2－烷氧甲酰基双环［2，2，1］－5（6）－庚基丙烯酸酯的合成与共聚研究

探索了２－烷氧甲酰基双环［２，２，１］－５（６）－庚基丙烯酸酯的合成条件和它与甲基丙烯酸甲酯（ＭＭＡ）及丙烯腈（ＡＮ）共聚反应的竞聚率，测得它们的ｒ＿１和ｒ＿２分别为２．３１与２．４４和０．８３与０．０２。     

长江下游陆生等足目研究（Ⅲ）

报导宜兴陆生等足目共６种，分别隶属４个科、５个属，其中三刺湖蟑螂Ｌｉｇｉｄｉｕｍｔｒｉｓｐｉｎｏｓｕｓｓｐ．ｎｏｖ．和列齿鼠妇Ｐｏｒｃｅｌｌｉｏｓｅｅｒａｔｕｓｓｐ．ｎｏｖ．两种为新种，并对其形态特征进行详细描述．     

关于椭圆型问题的多子域重叠型区域分解算法

用比较一般的有限元（包括众多非协调元）解二阶自共轭椭圆型问题的重叠型区域分解算法，本文证明只要离散格式满足一定的条件，该算法具有几何收敛性，同时详细讨论了子域划分、收敛因子、内含预处理器、网格参数之间的关系。     

四个杂交粳稻的蛋白质、赖氨酸、直链淀粉含量和MDH活性测定

本文分析比较了正在大面积推广种植的杂交粳稻寒优１０２７以及３个新选育的杂交粳稻８优１６１、寒优１９５和寒优３５６的蛋白质含量、赖氨酸含量、赖氨酸相对合量、直挂淀粉含量和苹果田脱氢酶（ＭＤＨ）活性．结果显示了３个新选育的杂交粳稻分别在不同的方面胜过对照寒优１０２７．寒优１９５的直链淀粉合量（１２．１％）明显低于对照寒优１０２７（１７．０％），赖氨酸的相对合量（３．６８％）高于对照寒优１０２７（３．１８％），统计分析两方面的差异都达极著水平（Ｐ＜０．０１）；８优１６１的蛋白质含量（９．６９％）比对照寒优１０２７（８．７８％）高１１．１％，统计分析差异达极显著（Ｐ＜０．０１）；寒优３５６４白质含量（９．１５％）比对照寒优１０２７高．出５．５％，两者差异也达极显著（Ｐ＜０．０１），而且寒优３５６在苗期的ＭＤＨ活性高于对照寒优１０２７，统计分析两者差异显著（Ｐ＜０．０５），这表明寒优３５６在生长后期的每生日穗总粒数，每穗实粒数和每实粒重可能会超过对照寒优１０２７．建议有关部门在今后的水稻生产中，可根据各自不同的需要，推广利用不同的杂交粳稻．     

钐与邻菲罗啉及联吡淀配合物的合成与性质研究

本文报道了稀土元素钐与１，１０－邻菲罗啉和２，２＇－联吡啶反应所形成的固态三元配合物，并通过元素分析、红外光谱和紫外光谱对配合物进行了表征，研究了配合物的摩尔电导、差热－热重等方面的性质．     

_n型Hecke代数的一个不可约复表示

设Ｗ＝（Ｗ，Ｓ）是型仿射Ｗｅｙｌ群，Ｈ和分别是型的Ｈｅｃｋｅ代数和扩充Ｈｅｃｋｅ代数．由Ｗ中合ｓ０ｓ１的双边胞腔的分解，可以得到一个Ｗ－图τ．文中讨论了与τ相应的的复表示为平方可积（相应地，反平方可积，调合与反调合）的充要条件，以及与τ相应的Ｈ的复表示为不可约的充要条件，最后，得出与的不可约复表示相对应的代数簇（ＳФ，ＮФ）由２ｎ个孤立点组成．     

Ni，Cu间的相互作用及其对CO加氢反应性能的影响

本文采用ＸＲＤ，ＴＰＲ，ＴＰＤ－ＭＳ，ＴＰＳＲ－ＭＳ和ＩＲ技术，研究了负载于ＳｉＯ＿２担体上的Ｎｉ，Ｃｕ间的相互作用以及所引起的ＣＯ加氢反应性能的变化。实验结果表明，双金属Ｎｉ和Ｃｕ之间可以很好地形成合金，Ｃｕ的４ｓ电子迁入Ｎｉ的３ｄ轨道的电子效应，使双金属催化剂对Ｈ＿２和ＣＯ的吸附能力有别于单金属Ｎｉ，Ｃｕ催化剂；ＣＯ加氢在Ｎｉ中心上按“表面碳”机理生成烃类，在Ｃｕ中心上通过ＨＣＯ＿（ａ）活性中间物生成醇类，Ｎｉ和Ｃｕ的合金化则有利于Ｃ＿２以上的物质生成。     

聚2，5－二甲氧基苯胺薄膜电极对儿茶酚的电催化作用

研究了电化学方法制备的聚２，５－二甲氧基苯胺薄膜电极（Ｐ２５ＤＭＡｎ／Ｐｔ）对水溶液中儿茶酚的电催化作用，以及影响催化作用的主要因素，结果表明，在酸性较强的水溶液中，在较充的浓度范围内（儿茶酚的浓度为１×１０￣－１～５×１０￣－５ｍｏｌ／Ｌ）均有很好的电催化作用，催化电流与儿茶酚浓度呈良好的线性关系。     

一种有效的性能驱动布图算法

提出了一种有效的性能驱动布局和布线算法。算法自始至终考虑互连线延时对芯片时间性能的影响，以优化芯片时间性能为主要布图目标，并兼顾布线均匀和连线总长最短。算法利用选定的单元、互连线延时计算模型以及关键路径识别算法对整个芯片进行动态的延时分析，并由此得出线网（亦称互连线）权重信息以指导迭代改善布局和布线，达到优化芯片时间性能的目的。运行实例表明本算法是正确、有效的。     

高频二极管掺金、掺铂和12MeV电子辐照性能的研究

对高频二极管掺金、掺铂和１２ＭｅＶ电子辐照试验结果进行了对比分析研究．实验研究结果表明：掺金器件有最佳的ＶＦ～ＴＲＲ折衷曲线，但高温特性却最差；掺铂器件有最佳的高温特性，但ＶＦ～ＴＲＲ折衷曲线却最差；全面衡量器件各参数，１２ＭｅＶ电子辐照最有利于器件参数的最佳化．据此，提出了不同类型的高频二极管少子寿命控制技术的优选方案．