柱的积分PL强度是薄膜的12.2倍,这表明GaN纳米柱具有比薄膜更高的内量子效率和光引出效率.另外,依据高低温积分PL强度比的方法计算得到激发光功率0.5mW时,GaN纳米柱的内量子效率低于薄膜,该计算结果违背由实验现象得到的结果,这表明该内量子效率的计算方法是不合适的,因而建立了一种新模型,得到GaN纳米柱和薄膜的内量子效率比随激发光功率的变化规律,结果表明GaN纳米柱的内量子效率表现显著优于薄膜. 相似文献
16.
无应变锗锡(GeSn)合金在Sn的摩尔组分高于8%时能够转变为直接带隙材料,适合于制备硅基光电子器件.分子束外延(MBE)在高纯度GeSn制备、Sn组分和异质界面的精确调控上具有巨大的优势.然而,由于Sn在Ge中的固溶度低(<1%)、Ge与α-Sn晶格失配大(约14.7%),高Sn组分、应变弛豫直接带隙GeSn薄膜材料的MBE制备仍是一个巨大的挑战.本文综述了MBE制备高Sn组分GeSn薄膜及弛豫GeSn薄膜压应变的相关研究.首先介绍了低温MBE技术外延高Sn组分GeSn薄膜的方法及生长应变弛豫GeSn薄膜的挑战.之后给出GeSn薄膜的快速热退火行为与厚度的依赖关系,基于临界厚度模型捋清了退火过程中GeSn薄膜的应变弛豫与Sn偏析的竞争机制;最后介绍了快速热退火对GeSn薄膜发光特性的影响,提出采用快速热退火制备应变弛豫的Sn组分渐变GeSn异质结,通过载流子自限制增强MBE生长GeSn薄膜的光致发光强度. 相似文献
17.
采用溶剂热法制备纯的和复合ZnO的SrWO4,利用XRD、TG、PL、ICP和UV-Vis等手段对样品进行表征,研究ZnO含量对SrWO4-ZnO复合物的光致发光及光催化降解次甲基蓝活性的影响.结果表明:适量ZnO的复合引起SrWO4-ZnO复合物PL光谱强度降低,当ZnO复合量为7%时,复合物的PL光谱强度最低,光催化次甲基蓝溶液效率最高.表明复合物的PL光谱与其光催化活性有着一定的联系. 相似文献
18.
采用溶胶-凝胶、化学掺杂方法制备了Mn2 、Ce3 离子掺杂Zn2SiO4材料;用X射线衍射仪、透射电子显微镜、吸收光谱仪以及荧光光谱仪对其结构、形貌和光致发光性能进行测试分析;结果表明,900℃热处理基本形成Zn2SiO4晶体,一次颗粒尺寸大约为200 nm左右;在空气中1 100℃和H2气氛中900℃热处理后,样品中存在2个发光峰:Mn2 产生的522 nm强绿光发射,Ce3 离子产生的398 nm弱紫光发射。 相似文献
19.
CaMoO4超细粒子的制备及发光性能 总被引:1,自引:1,他引:0
采用柠檬酸溶胶-凝胶法制备CaMoO4超细粒子,对样品进行X-射线衍射(XRD),粒度分析和荧光光谱测定.讨论煅烧温度,煅烧时间,柠檬酸和聚乙二醇的用量对样品颗粒大小的影响.XRD结果表明,在700℃时可得到CaMoO4纯相.粒度分析结果表明在煅烧温度,煅烧时间以及柠檬酸用量合适的情况下,随着分散剂聚乙二醇用量的适当增加,产物的粒径明显减小,约为160~190 nm.最后总结提出了柠檬酸溶胶-凝胶法制备CaMoO4超细粒子的最佳合成工艺.以286 nm的近紫外光激发样品,CaMoO4超细粒子在492 nm附近发绿光. 相似文献
20.
通过锌片与3mol/L丁胺水溶液在100~180℃水热反应12h直接在锌片上原位生长出ZnO纳米锥阵列.利用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物进行了表征和分析.结果表明,所制备的ZnO纳米锥为六方纤锌矿结构,生长方向为[0001].通过反应温度的改变制备出了不同直径ZnO纳米锥组成的阵列.研究了ZnO纳米锥的生长过程,提出了可能的生长机理,解释了所观察到的实验现象.研究了ZnO纳米锥阵列的光致发光特性,观察到了分别起源于自由激子发射和激子-激子碰撞的396和377nm的紫外光发光峰和2-E2声子复制. 相似文献