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161.
为了解决航海型平台式惯性导航系统(INS)非自主式初始对准问题,建立了不同观测量条件下统一的INS初始对准方程。通过系统可观测性分析,得出增加外部姿态角的观测信息将有效提高INS平台失准角和惯性元件误差的估计能力的结论。设计出一种独特的可测量低动态载体两维姿态的高精度光学测量系统(OCS)用以提高航海型平台式INS初始对准精度。建立OCS/GPS/计程仪(LOG)/INS初始对准卡尔曼滤波器,并进行了基于部分试验数据的数字仿真,与传统的基于位置和速度的GPS/LOG/INS初始对准方法相比,基于OCS的系统不仅缩短了对准时间,还有效改善了系统惯性元件的误差估计精度。 相似文献
162.
张峰慧 《太原师范学院学报(自然科学版)》2004,3(3)
文章对用测节器测定光具组基点实验中所作d<(f′1+f′2)的限定,从理论上证明了其不妥性,并给出了正确的限定关系式. 相似文献
163.
采用水热法合成了稀土Eu掺杂ZnO纳米棒材料,研究了稀土Eu掺杂浓度对ZnO材料的结构、形貌和光学性能的影响。研究表明,Eu3+成功掺入到ZnO中,材料呈现纳米棒状结构且直径为15-25 nm。Eu的掺杂对ZnO材料的结晶质量和光学性能有明显的影响,随着Eu掺杂浓度的增加,ZnO材料的结晶质量明显下降,认为是杂质Eu的引入导致材料缺陷增加所致,而缺陷的改变引起ZnO材料的Eu3+红色特征发光峰增强。另外,随着Eu掺入到ZnO中,紫外峰峰位发生明显的红移现象,认为与引入新的Eu杂质能级有关。 相似文献
164.
根据相干测风雷达回波信号载频高、带宽窄的特点,尤其星载相干测风雷达回波信号数千兆赫兹,采用传统采样方式对采集卡的采样率要求很高.鉴于采集卡的采样率和分辨力互相制约,提出将带通采样引入到相干测风雷达系统.本文以1.5 μm全光纤相干测风激光雷达的实测数据作为仿真输入,经Simulink滤波、带通采样,结果表明,在对探测距离影响不大的情况下,与低通采样方式相比径向风速反演结果最大相差0.5 μm/s;数据处理的时间复杂度降低,其下降值是带通采样频率与低通采样频率的比值;但信噪比会恶化,其下降值介于1~3 dB. 相似文献
165.
琥珀酸索利那新是选择性毒蕈碱M3受体拮抗剂,目前已经载入《欧洲药典(9.0版)》,并规定3种光学异构体杂质(杂质F、杂质G、杂质H)均不超过0.15%.以N-苯甲酰基-β-苯乙胺为起始原料,Bischler-Napieralski环合成1-苯基-3,4-二氢异喹啉,Na BH4还原制备外消旋体(R,S)-1-苯基-1,2,3,4-四氢异喹啉,D/L-酒石酸拆分出R和S异构体,4步反应制备(S)-1-苯基-1,2,3,4-四氢异喹啉总收率34.6%;另外,以奎宁环酮盐酸盐为原料经Na BH4还原、乙酰化、酒石酸拆分制备(R)-3-奎宁环醇和(S)-3-奎宁环醇,5步反应制备(R)-3-奎宁环醇的总收率17.8%;最后,以二(对硝基苯)碳酸酯为缩合剂在室温下合成索利那新及其3个光学异构体,以(R)-3-奎宁环醇为起始物计算合成索利那新的反应收率为91.0%,目标化合物经1H-NMR、13C-NMR进行确认. 相似文献
166.
167.
《科技导报(北京)》2014,(17)
正质子磁矩实现迄今最高精度测量为了试图解决宇宙中缺失的反物质之谜,物理学家完成了迄今为止针对质子固有磁性的最精密测量。德国约翰尼斯·古登堡大学物理学家Andreas MooserAndreas Mooser等指出,一旦与反质子磁矩的直接测量相结合,这项工作将会为物质—反物质对称性的严格验证铺平道路。该项研究成果发表于5月29日出版的Nature上。 相似文献
168.
《江汉大学学报(自然科学版)》2017,(4):377-384
分析了一种将微环谐振器与交叉信道相结合的光学滤波器结构,采用信号流程图理论推导出其在下载端和输出端的传递函数,讨论了耦合系数对滤波器下载端输出光谱的影响。仿真结果表明:通过优化滤波器结构中的耦合系数,在下载端可实现顶部平坦、边沿陡峭的输出光谱。数值计算得出,在谐振波长1 550 nm处,滤波器的品质因子达到10~3量级,精细度为4.75,消光比为68 dB,具有良好的滤波特性,可以将该结构应用于密集波分复用(DWDM)系统作为滤波器使用;也可以将该结构级联,设计波分复用器。利用SOI材料的热光性能,通过对微环加热,发现下载端光谱向右漂移,能够实现滤波器的可调谐性。 相似文献
169.
基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了本征SnO2、SnO2:In、SnO2:Ga和SnO2:(In,Ga) 超晶胞模型并进行了几何结构优化,对其能带结构、 态密度、 电荷密度及光学性质进行了模拟计算. 结果显示,相比于SnO2:In和SnO2:Ga,SnO2:(In, Ga)的晶格常数更接近于本征SnO2,可有效降低SnO2材料掺杂体系的晶格畸变. SnO2中In、Ga的掺入能够增大材料的带隙值,且能带结构向高能方向移动,材料呈现典型的p型半导体特性. SnO2:(In, Ga)中,In与Ga掺杂原子和O原子的电子云呈现出共价键特性. 光学性能表明,SnO2:(In, Ga)晶体中,光子能量在0~2.45eV和大于6.27eV的范围内表现出良好的介电性能,在微型微电子传感器机械系统器件和高密度信息存储等方面具有良好的应用前景. SnO2:(In, Ga)在可见光范围内具有105cm-1数量级的吸收系数,能够强烈地吸收光能,在光电器件的吸收材料中具有潜在的应用前景. 相似文献
170.
《解放军理工大学学报(自然科学版)》2014,(6)
<正>1本刊简介《解放军理工大学学报(自然科学版)》是自然科学类综合性学术期刊,双月刊。本刊主要刊登通信、计算机、工程、气象、数理等学科领域的优秀论文和技术报告等,主要栏目有:电子、通信与自动控制,计算机科学与技术,土木工程,大气科学·海洋科学,应用数学·应用物理学,运筹学与系统科学,光学工程,爆破工程,材料科学,机械工程,动力与电气工程,水利工程,交通运输工程,环境科学技术,等等s本刊不仅被国内主要文献数据 相似文献