高储能密度电容器复合介质材料的研究

对高储能密度电容器复合介质材料作了研究。采用介电陶瓷／有机聚合物作复合介质材料的实验中，研究了复合材料的介电系数与组成成分的关系，研究发现，ε随陶瓷成分的增加而增大，并且存在一个临界组。     

石灰在拜耳法高压溶出—水硬铝石中的作用

对石灰拜耳法高压溶出－水硬铝石矿中的作用进行实验研究，实验证明采用管种工艺能降低碱耗和提高氧化铝溶出率。     

硫酸三甘肽的正电子寿命谱研究

配合时域介电谱方法用正电子湮没技术对硫酸三甘肽（ＴＧＳ）的铁电相变过程进行了测量，发现正电子寿命谱有两个较强的成份和一个很弱的成份，后者相应于正电子偶素，各分量在相变点附近很窄的温区出现奇异性质，对其起因作了解释     

木糖醇结晶的热力学特性

采用激光法测定了木糖醇在纯水、乙醇和甲醇-水混合溶剂中的溶解度以及在水中的超溶解度数据，确定了木糖醇水溶液的结晶介稳区，并考察了温度和溶剂组成对它们的影响，同时测定了木糖醇悬浮液的黏度以及木糖醇晶体的熔点和熔化焓．研究表明，木糖醇在纯水、乙醇以及不同配比的甲醇-水混合溶剂中的溶解度均随温度的降低而明显下降．在甲醇-水混合溶剂中，随着甲醇含量的增加木糖醇的溶解度亦明显下降．这为木糖醇工业结晶装置及生产线的设计、工程放大和工业结晶生产操作提供了理论依据．     

A位La和Dy替代Bi2O3-ZnO-Nb2O5陶瓷结构及介电性能的研究

研究了A位La,Dy替代对BZN基陶瓷结构和介电性能的影响.在替代量x≤0.2的范围内,La替代样品均保持单一的立方焦绿石结构;在x<0.15的范围内,Dy替代样品为单一的立方焦绿石相;当x=0.2时,结构中出现杂相.随着La、Dy替代量的增加,陶瓷样品的晶粒尺寸、密度和介电性能发生有规律的变化;低温介电弛豫峰的峰形逐渐宽化;La替代样品的峰值温度向低温方向移动,Dy替代样品的峰值温度向低温方向移动.与x为0.1、0.15和0.2相对应的La替代样品弛豫峰峰值温度tm分别为-95℃,-99℃,-104℃,Dy替代样品弛豫峰峰值温度tm分别为-96℃,-89℃,-85℃.     

用碱处理的ZSM-5沸石合成MCM-41型结构复合分子筛的研究

以现有的工业ZSM-5作为原料,采用碱处理ZSM-5的浆液或滤液作为硅铝源,与表面活性剂在水热条件下进行自组装得到具有微孔、介孔双孔分布的MCM-41型结构复合分子筛,并采用X射线衍射、N2吸附脱附、红外光谱等测试手段对合成的样品进行了分析表征,考察了主要合成条件对分子筛性能的影响.结果表明,根据ZSM-5碱处理程度的不同,采用浆液得到的样品可能含有少量ZSM-5沸石的晶粒,但随着碱浓度升高或碱处理时间的延长,ZSM-5沸石晶粒的量逐渐减少,而采用滤液合成的样品中不存在独立的ZSM-5沸石的晶粒.     

振动磨简体内部的能量传递规律

在对大量摄像实验反复观测和研究后发现:磨筒内的磨介存在抛射、整体回转和本身自转3种运动状态;磨介与筒壁的抛离与接触是沿着振动方向发生的,此过程是周期性的,其周期与振动周期相同．在此基础上,建立了粉磨介质冲量传递模型,探讨了振动磨简体内部的冲量传递、能量传输和能量耗散的分布规律,揭示了振动磨的粉碎机理．以此为理论依据,提出了减小磨筒内的惰性区、提高粉磨效率的途径．     

Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTi3x]O3-δ陶瓷微波介电性能研究

研究了添加B2O3的Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTi3x]O3-δ(0≤x≤0.2)(CLNT)陶瓷的微波介电性能.在整个组分范围内检测到单一的正交相.随着x从0增加到0.2,介电常数(k)将从30增至89,Qf值则下降到3820GHz,谐振频率温度系数(TCF)从-16×10-6/℃增加到22.4×10-6/℃.当B2O3添加1.0%时,CLNT陶瓷的烧结温度可以从1150℃降至970℃而不降低微波介电性能.940℃烧结后,x=0.1试样的微波性能为k=50,Qf=6500GHz,温度系数为-7.6×10-6/℃.     

用混合表面活性剂合成MCM-48介孔分子筛

在水热体系中研究了以混合非离子一阳离子表面活性剂为模板剂来合成MCM-48介孔分子筛的方法，考察了模板剂用量、晶化温度、晶化时间以及辅助模板剂TX-100用量等条件对分子筛合成的影响，并与用单一表面活性剂CTAB来合成的MCM-48介孔分子筛进行了比较。结果表明，以混合非离子一阳离子表面活性剂为模板剂来合成MCM-48介孔分子筛不仅晶化过程中不易发生转晶，而且还大大缩短了晶化时间，减少了模板剂用量，提高了产物的结晶度和稳定性。此外，辅助模板剂TX-100具有生物降解性，可减少对环境的污染。用盐酸来调节晶化后溶液的pH值，可提高分子筛的产率。     

(Ag0.9Na0.1)(Nb0.6Ta0.4)O3纳米粉体结构与介电性能

针对微波介质瓷料系统成瓷过程中介电损耗较大且成瓷温度较高的问题,采用湿化学法制备(Ag0.9Na0.1)(Nb0.6Ta0.4)O3粉体,并采用XRD、IR和TEM等分析方法进行表征.结果表明,800℃灼烧3h所得晶体为三方晶系,平均粒径为34nm.采用这种瓷粉在1060℃制得的瓷件,介电常数ε=508,介电损耗tanδ=4.6×10-4,温度系数αc=-440×10-6/℃,电阻率ρv>1012Ω·cm;当Nb∶Ta=0.7∶0.3,成瓷温度为950℃时,即可获得NPO温度特性.瓷件的介电性能优于固相法,且成瓷温度下降.