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21.
通过构建粟酒裂殖酵母核小分子RNA的cDNA文库,发现并鉴定了两个新的非编码RNA,分别命名为Sp15-70和Sp18-61.生物信息学分析揭示这两个RNA均具有典型的box H/ACA snoRNA二级结构特征和与rRNA互补的配对区,推测Sp15-70具有指导25S rRNA中U2401和U2298假尿嘧啶修饰的功能;Sp18-61具有指导18S rRNA中U208和25S rRNA中U2341假尿嘧啶修饰的功能.采用CMC-引物延伸法证实:在粟酒裂殖酵母rRNA中,这4个预测位点确实为假尿嘧啶修饰核苷酸.Sp15-70和Sp18-61均由单拷贝基因编码,分别位于粟酒裂殖酵母染色体工和Ⅲ上蛋白质基因的间隔区,在其5'端上游均发现了典型的TATA box元件,表明它们都是独立转录的基因.比较分析这两个snoRNA在不同生物中的功能性同源分子,发现snoRNA基因在进化的过程中发生了广泛的分子重组和转位.  相似文献   
22.
用射频磁控溅射法分别在具有20nmFe衬底的Si(100)和NaCl单晶基片上成功地制备出具有高饱和磁化强度的Fe-N薄膜.用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计研究了氮气分压和基片温度对Fe-N薄膜相结构和磁性的影响.结果表明,当氮气分压为2.66×10-2Pa,基片温度为100~150℃时,最有利于α-″Fe16N2相的形成.在此条件下制备的Fe-N薄膜的饱和磁化强度高达2.735T,超过纯Fe的饱和磁化强度值.  相似文献   
23.
选择寄生于刺鲳中的日本棘叶绦虫(Echinophallus ja ponicus)(假叶目;棘叶科)作为研究对象,对其生活史早期发育阶段进行了观察。通过对成虫子宫中虫卵及体外培养虫卵的观察发现.其虫卵为完全卵裂、胚胎发育的主要过程在子宫外完成,为体外发育.  相似文献   
24.
用特定材料和巧妙的方法设计制作了安全可靠和密封性好的微型锅炉 ,理论分析和实验证实压力容器(微型锅炉 )的上述性能 .以微型锅炉为基础 ,配以压力、温度传感器及控制电路制成了液体饱和蒸气压力和温度关系测定仪 ,通过对水、无水乙醇的饱和蒸气压力和温度关系的测定 ,证明该仪器在设计压力及温度范围内测得的数据与公认值吻合 ,具有一定的实用价值  相似文献   
25.
针对输入有界的离散时间线性定常系统,利用凸多面体集合的几何特性,求解与有限步可控区域相联系的凸多面体集合的边界超平面法向量,进而得到有限步可控区域的精确表示,计算实践表明,与求解可控区域的传统方法相比,该方法具有更高的计算效率,且当有限步可控区域对应较多的步数时,该方法在计算效率上的优势更加显著.还结合最小时间控制问题和镇定问题,说明用该方法得到的有限步可控区域的精确描述,能够为解决约束系统的控制问题提供重要依据。  相似文献   
26.
水的力学作用和化学物理作用的交错影响,使得坝基软岩软化和受力更为复杂,也使一般固体线弹性本构模型不再适用。该文介绍了饱和体抗拉试验,对试验结果进行拟合,用试验验证了本构曲线受拉区的合理性。构建了复杂应力状态下饱和体本构模型,实现了复杂应力饱和体计算的有限元算法,并验证了算法的可行性和收敛性。根据新构建的本构模型和算法,给出了相应的三维有限元计算程序,其计算算例的结果验证了本构模型的合理性和算法的正确性。  相似文献   
27.
双孢蘑菇酵母菌病害药剂试验   总被引:1,自引:0,他引:1  
假丝酵母菌(Candida sp.)、酵母菌(Saccharomyces sp.)是稻田栽培双孢蘑菇(Agaricus bisporus)中的一类新病原菌。描述了病原菌的形态特征、致病症状,作了实验室药敏试验。试验表明:克霉灵、灭菌威、甲醛等药剂可有效杀灭病原菌。  相似文献   
28.
阐述稳态变形及稳态强度的基本概念,提出用稳态强度进行震后砂土液化及边坡稳定性分析的思路和方法,即首先根据现场试验资料确定砂土的孔隙比或相对密实度,然后基于室内稳态强度线确定现场稳态强度曲线,最后根据震后驱动剪应力与对应的现场稳态强度的大小对比情况判别震后液化及稳定。另外,基于前人的研究成果给出了详细的计算流程图。  相似文献   
29.
陈国龙 《科学通报》1997,42(23):2497-2500
一阶模型论中,关于可数模型的讨论是一个重要课题。在这方面,对于可数饱和模型的研究已得到了一些意义重要的经典结果。在文献[1]中,Benda定义了比饱和模型的条件要弱一些的几乎饱和模型和满模型的概念,探讨了它们的一些相关性质,证明了如果一个可数语言上  相似文献   
30.
低饱和场巨磁电阻金属多层膜Ni80Fe20/Cu的结构与磁电阻   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用磁控溅射方法,获得了具有低饱和场巨磁电阻的Ni80Fe20/Cu金属多层膜,在室温下,其磁电阻和层间耦合状态随Cu层厚度的增加呈振荡变化,在Cu层厚度tCu=1.0nm,2.2nm时磁电阻出现2个峰值分别为19.4%和11.7%,饱和场约为6.4×10^4A/m和8×10^3A/m低温下(77K)磁电阻为33.2%和27.6%,系统地研究了NiFe层厚度和周期数对多层膜磁电阻的影响,用真空退火  相似文献   
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