线性谐振子势的相对论效应 Ⅰ:Klein-Gordon方程

本文研究了具有线性谐振子型势的Klein-Gordon方程的束缚态，给出了束缚态存在的条件是标量势大于或等于矢量势。在标量势等于矢量势的条件下，给出精确的能语方程和归一化波函数。对标量势，证明其相对论方程等价于具有4次方项的非谐振予势的Schrodinger方程，讨论了相对论能级的变化情况.     

一种围栅金属氧化物半导体场效应管阈值电压模型

针对深亚微米金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)多晶硅耗尽效应加剧问题,提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET阈值电压解析模型.通过求解多晶硅耗尽层电势泊松方程,得到多晶硅耗尽层上的压降,用以修正沟道区的通用边界条件.然后利用叠加原理求解沟道二维电势泊松方程,建立了圆柱形围栅MOSFET的表面势和阈值电压解析模型,并利用器件数值仿真软件Sen-taurus对解析模型进行了验证.研究结果表明,衬底掺杂原子浓度越高,或多晶硅掺杂原子浓度越低,多晶硅耗尽层上的压降就越大,阈值电压偏移也越显著.与现有模型相比,该解析模型的精确度提高了34%以上.     

水经磁场处理后效果的检测方法述评

介绍了水经磁场处理后,其密度、粘度、表面张力、电导和光学性质均发生了变化,作者提出了决定水的磁处理效果的若干建议.     

夫琅禾费衍射的计算机模拟

根据夫琅禾费衍射理论，利用数学软件及计算机蒙特卡罗随机抽样方法，准确地再现了夫琅禾费衍射实验现象及规律，可应用于辅助教学。     

Sr_4Al_(14)O_(25)∶Eu~(2 ),Dy~(3 )长余辉发光材料的合成及正交实验设计法

研究了燃烧温度、Eu2 和Dy3 的搀杂量、助熔剂硼酸的加入量、尿素加入量及Al/Sr的比例对Sr4Al14O25∶Eu2 ,Dy3 长余辉发光材料发光性能的影响,从而确定了长余辉发光材料Sr4Al14O25∶Eu2 ,Dy3 的最佳合成工艺.对所得产物分别进行了XRD、TEM、荧光测试和亮度测试.结果表明:磷光体存在403和482 nm 2个发射峰,分别对应于Eu2 在基质中2种不同的存在方式,与传统的高温固相法相比发射主峰出现了蓝移;亮度测试找到了最佳的原料配比及合成条件.     

分光计的调整技巧

分光计是大学物理光学实验中的一种常用仪器。在分光计调整实验中,需要调整望远镜光轴与分光计中心轴垂直,这一步是最关键、最困难的一步。此文就调节中的这一难点从光路上进行了详细的分析,提出几种适当的调节办法,并给出了调整流程图。     

深紫外非线性光学晶体的研究进展

深紫外(吸收边<200 nm,带隙>6.2 eV)非线性光学材料主要应用于激光系统、阿秒脉冲产生、半导体制造和光刻等.本文从晶体结构、禁带宽度、倍频效率、激光损伤阈值和双折射率等方面对已报道的无机深紫外非线性光学材料进行了综述,并按晶体结构中阴离子基团的构成元素进行了分类介绍,包括硼酸盐晶体、铍硼酸盐、氟硼酸盐、磷酸盐...     

模型集省略初探

本文对一阶理论的势范畴性作了一点推广和补充说明，讨论了模型集被省略的几种情形．     

新型半导体光电子器件的发展动向

面向21世纪的高度信息化社会,人们正在大力开发新一代高性能半导体光电子器件,以满足高速、宽带、大容量、高清晰信息传输、存贮、处理、获取的需要。文章介绍了有关的高速LD、高速PD、大面阵CCD、新型红外焦平面阵列、多功能集成光学器件等的发展动向。     

关于非完整系统相对运动的动力学方程的运动积分

本文在引入广义惯性势的基础上，从非线性非完整系统相对于非惯性系的Routh方程和广义ДaппbIп方程出发，分别研究这类系统的广义循 积分，广义能量积分和局部能量积分的条件，惯性参考系统，线性非完整系统和完整系统的第一理论均为本文的特殊情况。