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以H-(CH2)n-CH=CH2和H-(CH2)n-C≡CH型同系物结构重复单元数值连续变化为模型,获得了描述该同系物凝聚型物理性质递变规律的数学表达式:P=(a0+a1n+a2n2)/(1+b2n2),式中a0、a1、a2、b2均为常数,n为结构重复单元数值,P为同系物的凝聚型物理性质。通过非线性回归分析,得到回归方程,结果表明同系物的凝聚型物理性质与重复结构单元数值之间满足上述关系式,并显示优良的相关性。 相似文献
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LaMnO3不同晶位掺杂的磁电阻效应 总被引:2,自引:0,他引:2
任清褒 《西安交通大学学报》2004,38(6):645-648,656
基于研究钙钛矿型氧化物磁电阻效应的目的,采用固相反应法制备了实验所需的单相多晶样品,主要就La位二价金属离子掺杂和稀土互掺及Mn位掺杂对LaMnO3磁电阻影响的实验结果作比较研究,发现La位稀土互掺对磁电阻的影响可以用晶格效应来解释,并明确指出La位和Mn位掺杂是提高和调制钙钛矿型锰氧化物超大磁电阻效应的一种有效途径. 相似文献
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断裂力学理论和应用对平面线弹性线裂缝问题已相当成熟,但对V型缺口(如混凝土坝坝踵)的研究还不很多.实际上当V型缺口的a=2π时(图1)即为线裂缝,因而研究V型缺口的应力和应力强度因子将更具有普遍意义.用常规有限元法虽也能求解,但要求网格分得很细,工作量很大,且不易掌握.文献[1]对此类问题曾有所研究,但没有给出应力强度因子的求法.亦有人提出用边界配置法求解,但边界条件复杂时实用性较差.本文对V型缺口应力及应力强度因子的计算做了一些探索,推导了缺口附近位移场,应变场和应力场的任意高阶级数表达式,并据此构造了能反映V型缺口应力奇异性的扇形奇异单元. 相似文献
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根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法. 相似文献