基于衍射准直的长程面形仪

长程面形仪是一种高精度、非接触的大型非球面光学检测仪器,作为同步辐射光束线工程的关键检测仪器,主要用于X射线波段大尺度、非球面反射镜面形检测及长镜精密压弯机构标定和性能测试.该仪器研制主要是为国家重大科学工程--上海光源工程光束线建设服务,该项目在解决了一系列关键技术难题的基础上,在国际上率先成功研制了1台基于衍射准直的长程面形仪.     

隐身斗篷

美国科学家用硅纳米材料制造了一种隐身斗篷,使普通的光学检测无法发现放置在斗篷下的物品。这种新隐身斗篷完全由绝缘材料制造,在光学频率中,它们往往是透明的。斗篷由矩形的硅片制成,厚250nm。硅片可以作为一个光波导,光线仅限于在这个垂直高度中向前后两个方向自由传播。在纳米硅材料上,研究人员精心设计了一些孔：每个孔直径为110nm,这就使得斗篷周围的光波发生完全弯曲,就好像河水流过岩石一样。它表明,当光线的方向发生改变,物品的隐身是可以实现的。     

两种并三噻吩二羧酸的微区结构及其性能研究

利用溶剂引导的无序-有序相转变的方法制备了二噻吩并[3,2-b:2',3'-d]噻吩-2,5-二羧酸(A)和二噻吩并[2,3-b:3',2'-d]噻吩-2,5-二羧酸(B)的自组织薄膜. 利用原子力显微镜(atomic force microscopy, AFM)研究了两种化合物分子在基底上的排列方式, 发现化合物A分子在云母基底上以一定角度取向排列, 而化合物B单分子层在云母基底上以“平卧”式排列. 结合紫外可见(ultra violet-visible, UV-Vis)吸收光谱、荧光光谱和导电原子力显微镜(conductive atomic force microscopy, C-AFM)对化合物A和化合物B薄膜的光学性质以及微区电子传输行为进行了研究. 结果表明, 形成J-聚集体的化合物A与化合物B相比, 其吸收峰值和发光峰位都发生较大红移, 并且化合物A比化合物B的微区电导大三个数量级以     

垃圾进，什么出？

在计算机界有一个说法：Garbage in,garbage out（GIGO）,意思是：如果输入的数据是错的,即使计算机的处理能力再强大,输出的结果也像垃圾一样是没有价值的。     

2007年兰州市冬季大气气溶胶光学厚度特性

利用多波段太阳光度计观测资料,采用光谱消光法,计算2007年兰州市采暖期大气气溶胶光学厚度、Angstrom浑浊度系数和波长指数.分析表明:兰州市2007年冬季与历史同期相比,气溶胶光学厚度较小,浑浊度较低,且多为细粒子.对气溶胶光学厚度与能见度进行了分析、拟合,表明二者变化趋势相反,近似呈指数递减关系.     

基于光学体全息的耳廓识别技术的研究

光学体全息相关识别技术由于能够实现待识别图像和多幅模板图像的同时对比,和传统电子识别的串行比较相比有速度快的特点.但和计算机识别技术相同的前处理过程,制约了其速度快这一优点的发挥.结合光学体全息相关识别技术的特点,提出以耳廓为识别特征的快速稳定的前处理方法,并通过实验验证光学耳廓识别方法的可行性和优势.     

带相关观测噪声系统的自校正观测融合Kalman滤波器

对于带有相关观测噪声、未知噪声统计、不同观测阵带有相同右因子的多传感器线性离散定常随机系统,利用相关方法,提出了噪声统计信息的在线辨识器.基于ARMA新息模型,提出了自校正加权观测融合Kalman滤波器,避免了求解Lyapunov和Riccati方程,减少了计算负担,适于实时应用.利用动态误差系统分析(DESA)方法,严格证明了提出的自校正融合滤波器以概率1或按实现收敛于相应的最优融合滤波器,即具有渐近全局最优性.一个3传感器跟踪系统的仿真例子说明其有效性.     

耦合诱导的金纳米棒禁戒等离激元模式激发

用时域有限差分方法（finite-difference time-domain,FDTD）模拟了有不同局域等离激元共振频率和不同体积的外来金纳米颗粒以及外来介质纳米颗粒与金纳米棒的耦合,研究了正入射条件下与各种颗粒耦合对诱发金棒上纵向等离激元的禁戒模式的不同影响,发现外来颗粒上足够多的电荷积聚造成的电场对称性破缺是诱发禁戒模式的原因.这一发现对理解金属纳米颗粒的近场光学实验探测有重要意义.     

基于遗传算法优化的RBF网络在自校正控制中的应用研究

针对RBF神经网络参数难以确定的情况,采用遗传算法对RBF神经网络的隐层中心值和宽度进行了优化,用递推最小二乘法训练隐层和输出层之间的权值。给出一种基于优化的RBF神经网络的自校正控制算法,利用神经网络的非线性函数映射能力,使其充当未知系统函数逼近器。仿真结果表明了所给算法的有效性。     

纳米锆合金晶格畸变对电子行为的影响

研究了锆合金晶格畸变对电子行为的影响,建立了晶格畸变与电阻率之间的关系模型.结果发现,锆合金纳米化后,随晶格畸变增大电阻率增大,晶粒尺寸越小电阻越大.