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111.
讨论了连续复小波变换在瞬态信号波至点检测中的运用,提出了一种新的信号波至点检测函数.这种检测函数运用了能量归一化的方法,它不仅能够保证信号波至点的有效检测,而且还拓宽了小波变换中用于信号检测的尺度范围.仿真实验证明,这种检测函数是有效的. 相似文献
112.
113.
研究了在 p H=9.6的氨 -氯化铵缓冲溶液中 ,Eu( )与茜素红 (ARS)络合物的极谱波 ,该极谱波峰电位在 -2 .2 5 V(sv. SCE) ,其峰电流与铕的浓度在 3 .0× 1 0 - 6 ~ 3 .0× 1 0 - 4 mol· L- 1 之间呈线性关系 ,最低检出限为 1 .0× 1 0 - 6 mol· L- 1 。利用该方法可测定稀土矿石中的中稀土元素铕 相似文献
114.
通过齐次平衡法及可化为Bernoulli方程的四阶常微分方程,求出了变系数KdV方程的精确解及孤立波解. 相似文献
115.
纳米结构陶瓷(n-WC/12Co)涂层材料精密磨削的试验研究 总被引:1,自引:1,他引:1
对纳米结构陶瓷(n—WC/12Co)涂层材料在金刚石砂轮精密磨削过程中的磨削力进行了较详细的试验研究,对常规结构陶瓷(c—WC/12Co)和n—WC/12Co涂层材料的磨削力作了对比磨削试验。分析了磨削工艺参数如砂轮磨削深度、工件进给速度、金刚石砂轮粘结剂类型和磨粒尺寸以及被磨试件材料特性等对磨削力的影响。结合被磨试件表面的扫描电镜(SEM)的观察,分析了n—WC/12Co涂层材料磨削的材料去除机理。 相似文献
116.
研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)线性区的特性,用低能量(550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面,能有效地改善其线性区的直流特性,如跨导,沟道电导,阈值电压,表面有效迁移率以及低频噪声等,实验结果表明,随着轰击时间的增加,跨导,沟道电导和表面有效迁移率光增大,然后减小,阈值电压先减小,随后变大;而低频噪声在轰击后明显减小,实验证明,上述参数的变化是硅-二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。 相似文献
117.
钒(V)——荧光镓极谱络合吸附波的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在pH6.0的KCl底液中,钒(V)-荧光镓(LMG)配合物产物-灵敏的极谱吸附波,峰电位在-0.86V(vs.SCE),二次导数峰度与钒(V)浓度在3.9×10^-9~3.9×10^-6mol/L范围内呈线性关系,检测限为2.0×10^-9mol/L,研究了电极反应机理,方法已成功应用于自来水中钒的测定。 相似文献
118.
本文建立了单色波函数与一种粒子轨迹之间的对应关系,将粒子的干涉现象解释为粒子与屏相互作用的一种表现,而非本质上反映到达屏上粒子数量的分布。对实验验证提出了建议。 相似文献
119.
采用一种新的方法并借助计算机代数的符号运算,求出了2+1维Kadomtsev-OPetviashvili(KP)方程的一种自Baecklund变换,并得到KP方程的三组精确解,其中一组为孤波解。 相似文献
120.
应用度理论研究了一类离散的非线性反应扩散方程,得到了波前解的存在条件,并在一定条件下,使用上下解方法证明了改型的离散方程的解收敛到连续问题的波前解. 相似文献