数值研究“二次成核”在喷雾冷却中的作用

基于喷雾冷却换热原理和气泡-液滴动力学基本知识,对有气泡产生的换热表面进行数值研究,重点考察"二次成核"在整个换热过程中的作用,成核系数α和成核范围系数β变化对换热的影响.研究结果表明,随着成核系数α增大,换热效果增强,当α>6时,增强效果已不明显;成核范围系数β＝8为极值位置,增大或者减少都会使换热效果减弱.通过α=6,β=3,5,8,10的各种情况下的换热量计算,并与Cho,Ponzel提出的经验公式结果进行比较,发现在β=8的时,计算结果与经验公式结果符合最好,由此可以得出α,β的最佳值分别为6,8.     

己二酸十八酯(OAO)过饱和溶液成核研究

对已二酸十八酯 (OAO)过饱和溶液的成核过程 ,研究不同温度、过饱和度及不同溶剂对其诱导期的影响 ,并根据经典成核理论计算了晶体的临界成核自由能和临界成核半径     

热灯丝CVD沉积金刚石膜系统中负衬底偏压增强活性离子流量的理论分析

本对热灯丝ＣＶＤ沉积金刚石膜的核化过程进行了分析,从理论上研究了负衬底偏压增强活性离子的流量。     

超细轻质碳酸钙制备

利用电导仪跟踪CaCO₃ 乳液碳化过程,研究结果表明,生成的CaCO₃ 粉末材料的粒径与反应温度、石灰乳液浓度及碳化用二氧化碳的通气速率有关,反应过程主要受CO₂ 的吸收速率控制,但当CO₂ 的流量增大时则反应速率同时受CO₂ 的吸收及Ca(OH) ₂ 的溶解速率共同影响。在研究过程中,试验了各种表面活性剂对产品分散性能的影响,探索单分散碳酸钙的制备条件和过程控制。     

非均匀成核法在石墨表面改性研究中的应用

采用非均匀成核法,将Al(OH)3包覆在天然鳞片状石墨表面,制备出包覆Al(OH)3的天然鳞片状石墨,探讨了影响石墨表面包覆效果的关键因素,结果表明,pH值,处理温度和涂层物质前驱体的加入量是影响包覆效果的关键因素。通过SEM对石墨试样的表面形貌观察表明,改性石墨表面均匀地包覆了一层Al(OH)3。     

磁场-溶剂协同作用对谷氨酸结晶过程的影响

研究了磁场－溶剂协同使用对谷氨酸结晶过程的影响及磁场作用下谷氨酸过饱和溶液表面张力、电导率的变化,并对磁场促进谷氨酸结晶的作用机理进行了探讨,提出了一种利用磁场－溶剂协同作用制备谷氨酸晶种的新方法。研究结果表明,磁场对谷氨酸结晶有促进作用,磁场－溶剂协同使用加速了晶体的成核过程,生成的晶粒均匀,结晶率高。     

钢筋混凝土异形截面柱配筋计算

提出了一种钢筋混凝土异形截面柱截面配筋计算方法,通过坐标变换和迭代运算,解决了不等肢异形截面柱在双向压弯状态下正截面承载力的计算,并使计算机程序编制简化和更具通用性,用本文方法编写了配筋计算电算程序,进行了各种算例计算,并与文献结果进行了比较。     

GaN纳米线的成核及生长机制研究

报道了利用CVD方法研究GaN纳米线的成核和生长机理的最新结果,着重强调了生长温度和催化剂对纳米线生长的影响。通过分析GaN纳 米线的形貌、显微结构与生长温度、催化剂等影响因素之间的依赖关系,详细研究了GaN纳米线的生长过程。这一结果有助于了解一维纳米结构的生长机理,实现纳米材料的可控制生长,并有可能直接应用于GaN纳米器件的制备。     

天花粉蛋白晶体生长的斜锥形成核机制

用原子力显微镜(AFM)研究了天花粉蛋白(Trichosanthin,TCS)晶体表面的斜锥形成核过程.对不同过饱和度下(σ=1.02～1.65)的TCS晶体成核过程进行了全方位的跟踪观察.发现在结晶前期,体系先采用线型生长,生长成链状聚集体,再进行侧向链间结合,最后形成不对称三维斜锥形核;在后期的成核过程中,TCS分子以尺寸不一的球形聚集体存在,并依次连接成串,进一步形成斜锥形核.通过AFM实验,详实地观测了TCS晶体生长的斜锥形成核过程,并从结构生物学角度阐释了这一成核现象的微观机制,给出了两种的成核途径.     

成核剂对PTT结晶行为的影响

采用差示扫描量热(DSC)、解偏振光强度(DLI)和偏光显微镜(POM)等方法研究了含不同成核剂聚对苯二甲酸丙二醇酯(PTT)的结晶行为。结果显示,成核剂的加入对PTT的熔融结晶温度、等温结晶速率和结晶形貌等均有影响。成核剂可在一定程度上促进PTT的结晶,其中滑石粉的效果最明显,苯甲酸钠的效果最差。