Bola型席夫碱化合物的间隔基效应及酸致变色研究

以水杨醛与芳香胺经席夫碱缩合反应合成系列具有不同取代位置芳香间隔基的Bola型席夫碱化合物。通过核磁共振、元素分析等手段对化合物的结构进行表征。利用紫外光谱和红外光谱研究了目标产物的间隔基效应和酸致变色性能。研究数据表明,随间隔基取代位置的变化,席夫碱分子中的电子分布和共轭结构发生了明显的改变,导致其光谱性质表现出显著的差异。由于在溶液与浇铸膜中组装模式的不同,化合物的酸致变色的程度表现出明显的不同,在功能材料等领域具有广泛的应用价值。     

CTV衍生物合成及光谱性质研究

合成了一系列碗状CTV衍生物,用紫外和荧光光谱考察了它们的光谱特征.结果表明:随烷基碳原子数增加,CTV衍生物成笼和脱烷基反应的产率都降低;CTV和羟基CTV的荧光及紫外吸收比乙基CTV、丙基CTV明显红移;另外,羟基CTV的紫外荧光光谱随溶剂极性增大出现显著红移,而烷基取代CTV的光谱变化不明显.     

木薯淀粉制备羟丙基淀粉研究

以木薯淀粉为原料,乙醇/水为溶剂,考察了活化催化剂用量、反应温度、加料速度、环氧丙烷用量,反应时间等因素对合成羟丙基淀粉取代度的影响.在选定的实验条件下,产品的摩尔取代度(MS)为0.086.     

双互易杂交边界点方法求解Helmholtz方程

提出了一种新的边界类型无网格法——双互易杂交边界点方法,它将杂交边界点法和双互易法结合,来求解Helmholtz方程.该方法将Helmholtz方程的解分为通解和特解两部分,通解使用杂交边界点方法求解,特解则利用径向基函数近似.该方法只需要边界上离散的点,域内少数的点仅仅是为了径向基函数插值.通过数值算例对影响该方法性能的参数进行了研究.数值算例表明,该方法在求解Helmholtz方程时有较高的精度和数值稳定性.     

8 -取代喹哪啶的合成与晶体结构

2-取代苯胺与巴豆醛反应合成了5种8-取代喹哪啶.讨论了反应因素对反应的影响,得到了较好的结果.8-取代喹哪啶的结构经1HNMR和MS分析确证,并用单晶X-射线衍射测定了化合物Ⅰa和Ⅰb的晶体结构.化合物Ⅰa晶体属正交晶系,空间群为Pca21,晶胞参数为:a=1.279 61(9)nm,b=0.506 60(4)nm,c=1.311 81(9)nm,Z=4,V=0.850 38(11)nm3,Dc=1.387 g/cm3,F(000)=368,R1=0.028 8,wR2=0.073 1,S=1.01;化合物Ⅰb晶体属单斜晶系,空间群为P21/c晶胞参数为:a=0.504 40(17)nm,b=1.346 7(4)nm,c=1.339 1(4)nm,β=97.678(4)°;Z=4,V=0.901 4(5)nm3,Dc=1.636 g/cm3,F(000)=440,R1=0.071 1,wR2=0.195 1,S=1.09.选择合适溶剂和添加剂,反应收率较文献值有较大提高.     

亲水作用毛细管电色谱分析苷类药物的研究

基于多面体寡聚硅倍半氧烷-甲基丙烯酸羟乙酯poly(POSS-MA-co-HEMA)有机硅胶杂化整体柱,建立典型苷类药物(连翘苷、豆腐果苷、紫丁香苷、天麻素)的亲水作用毛细管电色谱检测技术.考察流动相乙腈比例、缓冲液浓度、缓冲溶液p H值、分离电压和反压阀压力对四种苷类药物分离效果的影响,在最优条件下(流动相为2 mmol·L-1磷酸三乙胺缓冲液(乙腈体积分数为90%,p H=7.0),分离电压-8 k V、柱压力5.4MPa),4种苷类药物在10 min内得到了基线分离.连翘苷、豆腐果苷、紫丁香苷和天麻素线性范围分别为10~200、25~200、15~200和25~200μg·m L-1,检测限为1.5~8.0μg·m L-1.应用于血清模拟样品分析,平均回收率为95.6%~99.1%,相对标准偏差小于3.3%.     

实数集R上几个常见拓扑的比较

给出了实数集R上的7个子集族,并证明它们是R的拓扑基,决定了R上7个不同的拓扑,同时还对这些拓扑进行了比较,得到它们之间粗细的确定关系.     

高速公路水泥搅拌桩加固技术的地表沉降观测试验研究

本文结合水泥搅拌桩在高速公路软基处理中应用,对选定路基断面进行了地表沉降试验观测分析。试验结果表明水泥搅拌桩对软基的加固效果明显,沉降观测试验仪器选定及方案具有可行性。     

NiCoCrAlYTa粘结层与镍基高温合金基体的界面高温互扩散行为

采用真空等离子体喷涂技术(vacuum plasma spraying, VPS)在镍基高温合金GH3128基体表面沉积NiCoCrAlYTa粘结层,并在1 100 ℃进行不同时间的热处理。采用扫描电子显微镜（scanning electron microscopy,SEM）、能谱仪（energy dispersive spectrometer,EDS）等分析NiCoCrAlYTa粘结层与GH3128高温合金界面元素的互扩散行为。结果表明,在热处理过程中,互扩散区(interdiffusion zone,IDZ)和二次反应区(secondary reaction zone,SRZ)的厚度随着热处理时间延长而增大,且在SRZ中明显观察到拓扑密堆(topological close-packed,TCP)相晶粒的生长。Al、Ta、Co元素由NiCoCrAlYTa粘结层向GH3128高温合金扩散,Ni、W、Mo元素由GH3128高温合金向NiCoCrAlYTa粘结层扩散。依据EDS检测的粘结层/基体界面处元素成分,计算出上述元素在界面处的扩散系数,掌握了各元素在高温热处理过程中的扩散速率,揭示了VPS制备的NiCoCrAlYTa粘结层与GH3128高温合金界面处元素在高温下的互扩散规律。     

基函数的阶数对无单元伽辽金方法精度的影响

无单元伽辽金(Element-Free Galerkin)方法是无网格方法中很重要的一种数值计算方法,利用无单元伽辽金方法求解二维稳态热传导方程,当选取基函数为线性基、二次基时,分别将数值解和解析解对比,分析了基函数的阶数对无单元伽辽金方法精度的影响,并说明无单元伽辽金方法是一种高精度的数值计算方法 .