三元体系对喇嘛甸油田二类油层的溶蚀作用研究

为探索非均质厚油层三元复合驱的可行性,2007年在喇嘛甸油田北东块开展强碱三元复合驱现场试验。试验过程中发现Si4+采出浓度大幅提高,强碱对油层具有较强的溶蚀作用,不仅会对油层造成伤害,还会给生产带来不便。因此开展三元体系对喇嘛甸油田二类油层溶蚀作用研究。利用常规化学分析手段及各种分析仪器测试手段,开展三元复合体系对储层岩石溶蚀作用、流动特性影响因素以及岩石结构的可视化研究。研究表明:随碱浓度增加、接触时间延长以及"液:固"的增加,溶蚀作用增强;在碱浓度相同条件下,与碱液相比较,二元复合体系和三元复合体系对岩样溶蚀程度较低,表面活性剂和聚合物具有减轻碱对岩样溶蚀作用效果的功效。研究结果能够对现场除防垢技术起到理论指导作用,进一步促进三元复合驱技术的推广应用。     

注伴生富化气近混相多级接触驱替机理研究

根据近混相驱理论,适当选择注入气的组成,形成湿气或富化气,在低于最小混相压力下可能会形成蒸发凝析双重传质作用的近混相驱,在适当降低注入压力的同时能使驱替达到与混相驱相同的效果。以我国海上油田某一实际油藏为例,采用该油藏伴生的富化气进行回注,通过注入气体与地层原油之间互溶性膨胀实验以及多级接触PVT相态特征实验和模拟研究,描述了近混相驱多级接触过程中注入气和地层油之间组成变化特征以及PVT高压物性变化规律,探索了我国海上油田注伴生富化气近混相驱油机理。     

锡对铜-银-锡合金电车线性能的影响

通过对加入不同锡量的铜-银-锡合金试样的硬度、导电性、耐磨性,耐蚀性等各项性能的实验测定,结果表明：锡的加入能有效提高铜-银-锡合金电车线的硬度、耐磨性和耐蚀性,同时降低导电性,且最佳加入量为0.8％。     

闸墙变位对三峡人字门安全运行影响研究

基于接触面单元,导出一组能反映两扇闸门斜接柱接触变化构方程式,详细研究了闸室水位升降过程中两扇门接触区域的变化情况及对门体应力的影响。并提出了通过调整背拉杆预应力克服闸墙变位引起的不良影响的一种简单有效的方法。     

太湖流域水土流失影响因素及土壤侵蚀预报模型

对太湖流域影响水土流失的气候、土壤、地质 地形、植被和人为因素进行了统计分析,总结归纳了水土流失发生、发展的时空规律。并在影响水土流失单因素分析、评价基础上,选取坡位、地形、坡度、土壤类型、有效土层厚度、植被盖度和土地利用类型七个指标为自变量,年土壤侵蚀模数为因变量,利用数量化模型Ⅰ对８７块模式样地回行回归分析,获得形如：Ｙｋ＝Ｂ０＋Σ＾」１＋１ｍ１Σｊ＝１ｉ＝１Ｂ（ｊ,ｉ）ψｋ（ｊ,ｉ）＋Σｐｊ＝ｐ１＋１Ｂ（ｊ）Ｘｋｊ的土壤侵蚀预报模型,运用该模型可以预测太湖流域不同土地利用类型的年土壤侵蚀模数,达到及时准确地掌握水土流失发生、发展的动态,为水土流失的分区防治奠定了理论基础。     

四向矩形编织物内部纱线上接触点的分布

研究了由四步１：１法编织的三维四向矩形复合材料预成形件内部纱线之间的接触情况,找出了内部纱线上接触点的分布规律和纱线间传力特点。确定出有关的几何参数值和内部纱线有限单元及节点的一种新取法。     

铸造系统温度场和应力场模拟软件的理论验证

采用具有解析解的算例对铸造系统温度场及应力场有限元数值模拟软件进行理论验证 ,其目的在于对软件系统的正确性以及软件使用的正确性进行验证 ,算例的分析思路、技巧和方法可推广至求解更为复杂的实际问题     

二维接触问题边界元法的研究进展

工程实际中经常涉及到弹性体的接触分析问题 ,人们对此问题进行了大量的研究 .随着计算力学和计算机技术的快速发展 ,非常复杂的接触问题已得到了成功地解决 .本文回顾了使用边界元法处理接触问题的情况及目前的研究进展 ,详细叙述了处理这类问题的理论方法及相应的公式 ,然后讨论了解决这类问题所采用的边界元法的步骤和各种数值方法 ,同时给出了的大量的有关接触问题研究的参考文献及作者近期的研究工作 ,并提出一些有待进一步研究的问题     

莱芜张家洼矿区Ⅰ矿床深部地质特征及成矿规律

文章阐述了莱芜张家洼矿区Ⅰ矿床深部地质特征、成矿规律,张家洼Ⅰ矿床赋存于奥陶系马家沟组灰岩(已蚀变为大理岩)与闪长岩接触带上。该矿体沿倾向延深,矿体形态似层状、透镜状,走向290~296°,倾向20~26°,倾角一般在20~55°,平均厚度31.06m,TFe平均品位为39.73%。     

MoS2/Si异质结的接触和伏安特性的研究（英文）

单层硫化钼(MoS2)因具有直接带隙和特殊的六方晶系层状结构,而呈现优异的光学特性和电学特性。基于p-n结扩散模型推导了MoS2/Si异质结的接触特性和伏安特性,分析了不同施主掺杂浓度(n-MoS2)和受主掺杂浓度(p-Si)对能带结构和输运特性的影响。研究表明:MoS2/Si异质结的内建电势和势垒区宽度由施主、受主掺杂浓度共同决定。随着掺杂浓度的升高,内建电势VD逐渐增大,而势垒区宽度XD呈明显减小的趋势。另外,发现p-Si的受主掺杂浓度决定了MoS2/Si异质结的电流密度和反向饱和电流密度,均随着p-Si的受主掺杂浓度的增大而减小,但与n-MoS2的掺杂浓度关系不大。