『入世』后我国企业专利战略的构成与特点

"入世"后,中国要全面履行在知识产权领域中承担的权利和义务,同时要按照WTO的要求降低关税,开放国内市场,这样,发达国家将凭借自身经济、科技的竞争优势,通过知识产权争夺为主要手段控制国内外市场.对于那些驾驭市场经济游戏规则娴熟自如的外资企业来说"产品未动、专利先行"已经成为一种非常自然的市场战略.入世后采取怎样的专利竞争战略去应对日益激烈的国际竞争,是中国企业迫切需要研究的重要课题.     

最新高性能微控制器特点分析

众所周知,PC机CPU的技术和市场一直是Intel称霸于天下,经过激烈的竞争和淘汰,现只剩下AMD还在锲而不舍地与之抗衡.与此形成鲜明对比的是,在单片机领域却是一番百花齐放的景象.Intel(英特尔)、Motorola(摩托洛拉)、Piliphs(飞利浦)、ADI、Siemens(西门子)、Atmel、Microchip、HITACHI(日立)、东芝、三星等各大半导体厂商几乎无一例外,纷纷推出了各具特色的单片机产品,使得目前流行的品种数以千计.下面将针对其中两种极具代表性的高性能产品,介绍该领域的新技术和最新发展.     

2型X—C1模的直和分解

在一定条件下2型X－C1模可分解成一致子模的直和及2型X－C1模的直和。     

C和Ti双注入H13钢抗腐蚀钝化层的形成

用多次扫描电位法研究了金属Ti与C双注入抗腐蚀和抗点蚀钝化层生成的条件,用扫描电子显微镜观察了腐蚀坑,发现注入层表面已经形成了具有一定厚度钝化层.这种钝化层既能抗酸性腐蚀,又具有优良的抗碱性点蚀特性.测量结果表明,在C注量不变时,增加Ti注量可使抗腐蚀特性增强;而在Ti注量不变时,增加C注量可使抗点蚀特性增强.     

溅射效应对离子注入聚合物表面形貌的影响

采用MEVVA离子注入机引出的离子进行了聚酯薄膜改性研究,考虑到注入离子对表面溅射的强弱与离子的质量密切相关,所以选用质量大小不等的3种离子Cu,Si和C为注入离子,注入后的聚酯膜表面结构发生了很大的变化,用原子力显微镜观察了注入样品表面形貌的变化,表面粗糙度与注入离子质量密切相关.实验结果表明,注入前聚酯薄膜表面粗糙,表面突起密集地分布在表面,其高度可达20～25 nm,C和Si注入后表面突起高度下降到5 nm,随注入离子质量的增加,在注入层粗糙度增加,Cu注入后在表面形成了弥散分布Cu原子的析出纳米颗粒.Cu颗粒起伏高度可达到50 nm.这些变化对聚酯薄膜表面物理化学特性有着重要的影响.     

离子注入聚醚砜的射程分布和能量淀积

计算了15 keV N+和Ar+注入聚醚砜薄膜的射程分布和能量淀积分布,利用计算的结果说明了离子注入聚醚砜膜后,薄膜表面电导率增加(增加5个数量级)和光吸收率增加(最大吸收率从44%增加到82.5%)现象.     

位数码之和的三次均值

令ds(n)表示正整数n的十进制表示中的各位数字之和,对正整数x≥2和任意固定的m∈N,令Am(x)=∑n＜xdms(n).文中给出A3(x)的一个精确计算公式.     

二元Poisson求和公式及Shannon型样本定理

经典的Shannon样本定理是关于用可数个样本点的信息对有限带(Band-hmited)信号函数进行恢复.文章利用二元Poisson求和公式证明了未必带有限的二元函数的Shannon型样本定理.文中所有结论不难推广到n(＞2)元函数中去.     

图与其补图的Q谱半径之和的界

本文给出了图与其补图Ω谱半径之和的一个上界，给出了半正则二部图与其补图Ω谱半径之和的上下界。     

注塑模模架设计KBE系统及其智能关键技术

结合当前工程设计领域 KBE技术的发展和模架设计的数据流图 ,给出了注塑模模架设计KBE系统的基本框架 ,并对其关键技术进行了分析 :模架设计知识采用框架 -规则的方法表示 ,并给出了推理的流程图 ,通过面向子目标的方法提高了 KBE系统的知识表示和推理能力 ;将事例推理的方法结合在 KBE系统中 ,提高了系统对以往成功事例的参考能力 ;利用神经网络的自学习能力 ,解决了模架中镶块和前后模设计的计算问题 .通过实际的应用 ,该系统能够有效地提高模具企业的模具设计和分析能力