关于仿射完备极大曲面的一个结果

x：M→A^n 1是一个局部严格凸的超曲面，由定义在一个凸域Ω包含于A^n的严格凸的函数xn 1=f(x1,…,xn)给出，作者引入Blaschke度量G=ρ∑(a^2f/axiaxj)dxidxj,ρ=[det(a^2f/axiaxj)]^-1/(n 2)，并讨论了关于度量G完备的仿射极大曲面的性质．     

基于自适应直线拟合的角点检测

角点检测是计算机视觉的一个基本问题，进行角点检测的关键是估算曲率。笔者给出了一种新的基于参考点的前后曲线方向估计的曲率计算方法。我们以离散点远离直线垂直距离误差最小为目标进行直线拟合，同时根据误差大小来自适应的选择拟合窗口的大小。很好地解决了角点曲率计算时拟合窗口大小和计算精度间的矛盾，实验证明，该方法抗干扰性好，且运算量不大，对于存在明显转折点的曲线角点有很好的检测和定位能力。     

三维Minkowski空间的Mannheim侣线

讨论了三维Minkowski空间中Mannheim侣线的曲率与挠率之间的关系,证明了Mannheim侣线的曲率与挠率满足的关系式.     

4种木麻黄亲缘关系的RAPD分析

应用RAPD枝术对普通木麻黄(Casuarina equiseti folia)，粗枝木麻黄(C.gluca)，细枝木麻黄(C．cunninghamaina)和滨海木麻黄(Allocasuarina littoralis)的亲缘关系进行分析，从40个引物中筛选出18个重复性好、稳定性高的有效引物．18个有效引物共扩增出690条DNA带，其中多态性条带318条，占总扩增条带的46．09％．对扩增出来的690条DNA带进行聚类分析，结果表明：木麻黄属(Casuarina)的普通木麻黄、粗枝木麻黄和细枝木麻黄的平均遗传距离为0．30，其中细枝木麻黄和粗枝木麻黄的遗传距离特别小，为0．19；而异果木麻黄属(Allocasuarina)的滨海木麻黄与其他3种木麻黄的平均遗传距离为0．65．RAPD聚类分析结果表明，4种木麻黄之间的亲缘关系与血清学和化学分类学的结果一致，说明RAPD分子标记技术适用于木麻黄植物的遗传多样性研究．     

Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级

基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度，结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”．n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒，三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i，是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。     

多曲方丝弓矫治技术的三维有限元分析

采用三维有限元法对后倾弯多曲方丝弓在四类牵引力作用下的矫治效果进行分析，在此基础上研究多曲方丝弓的整体力学特性，比较施加不同牵引力矫治的生物力学效果，揭示多曲方丝弓技术矫治特点。结果表明，无牵引力时，以第一、二前磨牙之间为界，多曲方丝弓矫治分别使前后牙向前后倾斜，且对前牙有压低作用；长Ⅲ类牵引时，对后牙的后倾作用有所增大，且传递力的性能比长Ⅱ类牵引好；Ⅱ类牵引力作用下的MEAW弓丝矫治对前牙有伸长作用，短Ⅱ类牵引对磨牙的伸长作用和对前牙的作用效果均小于长Ⅱ类牵引。因此，多曲方丝弓矫治技术有利于下颌Spee氏曲线的整平和牙齿的个别调控，对牵引力的传递作用强，同时对开拾错铪矫治有很好的效果。     

微段渐开线齿轮接触强度与弯曲强度的分析

介绍了微段渐开线齿廓形成过程，从理论上分析了微段渐开线齿廓以凹凸方式啮合时其曲率半径相等及其接触应力嘶很小的原因．同时通过有限元法分析了微段渐开线的弯曲强度，并与相同情形下的渐开线齿轮进行了比较，指出了微段渐开线齿廓的弯曲强度优于渐开线齿廓的原因．     

有限离散函数导数的几何和极限表现

通过引入最佳平均逼近直线 ,分别从几何直观和极限情形两个角度 ,研究了有限离散函数的导数概念的表现 .结果表明 ,在局部情况下 ,有限离散函数导数近似等于连续情形下的导数 .极限情况下 ,局部范围内一点处有限离散函数的导数就变成了常规情形下的导数 ,最小二乘线就变成了最佳平均逼近直线     

凸规划的内椭球法与原始-对偶仿射尺度算法

对线性约束的凸规划问题给出了一个原始-对偶仿射尺度算法，比较了这种方法与“内椭球法”两种算法的关系，并证明了该算法的迭代复杂性是O(nL^2)。     

Ga2Se3:Co2+光谱及Co-Se键长的研究

Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。