氮化物颗粒补强石英基复合材料的制备和性能研究

热压制备了氮化物颗粒补强石英基复合材料,研究了氮化物颗粒的引入对石英基复合材料力学性能、介电性能和热学性能的影响．结果说明,氮化物颗粒的引入对石英基复合材料的力学性能有显的补强增韧作用;介电损耗在指标值以内,且随测试温度变化不大;以AlN为第二相的石英基复合材料其临界热震温差在600℃左右,复合引入AlN Si3N4时复合材料的热学性能无明显改善,而复合引入AlN BN使复合材料的临界热震温差提高到1000℃．复合引入AlN BN的石英基复合材料因为有着较好的力学性能、介电性能和热学性能等综合性能而有望用作天线窗材料。     

复合金刚石薄膜的介电特性

利用热丝大面积金刚石薄膜气相合成（CVD）装备制备了复合金刚石薄膜，并对其表面和断面分别进行了扫描电镜（SEM），原子力显微镜（AFM）和Raman光谱表征，研究了该复合结构的介电性能，利用共振电路测量了高频下薄膜的介质损耗与频率的关系，结果表明，复合结构由普通多晶金刚石薄膜和纳米金刚石薄膜组成，薄膜的表层结构体现了纳 米金刚石的特征，复合金刚石薄膜不仅具有表面光滑的优点，介电性能也接近于常规的多晶金刚石薄膜，是一种较好的电子材料，可应用于金刚石薄膜半导体器件的制备。     

孔径可调的介孔磷酸铈的合成

采用中性表面活性剂十八胺为模板剂、硫酸铈为铈源，在水热条件下合成具有介孔结构的磷酸铈。通过X-射线衍射、透射电镜、高倍透射电镜和液氮吸附手段对介孔磷酸铈的介观结构、微观形貌和孔道结构进行了表征。结果表明，该材料是的有序的层状相介孔，层间距为2～3nm。产物主晶相为结晶性良好的单斜晶系的独居石磷酸铈，次晶相为正交晶系的磷酸铈。调整无机铈源与表面活性剂的摩尔比，实现磷酸铈介孔孔径在5.5～9.8nm之间可调。该介孔材料的最大比表面积高达113m²/g，孔体积为0.25mL/g。     

关于一阶导函数的连续性和介值性

本文对连续函数导函数的连续性、间断点及其种类进行了研究并给出了连续函数导函数介值定理的两种证明方法.     

SrCl2-H3B03-H2O体系中H3BO3介稳区性质的研究

利用激光法对SrCl₂-H₃B0₃-H₂O体系中硼酸结晶介稳区性质进行研究,得出了介稳区宽度、成核级数和溶解度性质,同时给出了该体系中硼酸的成核速率和溶解度方程,对介稳区规律给出了较为合理的理论解释。本文通过对SrCl₂-H₃B0₃-H₂O体系中H₃B0₃的介稳区性质的研究认为：该混合体系中的SrCl₂的存在会导致一个最宽介稳区产生,有利于实际生产的控制;成核级数的计算证明少量SrCl₂ 的存在不会干扰生产控制,不需要刻意去除;混合体系中SrCl₂的加入会降低硼酸的溶解度,且随着SrCl₂的浓度增加,硼酸溶解度降低的幅度增大。     

有序介孔氧化硅材料中的药物分子组装及缓释研究进展

从成功合成出像MCM-41、SBA-15这样的有序介孔氧化硅材料以来,此类材料已经发展成为一种新型药物控缓释载体材料;由于其具有无毒、比表面积和孔容巨大、孔道排列有序、孔径分布狭窄、水热稳定性高、生物兼容性好、制备中的结构调变技术成熟等特点成为药物控缓释领域的研究热点之一,越来越受到重视;介绍了药物分子在有序介孔纳米氧化硅材料的纳米孔道中的组装、控缓释研究的进展;集中介绍了影响药物控缓释行为的两个主要因素(有序介孔氧化硅材料的比表面积和孔道结构)对药物控缓释行为的作用;可为控缓释药物研究人员开发新型药物分子载体材料、药物分子组装技术及研究药物分子的控缓释行为提供参考和研究依据.     

链结构对聚偏氟乙烯介电性质的影响

对已商品化的粘弹、压电、介电联用谱仪进行改进,使其测试精度由1%提高到2‰。利用改进了的仪器对聚偏氟乙烯(PVDF)及偏氟乙烯(95)/氟乙烯(5)共聚物进行了介电性质研究,发现由于5%氟乙烯存在,致使共聚物较之PVDF,其链结构规整性降低,α型介电松弛消失,非晶松弛强度减弱,T_(?)升高3℃,局域松弛活化能增大5.8kJ/mol及松弛时间延长。     

介孔分子筛SBA-15负载的双亚胺镍催化剂的合成及乙烯聚合

应用新型介孔分子筛SBA-15为载体, 成功地对后过渡金属镍双亚胺催化剂进行了物理和化学负载, 并应用元素分析, 等离子体发射光谱(ICP), FT-IR和X射线粉末衍射(XRD)等对载体催化剂进行了表征. 乙烯聚合结果表明, 载体催化剂不仅具有镍双亚胺均相催化剂的高活性, 而且由于载体孔道效应生成了纤维状聚乙烯, 同时聚合物的分子量和分子量分布较均相催化剂有大幅度提高.     

Sb掺SnO_2的光电性质研究

基于密度泛函理论,我们研究了掺杂浓度为12.5%时Sb掺杂SnO2的电子结构和光学性质,包括能带结构、态密度、介电函数和光学吸收谱.掺杂后的SnO2材料的导电性得到了明显的增强,具有了半金属的性质;费米能级处能带细化,介电常数和光学吸收谱具有对应关系,光学吸收谱峰值发生了蓝移.     

Bi_(1.6)La_(0.4)Ti_2O_7薄膜的制备及性能研究

采用化学溶液沉积法在ITO基片上制备不同退火温度的掺镧钛酸铋Bi1.6La0.4Ti2O7(BLT)薄膜。研究了其结构、介电性能、漏电流密度与外加电压I-V关系曲线和光学带隙。XRD射线衍射测试结果表明,经500、550、600℃1 h退火后的薄膜的主晶相为烧绿石结构,无杂相生成,600℃时BLT薄膜衍射峰比其他两种温度的强。在1 kHz频率下测得的介电常数、损耗因子分别为114,3%;129,3%;194,6%。BLT薄膜的漏电流密度与外加电压关系曲线表明,BLT薄膜600℃的漏电流比550和500℃稍微减小。通过透射谱分析得到BLT薄膜的光学带隙几乎不受温度影响,均为3.7 eV。这些结果表明制备BLT固溶体薄膜较佳为退火温度600℃,具有较好的性能,在光电器件有良好的应用前景。