解线性方程组的子空间直交基裂分法

 提出了一种解线性方程组的新方法,目的在于降低方程组的阶数进行计算,比Schur算法在计算量方面大为减少,特别对阶数越高稀疏性越强的方程组计算量的减少越为显著,并且该方法的算法比较简单,是一个有效的算法,在实用和理论上都有一定意义;最后在计算机上举数值例子与Schur方法进行比较.     

五阶带形状参数的B样条曲线

给出了五阶带形状参数的均匀B样条基函数，使五阶均匀B样条基函数成为它的一个特例．由带形状参数的五阶均匀B样条基构成的样条曲线，可通过改变形状参数的取值而调整曲线的形状，并且可以调整曲线接近其控制多边形的程度。     

烷氧基取代对聚萘乙炔电导率的影响

合成了5种烷氧基取代的聚萘乙炔，研究了烷基取代对电导率的影响，发现了电导率随取代基的增长而增大，当烷氧基的碳数超过4时，电导率开始下降。     

HLB值及其在乳液聚合研究中的应用

文章介绍了表面活性剂的亲水亲油平衡值(HLB值)的概念、获取方法，并介绍了其在乳液聚合研究中选择乳化剂及控制复合乳化剂配比用量方面的一些应用。     

从噻吩合成3-(3-噻吩酮)噻吩

以噻吩作为起始化合物，经溴化、去α—溴、卤素—有机金属锂置换、酰化、羟基加成、氧化等6步反应，制备得到3—(3—噻吩酮)噻吩，总产率20％。3—(3—噻吩酮)噻吩是合成低能隙聚合材料聚合双噻吩芴酮PCDT、氰PCDM的重要原料。     

取代芳烃化合物电子结构与其对发光菌毒性关系的研究

应用量子化学半经验的MNDO方法计算了40个取代芳烃化合物的电子结构，探讨了化合物电子结构与其对发光菌毒性的关系．结果表明：(1)当化合物的分子极化度P、分子体积V、疏水参数logP较大时具有较大的水溶性和脂溶性，因而化合物的毒性较大；(2)当最高占据轨道(HOMO)能级和最低空轨道(LUMO)能级较低时，化合物容易接受电子具有较大的氧化性，取代芳烃的毒性也随之增大；(3)取代基的吸电子能力越强，吸电子基个数越多，苯环的正电性越大，化合物的毒性越大．得到的QSAR方程为：-logEC50=-2．230 O．202P-0．366EHOMO，据此可预测取代芳烃化合物对发光细菌的毒性．     

β—酯基丙基三氯化锡与中性配体配合物的合成

利用β－酯基丙基三氯化锡中性配体氧化吡啶、吡啶、２，２’－联吡啶、１，１０－菲唾骂林等反应合成了１０个配合物，通过元素分析，ＩＲ、ＵＶ、Ｈ、ＮＭＲ等表征了其结构     

CeO2掺杂的SnO2基材料的气敏特性￣①

报道ＣｅＯ２掺杂的ＳｎＯ２基敏感材料的制备及其气体敏感性能的研究，结果表明，含５％ＣｅＯ２和Ｓｉｏ２的ＳｎＯ２基敏感元件在低温下对ＣＯ具有最高的灵敏度和良好的选择性。此外，对ＣｅＯ２掺杂的ＳｎＯ２敏感元件，在合适的ＣＯ浓度范围内所呈现的一种自振荡现象进行了讨论     

新型心肌显像剂^99mTcN—TBI的初步研究

在成功制备了（＾９９ｍＴｃ〈Ｎ）＾２＋核的基础上，通过配全交换反应制得放化纯大于９５％的＾９９ｍＴｃＮ－ＴＢＬ＾９９ｍＴｃＮ－ＴＢＩ在制备后室温放置９ｈ放化纯不变，分配系数Ｐ＝５０．５２小鼠实验结果显示：＾９９ｍＴｃＮ－ＴＢＩ，＾９９ｍＴｃＮ－ＴＢＩ和加叶温－８０的＾９９ｍＴｃＮ－ＴＢＩ（Ｔ）有明显不同的生物分布，特别是＾９９ｍＴｃＮ－ＴＢＩ（Ｔ）的早期肝摄取低，在静注后５ｍｉｎ心肝比为１．１５，     

过渡金属与席夫碱及邻菲罗啉配合物的合成表征

合成了N-亚水杨基丙氨酸席夫碱及其与过渡金属Cu（Ⅱ）、Zn（Ⅱ）、Ni（Ⅱ）和邻菲罗啉的三元混配配合物。用元素分析、摩尔电导、红外光谱、紫外光谱和差热热重分析对其性质进行了表征.