下一代网络过渡中安全问题的研究

本文阐述了IPv4和IPv6的主要的过渡技术,对IPv6取代IPv4期间网络可能存在的各种安全问题进行了具体的研究和分析,特别是重点地研究了过渡所用主要技术与网络中所采用的安全技术存在的不匹配问题。     

高电压虚火花电子束的发射度和亮度测量

用脉冲线加速器作驱动电源 ,在充以 15Pa的氮气十隙虚火花放电室中获得电压为 2 0 0kV ,束流大于2kA的高亮度电子束 .用罗格斯基线圈和多缝板与酸敏纸薄膜构成的发射度计 ,测出距阳极不同距离电子束的电流强度 ,发射度及亮度 .电子束亮度在阳极附近最大达到 2 7× 10 12 A/(mrad) 2 ,在距阳极 16cm处仍高于 10 10 A/(mrad) 2 .     

星空背景下空间碎片的图像仿真研究

为验证针对空间碎片的探测器的搜索跟踪算法,在对空间碎片的亮度进行详细计算的基础上,提出了利用STK、Matlab、3dmax等多软件平台制作仿真图像,供遥感探测器半物理仿真系统使用的方法.应用表明,这种仿真图像能准确地模拟目标特性变化和空间星空背景,图像产生过程对硬件依赖性小,对整个探测器研制过程中的各个节点所作的仿真验证,都能提供相应的特征图像,通用性好,便于广泛推广.     

吉赫兹横电磁波传输室连接头的优化设计

吉赫兹横电磁波(GTEM)传输室在电磁兼容测试领域应用广泛。GTEM传输室过渡连接头对GTEM传输室性能的影响较大。过渡连接头连接同轴传输线与GTEM传输室主体,是从圆形同轴传输线过渡到矩形同轴线的转换部件。如果过渡连接头处存在结构不连续,使其特性阻抗与GTEM传输室不匹配,将会引起电磁波反射和激发高次模现象,降低传输室的传输性能。根据GTEM传输室的技术要求,以传输系统阻抗连续为原则,对过渡接头内导体外表面和外导体内表面的形状进行同时设计,使内导体外表面与外导体内表面光滑过渡,过渡接头的特性阻抗与系统匹配。对前后端分别与标准同轴线和斧形件相连接部位进行结合设计,保证连接表面光滑,尽量降低突变。根据设计计算数据,通过设计软件SolidWorks对过渡接头构造精确三维模型。将三维模型导入电磁软件HFSS进行仿真测试。这样,对保证过渡接头特性阻抗恒定提供了一种有效的设计方法;可以将构建的数学模型直接导入电磁仿真软件,以便进一步分析;也可以将内、外导体三维结构数模导入数控机床加工,保证内外导体表面的精度要求。     

沉淀法制备氧化铝的相变过程

为获得沉淀法制备氧化铝的相变过程及微观形貌,将NaOH溶液与AlCl3溶液混合,在pH值6～9内,制备三羟铝石,将其加热到1 200℃获得了氧化铝粉体。经TG-DTA、XRD、FTIR光谱、SEM等测试手段分析,300℃煅烧后获得了单水铝石,然后依次获得γ-Al2O3、δ-Al2O3、θ-Al2O3过渡相,并且在1200℃煅烧后获得了纯相α-Al2O3。TG-DTA表征,粉体在273℃脱水显著,在1000℃后θ-Al2O3向α-Al2O3形核并长大,需要较大激化能而放热,1 200℃煅烧后FTIR透过光谱表征α-Al2O3的典型的AlO6八面体结构引发形成640～590 cm^-1的两个吸收峰。制备的三羟铝石呈亚微米的团絮状,而纯相α-Al2O3呈现亚微米的聚集体颗粒形貌。这为改进陶瓷性能提供工艺参数依据。     

从免费报纸看纸质媒体的发展趋势

当今纸质媒体多因读者流失而陷入经济困境,关于纸质媒体行将灭亡的预言也尘嚣甚上。然而在这一派低迷中,世界各国涌现出的免费报纸异军突起,在销售量上创造了惊人的奇迹。以免费报纸为代表的免费纸质媒体终将会取代付费纸质媒体,成为电子媒体一统天下前的过渡媒体。     

3d过渡金属离子注入锐钛矿TiO_2第一性原理研究

用金属离子注入方法在锐钛矿TiO2薄膜中掺杂3d过渡金属(V,Cr和Fe)离子,采用全势线性缀加平面波(FP-LAPW)方法计算3d过渡金属离子掺杂后锐钛矿TiO2的电子结构,通过紫外-可见吸收光谱测试方法检测3d过渡金属离子注入对TiO2薄膜吸收光谱的影响.实验结果和理论计算表明,离子注入后,锐钛矿TiO2薄膜带隙宽度变小,V,Cr和Fe离子的3d态在紫外-可见吸收光谱的红移中起关键作用.     

过渡金属离子对介孔氧化硅粒子大小的影响

目的:考察过渡金属离子对表面活性剂诱导模板法合成的介孔氧化硅粒子大小的影响.方法:通过合成过程中加入不同浓度的Cr2+,Ni2+,Cu2+和Fe2+离子,制备不同粒径的介孔氧化硅.结果:通过X射线粉末衍射仪(XRD)确定所合成的氧化硅的介孔结构;通过透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)观测合成的介孔氧化硅的形貌和粒子大小.结论:通过表面活性剂诱导模板法所合成的氧化硅具有有序的介孔结构,过渡金属离子的添加,使介孔氧化硅粒径变小,并且,随过渡金属离子浓度的增加,介孔氧化硅的粒径更小.同时,过渡金属离子的引入,还使介孔氧化硅粒子的表面粗糙度发生改变.     

过渡金属与2-水杨醛缩氨基苯酚、乙醇的合成与表征

报道了配体2-水杨醛缩氨基苯酚和乙醇分别与铜(Ⅱ)、锌(Ⅱ)、镍(Ⅱ)、钴(Ⅱ)、锰(Ⅱ)等过渡金属的三元配合物合成,并对它们进行元素分析及紫外光谱、红外光谱和摩尔电导等表征.结果表明,配体在形成配合物时呈平面四方型配位,过渡金属离子的d电子构型不同导致了荧光性质的差异.     

交叉极化阻抗电器的特性分析

对距离保护中交叉极化阻抗继电器的工作特性进行了详细分析,说明了交叉极化阻抗继电器在消除过渡电阻影响方面的特殊性能,并提出了一种交叉极化电压的具体构成方法。