铁基超导体的单晶生长及磁通动力学研究进展

铁基超导体具有上临界场高、临界电流密度大且各向异性小等优点,在超导强场磁体、可控核聚变、粒子加速器等国计民生领域具有重要的应用前景.对铁基超导体磁通动力学的研究,一方面可以进一步加深对磁通物理学的认知,同时也可为设计制造性能优异的铁基超导材料提供技术支持.本文首先简要介绍了典型铁基超导单晶材料的合成技术,包括熔融法、助熔剂法、化学气相输运法、热液法等;然后分别从铁基超导体的磁通及磁通晶格结构、磁通钉扎及磁通动力学等方面简要总结了相关研究进展.     

正常金属/dx2-y2+idxy混合波超导隧道结中的准粒子寿命效应

考虑到准粒子的有限寿命效应,在Blonder-Tinkham-Klapwijk（BTK）理论框架下,通过求解Bogoliubov-de Gennes（BdG）方程,计算正常金属／dx^2-y^2＋idxy混合波超导隧道结中的准粒子输运系数与隧道谱．结果表明：准粒子的有限寿命效应不仅能压低隧道谱中的电导峰．而且可以有效地阻止峰的滑移;随着非弹性散射的增强,还会在零偏压处形成一宽峰．     

La2-xSrxCuO4(0.03 < x < 0.17)单晶

系统地研究了高质量La2-xSrxCuO4单晶（x＝0．03,0．05,0．07,0．1,0．12,0．17）的热电势S随掺杂浓度的变化,在所研究的掺杂范围内,热电势S保持正值,随着Sr含量x的增加,室温热电热S（290K）逐渐降低,报道了La系214相中空穴浓度和室温热电势S（290K）之间关系的经验公式,在金属扩散模型的理论基础上对实验数据进行了讨论。     

跳频抗干扰通信系统中LDPC码的编码优化设计

为进一步提升低密度奇偶校验(low-density parity-check, LDPC)编码跳频通信系统抗干扰能力,提出一种对抗部分频带干扰样式的LDPC编码构造方法。首先针对不同干扰因子参数优化了LDPC码字在干扰环境下的度分布序列,然后通过基于渐进边增长和近似环外信息算法构造基矩阵,最后采用改进部分分割移位系数矩阵扩展得到校验矩阵,并结合不等差错保护特性应用到信息位的干扰保护上。该构造方法兼顾优化的度分布和准循环结构。仿真结果表明,所构造的码字性能良好,相同条件下,抗干扰性能优于现行主流类型码字的抗干扰性能。     

反应离子刻蚀剥层的微分霍耳法表征超浅pn结

用反应离子刻蚀(RIE)剥层的微分霍耳法(DHE)对等离子体掺杂、离子注入制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品RIE剥层的DHE测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用反应离子刻蚀(RIE)剥层的DHE测试获得的杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,DHE具有良好的可控性与重复性.测试杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达nm量级.     

LDPC码概述及若干理论和应用问题

低密度奇偶校验码（LDPC码）被普遍认为是当今最先进的一种纠错码（信道编码）。LDPC码，图模型，迭代译码的研究热潮已在全球流行有10年以上。这篇论文高度概括的简述了LDPC码的背景和基本知识，从一些独特的视角并联系多个领域提出一些对LDPC码相关知识的理解方法和见解主张，总结了LDPC码当今最新的研究进展。从理论和应用两方面提出作者认为非常有意义的研究问题。     

GaN基p-i-n型紫外探测器光生载流子屏蔽效应模型

通过求解光生载流子连续性方程,得出GaN基p-i-n型紫外探测器耗尽层中的光生载流子密度分布.根据泊松方程计算了光生载流子屏蔽电场,并通过数值计算方法将光生载流子屏蔽电场引入器件模型,建立了光生载流子屏蔽效应模型.在此基础上,讨论了光生载流子屏蔽效应对p-i-n型探测器耗尽区光生载流子密度分布的影响,并分析了外加偏压、入射光功率以及载流子寿命对光生载流子屏蔽效应模型的影响.结果表明光生载流子屏蔽效应对器件性能的影响是非单调的,且通过调节外置偏压可以得到最大载流子漂移速度和最小器件响应时间.     

科技博览

石墨烯在室温和普通光照下可产生电流美国麻省理工学院及哈佛大学的研究人员发现,石墨烯可以对光产生不同寻常的反应,在室温和普通光照射下,就可以发生热载流子效应,产生电流。这一发现不仅为石墨烯再添新奇属性,更有希望使其在太阳能电池、夜视系统、天文望远镜及半导体传感器等应用领域发挥作用。     

PTC失效机理分析

概述2012年初,国内某公司销往国外的产品陆续有出现PTC(Postive Temperature Coefficient正温度系数热敏电阻器)烧毁事件的发生。客户反映极其强烈,并提出索赔款要求,针对此事件,三方(承制方、PCB板OEM商、元器件供应商)经过几轮技术分析、沟通,有两种意见:器件选型有问题,耐压30VDC过低,应该选用耐压值更高的,器件失效的原因是由于设计时     

2011杭州量子物质国际学术研讨会成功召开

2011年4月10～13日,浙江大学物理系和浙江大学量子物质国际合作中心(ICCQM)举办了2011杭州量子物质国际学术研讨会——非常规超导和关联电子.本次研