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51.
文章运用资料收集、地面调查、高密度电法测量等手段对治理区地质灾害进行勘查,为治理提供基础资料和地质依据。对塌陷坑、地裂隙、废弃井口进行治理,对矿区隐伏采空区及采空影响带进行了圈定,并对其威害作出了评价。 相似文献
52.
讨论了单向点啮合传动蜗轮凸齿面工作时分析齿面接触状况的数值计算方法,用此方法计算所得数据,可以用来评估传动参数对实际重合度、承载能力等的影响,为选择传动参数、优化传动提供依据。 相似文献
53.
本文对同心环隙有压科特流层流提出了一维流动的动量矩微分方程,并根据广义牛顿内摩擦力定律,求得了圆周切应力τ与圆周切线速度 u 的解析解.对流场中的零切应力环面,流速极环面和流速拐环面的存在条件进行了讨论.证明了流速极环面并不与零切应力环面重合.对所提出的上述理论进行了实验印证.实验表明用一维理论来描述这种运动是简单可行的.本文把层流的无压环隙科特流与有压槽道流作为两个特例概括在所提出的理论之中. 相似文献
54.
金属/非晶硅势垒低频电容中等价的隙态密度分布 总被引:1,自引:0,他引:1
唐元洪 《湖南大学学报(自然科学版)》1990,17(4):35-41
本文证明:在一定条件下,描述非晶硅隙态密度分布的三种基本函数,即均匀分布、指数分布和双曲分布,在计算金属/非晶硅势垒低频电容时也是等价的.并通过测量室温时低频势垒电容,得到了隙态密度分布函数模型等价的标准. 相似文献
55.
实验发现,硼磷通过掩膜窗口向硅中扩散时,横向与纵向扩散深度之比 y_j/x_j 不是一个常数,而是随扩散温度的降低增大。此外,对于硼和磷的扩散来说,这个比值是不同的,且有(y_j/x_j)_B>(y_j/x_j)_P。通过解剖一些实际的 CMOS LSI 芯片结构发现,无论是采用常规工艺,或者是采用全离子注入技术,其失效的一种重要模式是 PMOS FET源、漏区硼扩散横向连通。分析了产生这种失效模式的机理。并提出在设计 CMOS LSI 时,适当调整 NMOS FET 和 PMOS FET 的沟道长度,有利于提高成品率和电路性能。 相似文献
56.
朱宰万 《吉林大学学报(理学版)》1990,(2)
本文利用Eliashberg超导理论,分析了高T_c氧化物超导体的LO耦合机制,给出了此类超导体e-LO耦合参数λ、库仑赝势μ~n、临界温度T_c和0K能隙△_0与T_c比值的计算公式。 相似文献
57.
本文给出了环形槽道有压科特流层流的解析解,还提出了形状参数P,强调形状参数P可用作研究环形槽道有压科特流层流流动状态的判据,并讨论了当P值不同时,所研究流场中的速度极环面和速度拐环面存在的条件和它们的坐标。这对环形槽道有压科特流紊流的研究极有帮助。 相似文献
58.
本文讨论了激光深度图象感测器的原理.基于该原理,文中提出了一种计算时间省、抗干扰能力较强的提取图象边界的新方法.文中还提出了一种获取三维数据的变换方法和一种从表面到物体的识别方法.将上述方法和技术用于导引机器人焊接,提高了机器人适应外界环境的能力. 相似文献
59.
殷启正 《宝鸡文理学院学报(自然科学版)》1995,(1):72-77
沈括作为北宋的一位政治家、科学家,在其从政的同时,从事科学研究,著成了《梦溪笔谈》。他对数学领域的精湛研究,不仅有独创精神,而且有重大突破和重要成果,因此沈括堪称一位数学家。他的数学思想和方法,对后世数学的发展具有重要的启迪作用。 相似文献
60.
ZnO欧姆电极制备与n-ZnO/p-Si异质结紫外光电特性 总被引:4,自引:0,他引:4
基于ZnO形成的机理,运用半导体能带理论,分析了金属和ZnO的欧姆接触和肖特基接触特性;在p-Si衬底上,采用直流及射频溅射获得掺Al的ZnO薄膜;用电子束蒸发In/Ag、In/Al、Ti/Au,微电子光刻工艺制作范德堡、传输线、梳状电极和n-ZnO/p-Si异质结UV增强光电探测器,并在200~500℃时,在氩气保护下制作合金样品,测量样品的I-V特性、电阻率、载流子浓度、异质PN结的UV光谱响应,以及对XPS结构组分进行分析等.测试结果表明,采用金属功函数低的In、Ti做中间导电层,并在400℃退火合金后,In/Ag、In/Al、Ti/Au与n-ZnO薄膜形成了良好的欧姆接触. 相似文献