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71.
解决我国城市生活垃圾问题的出路 总被引:2,自引:0,他引:2
杜学成 《佛山科学技术学院学报(自然科学版)》1998,16(3):69-75
对目前国内垃圾主要处理方法进行了评价,认为要从根本上解决我国城市生活垃圾问题必须建立健全垃圾减量与处理的双重机制。提出了“清洁生活”的概念,指出了城市生活垃圾的减量要建立在“清洁生活”战略指导思想的基础上;建立城市生活垃圾多级、低熵分选处理体系是符合我国国情的有效处理垃圾的最佳选择。 相似文献
72.
对硅光探测器在紫外光波段的量子增益过程进行了分析,考虑到碰撞粒子的相对运动及终态的态密度分布,计算了增益谱,制作了紫外性能良好的硅光电二极管,测量了紫外谱响应,对实验测量与理论计算进行了比较,结果基本一致。 相似文献
73.
我国东南低山丘陵区土地粮食生产潜力研究──以桂林市为例 总被引:4,自引:0,他引:4
我国东南低山丘陵区资源丰富,历来为重要的粮食生产基地.但其粮食生产近年发展缓慢.根据采用趋势潜力与资源潜力相结合的方法,所进行的桂林市土地粮食生产潜力及其发挥和实现影响因素的研究结果,该区粮食生产潜力较大,但目前发挥和实现程度低.为促进粮食生产潜力的发挥.并保证其持续发展.今后应大力改造中产田.提高土地质量和耕地灌溉保证率.加强粮食生产的物化投入,保证活劳动投入的需要,并同时注意协调化肥的投入结构. 相似文献
74.
一种高质量的2 kb/s语言编码算法MWI 总被引:5,自引:0,他引:5
提出一种高质量的低速率语言编码算法MWI,该算法对传统的波形插值算法WI进行了全面的改进。MWI采用了一种更加合理的插值模型,包括统一的清音和浊音分析合成模型、新的典型波形的提取和表示方法,并且采用动态规划的算法增加基音周期估计的准确性。由于不依赖于准确的清浊音判别,MWI具有更强的抗噪声能力。MWI的参数设置也有利于更加有效的参数量化。随着编码速率的下降,MWI的质量虽然呈下降的趋势,但在2kb/s的速率下,它仍然能给出具有很高清晰度和自然度的合成语音。构造的完整的MWI2kb/s的声码器,具有很高的自然度和可懂度。 相似文献
75.
Keggin结构钼硅稀土杂多蓝的合成及性质研究 总被引:2,自引:0,他引:2
合成了钼硅稀土二电子、四电子杂多蓝LnH3〔SiMo10^VIMo2^VO40〕·12H2O和LnH5〔SiMog^VIMo4^VO40〕·13H2O,其中Ln=La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,通过IR,UV,TG-DTA,XPS,ESR磁化率等对杂多蓝进行表征。结果表明,杂多酸盐还原为杂多蓝后,结构上发生了轻微的畸变。 相似文献
76.
本文综合归类了目前制备纳米结构硅的主要方法:等离子体化学气相沉积.激光诱导化学气相沉积和热蒸发法(制纳米晶硅)及电化学腐蚀法(制多孔硅),给出各种方法的典型参数及其对纳米硅结构的影响,分析了纳米硅结构特征,比较分析了各种方法制备的纳米硅的光学性能,如光学能隙Eoptg,光致/电致发光谱峰位波长、半高宽及影响因素等,并对纳米硅研究的发展前景进行展望. 相似文献
77.
滩坝相低渗透油藏储层非均质性与剩余油分布 总被引:3,自引:0,他引:3
综合运用岩心分析、测井、生产测试等静态和动态资料,从多层次、多角度逐级揭示了平方王油田沙四中滩坝沉积特点。从层内非均质、层间非均质、平面非均质这三类储层的宏观非均质性入手,探讨了滩坝相低渗透油藏储层层宏观非均质性的地质特征及其对水驱油开发和剩余油形成、分布的控制作用。研究表明,层间非均质和层内非均质主要控制了油层的水淹层厚度及垂向的剩余油分布;平面非均质和层内非均质主要控制了油层的水淹面积和平面剩 相似文献
78.
利用"生物浮动床-过滤-臭氧杀菌"技术处理电厂厂区生活污水,耐有机负荷冲击和水力冲击的能力强,对CODcr、氨氮、总磷有较好的去除效果.CODcr总去除率最高可达到95%,出水CODcr稳定在10~30 mg/L;总磷去除率达到50%以上,出水总磷质量浓度低于0.5mg/L;对NH3-N的去除率基本可以稳定在80%以上;浊度消减率可达到84%,细菌杀灭率大于99.9%,出水细菌浓度小于1/L. 相似文献
79.
BaO-CaO-CaF2系渣用于钢液深脱磷能力 总被引:3,自引:0,他引:3
使用BaO-CaO-CaF2系渣在实验室中进行钢水深脱磷实验以获得超低磷钢水.实验结果表明,初始磷约为0.01%的条件下,获得了50%以上的脱磷率及0.005%以下最低0.002%的磷含量;脱磷效果受钢水氧化性影响显著.实验测得1 813~1 893K范围内该渣系的磷容量在1018~1019.35之间,并且随BaO含量增加,磷容量增大. 相似文献
80.
氮化烧成后硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了不同温度氮化烧成后,硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态.结果表明:1300℃氮化后,硅的外层包裹着絮状的O'-Sialon;1400℃时,硅颗粒破裂且内部有氮化硅生成;1 500℃时,已没有残留硅保留下来,硅氮化生成了O'-Sialon和氮化硅;1 600℃时,硅氮化完全,其中的杂质相CaO,Fe2O3等富集在一起. 相似文献