一种二阶补偿的CMOS带隙基准电压源

提出了一种通过沟道长度调制效应进行二阶温度曲率补偿的CMOS带隙基准电压源,并分析了这种结构实现二阶温度曲率补偿成立的条件。采用0.35 μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真,在-50°～+120℃温度范围内,一阶曲率补偿的温度系数为9.5 ppm/℃,而运用二阶曲率补偿后该基准电压源具有2.7 ppm/℃的低温度系数。     

AgF晶体的能带结构

计算ＡｇＦ晶体的能带结构,得出了带隙和价带宽度．结果表明ＡｇＦ晶体为非直接带隙物质     

SiB_(n-1)N_n及SiB_(n-1)N_n~+(n≤6)团簇结构的研究

采用密度泛函理论中B3LYP方法和6-31G(d)基组,对SiBn-1Nn及SiBn-1Nn+(n≤6)团簇的所有可能构型进行了优化,得到相应的基态单环结构,进一步研究了基态结构的键角N-Si-N、绝热电离势、能隙、Mulliken电荷布局。     

高电源噪声抑制比带隙基准源设计

采用CSMC 0.35μm工艺,通过在电源和带隙基准源电路间插入电流源缓冲级的方法,设计提高带隙基准源电源噪声抑制能力的带隙基准源.在最低工作电压不变的情况下,所设计的带隙基准电源大幅度提高了电路的电源抑制比,且功耗低.仿真结果表明:电源抑制比值为110dB/40dB,Iq=12μA,Vmin=2.4V,可作为模拟IP(知识产权)且易集成于单片系统中.     

光电子材料铝镓铟磷的椭偏研究

在室温下，运用反射椭偏光谱技术，对生长在砷化镓上的铝镓铟磷以及铝镓铟磷（掺硅）两样品进行了研究。测得它们在可见光区的光学常数，求得吸收系数、介电函数随光子能量的变化关系。对样品的介电函数虚部谱进行数值微分，得到它们的三级微谱。通过对样品的吸收系数谱和介电函数虚部的三级微商谱的分析，得到两样品的带隙Eg，Eg Δ0和Eg以上成对结构跃迁的能量位置及间隔。将Eg和Eg Δ0的值与计算值和已发表的值比较，符合较好，但存在小的差异。分析发现，样品存在有序结构是引起差异的主要原因。根据椭偏测量的数据，用有效介质近似理论计算了样品中铝的组分，并与X射线微区分析的测量结果加以比较，二者一致。     

一种高电源抑制比的基准电压源设计

文章采用0.6 μm N阱CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比、低噪声的带隙基准电压源.在传统带隙基准电路结构的基础上,采用添加新的电压支路,在环路反馈网络中直接引进噪声的理念,提高了电源抑制比.利用Cadence Spectre工具仿真,结果表明,电路工作电压范围为2.5～5.5 V,输出基准电压为1.2 V,低频时电源抑制比可达到110 dB,在-25～85 ℃范围内温漂为26×10-6/℃,在10～1.0×105 Hz带宽范围内的RMS电压噪声为43 μV,具有高电源抑制比、低输出噪声的特性.     

光子晶体光纤前向布里渊散射现象中的声波带隙特性

利用平面波展开方法,对光子晶体光纤的前向布里渊散射现象中的声波带隙特性进行了数值仿真.结果表明,对于较为常见的空气孔排列为六角密排结构、空气孔形状为圆形的实芯光子晶体光纤,只有当空气孔的填充率大于一定阈值时才出现较明显的XY模态声波的带隙,并且最低与次低带隙的上下边界均随空气孔的填充率的增大而下降.根据所得结果讨论了在这种类型的光子晶体光纤中空气孔的填充率对前向布里渊散射强度的影响.     

嵌套型开缝圆管声子晶体的带隙影响因素研究

针对开缝管声子晶体结构的带隙起始频率较高和带隙不易调节的问题,基于亥姆霍兹共鸣效应,提出了一种嵌套型开缝圆管声子晶体结构,为了研究该结构的带隙影响因素,根据Bloch定理和Helmholtz方程,利用有限元法对该结构的禁带和透射系数进行了数值计算并搭建实验台进行了实验验证,获得了在晶格常数不变情况下该结构的带隙影响因素和禁带调节方法。研究结果表明,嵌套型开缝圆管结构具有低频禁带特点,能够在500Hz左右得到宽禁带。在晶格常数恒定的条件下,内管缝向和位置参数对结构的低频禁带具有有效的调节作用,能够将低频禁带起始频率降低到250Hz,其原理为产生并增强亥姆霍兹共鸣效应,因此这种禁带调节方法在声子晶体制备后仍然能够实现多频段、宽频带的带隙调节。同时,玻璃棉能够有效地增强嵌套型开缝管声子晶体结构的吸声性能,并对拓宽禁带有积极的效果。该研究成果为开缝管声子晶体的禁带调节提供了理论依据和有效方法,在低频噪声控制方面具有潜在的应用前景。     

3.53×10-6m/℃非带隙VT/Vth互补偿CMOS电压基准

提出了一种基于阈值电压Vth与热电压VT相互补偿的新型非带隙CMOS电压基准源.采用一种新型电路结构提取正比于Vth的电流,通过自偏置电流镜结构获得正比于两个三极管VBE之差的电流输出,两者在公共电阻上的线性叠加,实现Vth与VT的相互补偿.基于3.3 V电源电压0.35 μm标准CMOS工艺模型在Cadance Spectre仿真环境下对电路进行模拟验证,获得以下结果输出基准电压为716.828 mV,在-55℃～+125℃范围内,其温度系数为3.53×10-6m/℃;VDD在2.7 V～4 V之间变化时,输出电压变化率为1.346%.     

微加工中几何尺度对太赫兹光子晶体传输性质的影响

太赫兹(THz)光子晶体的研究在近些年得到快速发展,对其传输性质和相关功能器件的研究都有广泛报道,但现有研究很少从器件微加工和实验要求出发讨论器件的结构设计问题.通过数值模拟,明确了THz波段光子晶体基本几何参数的尺寸范围,重点分析了器件高度和传播方向上周期性单元个数对THz波传输性能的影响.研究结果表明,光子晶体的通带透过率随着光子晶体柱或孔高度增加而显著增加,保证柱或孔高度大于入射光波长是THz光子晶体加工中的一个重要要求;光子晶体沿传播方向行数越多,光子禁带内的透过率就越低,消光比越高,通带边沿就越陡峭,但通带的透过率会随着器件长度增加而下降,设计器件时需要折中考虑这两个因素的相互制约关系,确定最佳器件尺寸.研究结果为THz光子晶体的器件结构设计和微加工工艺设计提供理论指导.