慢电子与氧原子碰撞的理论计算

对等效势模型中的极化势进行了修正,使其在近区描述的入射电子对靶原子的极化作用更符合实际.计算了电子与氧原子碰撞的弹性总截面、动量转移截面和微分截面,结果有较大改进,与其他的实验和理论值符合得很好.     

单一沙坝型海滩平衡剖面形态预测公式

基于戴河口至洋河口海滩养护后的海滩平衡剖面实测资料,以存在离岸单一沙坝的低能砂质海滩为研究对象,分析其海滩剖面形态演变,提出以背景剖面和沙坝剖面叠加的单一沙坝型海滩平衡剖面预测公式。背景剖面基于最大信息熵原理充分考虑沙坝向岸侧和离岸侧差异,沙坝剖面则采用3～4个参数以抛物线函数形式分段描述非对称性沙坝形态。该平衡剖面公式对戴河口至洋河口岸段养护后的海滩剖面拟合效果较好,且成功应用于北戴河老虎石海滩和美国佛罗里达Fort Myers海滩,能较准确反映存在离岸单一沙坝低能海滩的平衡剖面特性。     

低能Ti+注入彩棉种子的深度-浓度分布研究

本文用SEM-EDS(扫描电镜-能量色散X射线谱仪)测量了能量为20KeV,剂量为8×1016/cm2的钛离子注入彩棉种子后的浓度-深度分布,并对其分布曲线进行分析,我们认为,低能离子注入植物种子使其后代产生变异的机理,是注入离子直接作用和注入离子产生的次级效应的间接作用共同作用的结果.     

导电聚苯胺的研究现状评述

论述了导电高分子材料的研究现状; 介绍了导电聚苯胺的合成、掺杂方法、结构与性能的关系以及应用；对未来的研究发展趋势，即低能隙高分子导体的研究进行了讨论。     

Evidence for Base Substitutions and Repair of DNA Mismatch Damage Induced by Low Energy N^＋ Ion Beam Implantation in E. coli

Ever since the low energy N^ ion beam has been accepted, the mutations of ionizing radia-tion are attributable mainly to avoidance of DNA damages repair. Evidences based on in vivo proof results are limited. Using the E. coli wild type and mutator strains, the mutant frequencies suggest that base substitutions in rpoB gene are induced by the N^ implantation. A highly con-served region is selected to get the direct evidence for base substitutions by sequence of the high fi-delity PCR amplification products in mutants. Most of the mutants (90.9%, 40/44) have at least one base substitution in the amplification region. The evidences for CG to TA (55 %, 22/40), AT to GC (20%, 8/40) and TA to CG (5%, 2/40) transitions are identified. The transversions are AT to TA ( 15 %, 6/40) and GC to CG (5 %, 2/40). It is suggested that DNA cytosine methylase might play an important role in mismatch repair of DNA damage induced by N^ implantation by analysis of the mutant frequencies of mutator strains.     

Ar+能量及低能轰击对离子溅射铜钨薄膜结构的影响

研究了双离子束溅射制备铜钨薄膜时Ar^ 能量及低能辅助轰击对膜结构的影响。实验结果表明，以铜为衬底，铜靶Ar^ 能量在1-2keV、钨靶Ar^ 能量在3keV左右时，离子溅射铜钨薄膜是以钨的非晶态为骨架机械夹杂着铜晶粒的方式存在。铜晶粒度随铜靶Ar^ 能量增加略有增大。当Ar^ 能量高到临界值(约为1．5keV)时，少量铜转变成单晶态和熔进钨形成固溶体。受晶体缺陷及晶格畸变影响，铜衍射峰会发生微小偏移。     

一个改进的低能电子散射Monte Carlo计算方法

低能电子在固体中散射理论和计算方法研究,为电子显微学和电子束曝光等领域的发展提供了基础。入射电子能量为几十个keV数量级时,基于Rutherford-Bethe理论的Monte Carlo模拟计算方法成功地解决了上述课题中的一系列难题。Rutherford-Bethe模型计算方便,容易拓展到多元、多层介质中复杂电子散射模拟。然而,当电子能量降至几个keV或更低时,由波恩近似导出的Rutherford散射截面和Bethe连续能量损失公式均不适用。我们用Monte Carlo直接模拟的方法描述电子在固体中发生的弹性散射和非弹性散射主要激发过程,使模拟计算能延续到较低能量范围。但该方法计算十分繁复,应用于多元组分介质计算量非常大。Kotera,Murata等采用Kanaya-Okayama方程计算低能电子非弹性散射能量损失,将Rutherford-Bethe模型拓展到低能范围。Kanaya-Okayama方程中有两个待定参数需在计算中调整确定,他们的计算方法未表明具有普适性。     

离子注入对绿豆种胚细胞结构变化及萌发生长的影响

应用光镜和扫描电镜研究低能铜离子注入绿豆（ＰｈａｓｅｏｌｕｓａｕｒｅｕｓＲｏｘｂ）种胚细胞结构的变化，结果表明绿豆种胚被铜离子注入的区域其细胞结构和未注入的对比，发生了一定程度的变化并出现了局部损伤。在实验室条件下通过观察绿豆种胚的萌发过程，表明离子注入造成的局部细胞损伤在８ｈ后得到修复，同时记录了离子注入对绿豆种胚萌发以后生长的影响。     

金属势阱对LEED的折射效应

研究了低能电子束在金属中衍射时势阱对电子束的折射效应 ,给出了一种用低能电子衍射法测定金属势阱深度的新方法 ,并以Cu ,Al和Ag膜为例计算了LEED(lowenergyelectrondiffraction)的折射效应     

低能电子在多元介质中散射Monte Carlo计算方法

在电子束显微分析、电子束曝光技术研究中,样品的X射线微区定量分析、薄膜厚度测定以及电子束曝光定量计算等一系列重要课题均涉及电子在多元介质中复杂散射模拟。应用Monte Carlo方法,电子的每一步散射,迄今所采用的方法均需随机抽样确定何元素原子为散射中心,再进一步计算散射步长、散射角及能量损失等。基于Rutherford-Bethe模型,一个具有N种元素介质,一次散射事件中,若ⅰ号元素原子发生散射的几率记为R表示(0,1)上均匀分布的随机数,则须由∑P_ⅰ<及≤∑_ⅰ(k=1,2,…,N)随机抽样确定k号元素原子为散射中心。因此,较之纯元素,多元介质中电子散射模拟复杂得多。特别是电子能量降至几个keV或更低时,电子的弹性散射需用量子力学分波法描述并用数值方法计算,计算过程就更加繁复。为此,本文提出一个低能电子在多元介质中散射Monte Carlo模拟计算方法。电子的弹性散射用Mott散射截面描述,提出平均散射截面的概念将多元介质等效为单一元素介质,从而摒弃传统的抽样确定散射中心方法,使电子散射模拟大为简化。电子非弹性散射基于电子能量损失连续减速近似,给出将多元介质中电子能量损失Bethe方程转换为具有平均原子序数、平均原子量的单一元素能量损失方程后再确定修正系数K的方法。应用本文方法,对不同能