新型偶氮化合物的合成及其非线性光学特征

采用不同合成路线 ,合成了一类多功能偶氮化合物。用溶剂变色法测算得这类化合物的二阶极化率与化合物基态偶极矩的复合量 ( βCTμg)数量为 10 - 2 8esu·D ,其 βCTμg 值与化合物“推—拉”电子发色团取代基的“推—拉”电子强度密切相关 ,其中含杂环的化合物有很高的 βCTμg 值。掺杂 2_甲基_4′_咔唑己基_4_硝基偶氮苯(CHNA)的聚甲基丙烯酸甲酯薄膜有良好的光致变色性能。     

浅议几何光学成像规律的教学

光学系统的成像规律是几何先学的核心内容。本文介绍几何光学成像规律的两种教学方法，其一是从几何光学的基本定律出发，得出在一定近似条件下的面镜、透镜以及共轴光具组的成像规律；其二是从成像规律的内在联系入手，将成像规律分成三组来记忆。最后，提出了一种既能沿用现行教材体系，又有利于培养学生自主学习能力、提高学生理解能力和学习能力的方法。     

1,8-萘啶类化合物及其配合物的研究进展

1，8-萘啶类化合物及其配合物是当前国内外研究的热点，具有特殊的抗菌活性、催化及光学特性，极具应用潜力。本文综述了该类化合物及其配合物结构、性质以反应用等方面的研究进展。     

氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用

研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则.理论分析和实验结果表明,在将氧化铟锡(ITO)薄膜应用于光学太阳反射镜(OSR)表面防静电放电时,ITO薄膜的表面方阻R□不能小于5 kΩ@□-1,否则会导致OSR的太阳光谱吸收率增加.建议取R□=5～106kΩ@□-1,薄膜厚度d=(150～200)×10-10 m.同时必须保证ITO薄膜接地效果良好,否则会使OSR表面充放电现象更加严重.     

真空紫外薄膜光学常数的多约束非线性方程组计算

本文推导出目标函数的导数公式，改进了利用“多约束非线性方程组”计算真空紫外光学常数的方法，我们自编了ＶＵＶ－ＲＯＣＰ微机软件，可由真空紫外反射率求出真空紫外薄膜光学常数和入射光的偏振度。运用该软件对不同工艺的Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ样品的反射率进行解析，得到了它们的真空紫外薄膜光学常数，并与国外报道的结果进行了比较。     

MoS4Ag2(PPh3)3和MoS4Cu2Ag(PPh3)3Br的固相合成及非线性光学性能

在无机氧化物及含氧酸盐、半导体材料、有机化合物、聚合物和金属有机化合物等领域近年来关于非线性光学材料的研究引起人们的广泛兴趣。原子簇化合物由于其特有的结构与性能特点,它们实际上是一类具有广泛应用前景的非线性光学材料。我们的实验发现,Mo(W)-Cu(Ag)-S簇合物呈现出很强的三阶非线性光学效应,特别是一些含银的簇合物的光限制能力超出C~(60)的2～3倍。我们已对蝶状、离子型类立方烷、鸟巢状和双鸟巢状,六棱柱状及二十核超笼状簇合物等Mo(W)-Cu(Ag)-S簇合物的非线性光学性研究作了报道。在这些报道中有关铜的簇合物较多,而银的相对较少。本文报道直链状簇合     

Biacetyl反应在双氰胺光度法测定中的应用

介绍了一种简便易行的光度分析方法在双氰胺工业品的含量测定中的应用．该方法根据双乙酰反应（ｂｉａｃｅｔｙｌｒｅａｃｔｉｏｎ）的原理，即：当α－萘酚存在时，含胍基的化合物与双乙酰反应，在强碱性介质中，生成一红色化合物的过程，对双氰胺工业品进行含量测定研究．结果表明，该红色化合物在５３０～５６０ｎｍ处有显著吸收，其摩尔吸光系数ε＝１．６６×１０４Ｌｍｏｌ－１ｃｍ－１，适合于用光度法比色测定．该方法在０～１４ｍｇＬ－１的浓度范围内呈线性关系，符合比耳定律．其测定回收率为９８％～１０１％，相对标准偏差为±０．５９％．此外，该方法还适用于双氰胺残留物的痕量分析和监测．     

利用成像系统的光学散焦获取景物的深度信息

研究了一种新的被动测距方法，利用测量被动成像系统光学散焦的数字图像处理方法，分析光学散焦程度的变化与景物深度的关系，提出了一个散焦被动测距的计算公式，并得到了一些实验结果，该方法只需对景物采集两幅有差别的图像，避免了大量图像的采集和存储，两幅有差别图像是通过改变摄像机镜头的光圈系数来获得的，避免了图像间的位置校准和匹配。     

一种基于相关信号非线性处理的光学联想识别系统及其计算机模拟实验研究

本文提出一种基于相关信号非线性处理的光学联想识别系统，描述了它的工作原理．利用计算机模拟验证其实验的可行性．最后对模拟的结果进行了讨论和分析，指出了通过边缘增强非线性处理的图像可使系统在识别能力方面得到优化．     

光学界面自旋波与界面各向异性

计入外磁场、体和界面单轴各向异性后，详细研究了铁磁或反铁磁层间耦合的自旋双链系统中的光学界面自旋波及其存在的充要条件．结果发现：对于不同的界面各向异性，该系统可以存在０、１和２个光学界面自旋波，其能量随铁磁层间耦合强度的增大而升高，却随反铁磁层间耦合强度的增大而降低．