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11.
采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径;对样品测量光致发光谱,其发光峰分别位于361 nm和430 nm,比较发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移.文中对发光机理进行初步讨论. 相似文献
12.
利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心. 相似文献
13.
利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-χNχ混晶的发光复合机制.GaP1-χNχ混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分χ≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(χ≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征.另一方面也表现出新的发光机制. 相似文献
14.
不同衬底生长ZnO薄膜的结构与发光特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(Al2O3)(0001)和硅(100)衬底上制备ZnO薄膜.通过X-光衍射测量与分析表明两者都沿C轴方向生长,在Al2O3衬底上的ZnO薄膜结晶质量优于在Si衬底上的薄膜样品.然而,由原子力显微镜观测发现在Al2O3衬底上的薄膜晶粒呈不规则形状,且有孔洞,致密性较差;而在Si衬底上的ZnO薄膜表面呈较规则的三维晶柱,致密性好.光致发光测量表明,不同衬底上生长的ZnO薄膜表现出明显不同的发光行为. 相似文献
15.
主要通过低温和室温变功率光致发光(PL)谱的实验手段,研究了GaN纳米柱和对应薄膜(作为参考)的量子效率表现.实验中发现在室温,激发光功率为0.5mW时,GaN纳米柱的积分PL强度是薄膜的12.2倍,这表明GaN纳米柱具有比薄膜更高的内量子效率和光引出效率.另外,依据高低温积分PL强度比的方法计算得到激发光功率0.5mW时,GaN纳米柱的内量子效率低于薄膜,该计算结果违背由实验现象得到的结果,这表明该内量子效率的计算方法是不合适的,因而建立了一种新模型,得到GaN纳米柱和薄膜的内量子效率比随激发光功率的变化规律,结果表明GaN纳米柱的内量子效率表现显著优于薄膜. 相似文献
16.
无应变锗锡(GeSn)合金在Sn的摩尔组分高于8%时能够转变为直接带隙材料,适合于制备硅基光电子器件.分子束外延(MBE)在高纯度GeSn制备、Sn组分和异质界面的精确调控上具有巨大的优势.然而,由于Sn在Ge中的固溶度低(<1%)、Ge与α-Sn晶格失配大(约14.7%),高Sn组分、应变弛豫直接带隙GeSn薄膜材料的MBE制备仍是一个巨大的挑战.本文综述了MBE制备高Sn组分GeSn薄膜及弛豫GeSn薄膜压应变的相关研究.首先介绍了低温MBE技术外延高Sn组分GeSn薄膜的方法及生长应变弛豫GeSn薄膜的挑战.之后给出GeSn薄膜的快速热退火行为与厚度的依赖关系,基于临界厚度模型捋清了退火过程中GeSn薄膜的应变弛豫与Sn偏析的竞争机制;最后介绍了快速热退火对GeSn薄膜发光特性的影响,提出采用快速热退火制备应变弛豫的Sn组分渐变GeSn异质结,通过载流子自限制增强MBE生长GeSn薄膜的光致发光强度. 相似文献
17.
采用溶剂热法制备纯的和复合ZnO的SrWO4,利用XRD、TG、PL、ICP和UV-Vis等手段对样品进行表征,研究ZnO含量对SrWO4-ZnO复合物的光致发光及光催化降解次甲基蓝活性的影响.结果表明:适量ZnO的复合引起SrWO4-ZnO复合物PL光谱强度降低,当ZnO复合量为7%时,复合物的PL光谱强度最低,光催化次甲基蓝溶液效率最高.表明复合物的PL光谱与其光催化活性有着一定的联系. 相似文献
18.
《南京理工大学学报(自然科学版)》2021,45(5)
二硫化钼(MoS_2)具有独特的能带与晶体结构,目前已在晶体管、光电器件、传感器和电化学催化等领域得到广泛应用。单层MoS_2中,角动量守恒使得直接带间跃迁遵循光学选择定则,说明可以通过光场等手段来产生和探测能谷极化,利用能谷极化来储存和处理信息。能谷极化率,是谷电子学研究的重要指标,直接反映出是否可以将不等价能谷作为0和1的逻辑单元。对于不同样品,能谷极化率会存在差异,关于这一现象一直缺乏明确解释和深入分析。该文采用共振激发,观测到单层MoS_2的光致发光强度与能谷极化率之间存在明显的逆向关联;并借助激子弛豫和能谷寿命两个时间参量,揭示了这一逆向关联的原因,为实现能谷的有效调控提供可行途径。 相似文献
19.
CaMoO4超细粒子的制备及发光性能 总被引:1,自引:1,他引:0
采用柠檬酸溶胶-凝胶法制备CaMoO4超细粒子,对样品进行X-射线衍射(XRD),粒度分析和荧光光谱测定.讨论煅烧温度,煅烧时间,柠檬酸和聚乙二醇的用量对样品颗粒大小的影响.XRD结果表明,在700℃时可得到CaMoO4纯相.粒度分析结果表明在煅烧温度,煅烧时间以及柠檬酸用量合适的情况下,随着分散剂聚乙二醇用量的适当增加,产物的粒径明显减小,约为160~190 nm.最后总结提出了柠檬酸溶胶-凝胶法制备CaMoO4超细粒子的最佳合成工艺.以286 nm的近紫外光激发样品,CaMoO4超细粒子在492 nm附近发绿光. 相似文献
20.
以Bi(NO3)3.5H2O和Ti(OC4H9)4为原料,NaOH为矿化剂,聚乙二醇(PEG)为添加剂,采用水热法制备形貌规则的Bi4Ti3O12纳米片.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线荧光光谱(XRF)研究产物的物相、显微结构和组成,利用分子荧光光谱仪(PL)研究产物的光致发光特性.结果表明水热合成的Bi4Ti3O12纳米片为正交相层状钙钛矿结构,平均边缘尺寸大约200 nm,厚度10~20 nm,主要沿着平行于(111)面和垂直于(111)面的二维方向生长.室温下Bi4Ti3O12纳米片在470.4nm处具有蓝—绿发光,在399.3 nm和417.6 nm处具有紫光发射特性,初步认为是纳米片表面的氧空位和铋空位所引起的,同时在380 nm和516 nm处存在高能带边和低能带尾. 相似文献