NaI(Tl)晶体的性能研究

利用蒙特卡罗方法,模拟能量为140KeV的γ射线在NaI(Tl)晶体中的闪烁过程及不同厚度不同包装下闪烁光的空间分布,得出点光源模型对于晶体出光平面上闪烁光强分布是适用的结果.模拟表明,NaI(Tl)与包装之间的界面粗糙时比光滑时空间分辨更好;闪烁中心离出光面越近位置分布越窄,且晶体厚度11mm时光产额最大.     

C／O比测井用中子管的研制

报道了外型直径４８ｍｍ，长２００ｍｍ的圆柱型陶瓷体石油测井用中子管的研制．该管在２０ｋＨｚ的脉冲电压下工作正常，产额最高可达５×１０８ｎ／ｓ，寿命在２５０ｈ以上．     

S20光电阴极光谱响应特性的理论研究

该文根据光电阴极的量子产额谱，导出了光谱响应Ｓ（λ），通过选择合适参数，计算的Ｓ２０光谱响应曲线与实验基本吻合。该文也分析了阴极厚度Ｄ，阴极结构参量Ｐ，光电阴极光谱响应截止波长λ＿ｊ和光电子逸出深度Ｌ对Ｓ（λ）的影响，认为Ｄ、Ｐ和λ＿ｊ是决定Ｓ２０阴极性能的主要因素。     

离子束溅射沉积薄膜技术概述

离子束溅射技术是近些年发展起来的制备高质量薄膜的一种非常重要的方法，它具有其它制膜技术无法比拟的优点，在制膜过程中，由于沉积速度慢，膜的厚度及质量容易控制。目前国内对这方面研究和介绍甚少。本文主要介绍离子束溅射技术的原理、基本规律及应用前景。     

BGO晶体的性能研究

利用蒙特卡罗方法,模拟不同能量的γ射线在BGO晶体中的闪烁过程及不同厚度不同包装下闪烁光的空间分布,发现点光源模型对于晶体出光平面上闪烁光强分布是适用的.模拟表明：BGO与包装之间的界面粗糙时比光滑时空间分辨更好;闪烁中心离出光面越近位置分布越窄,且晶体厚度为4 mm时光产额最大.     

双低频超声辐射对碘化钾溶液碘释放量影响的研究

用碘释放分析了２４ｋＨｚ,３１ｋＨｚ超声的声化学产率随声强的关系,进而研究了由２４ｋＨｚ与３１ｋＨｚ喇叭型及２４ｋＨｚ喇叭型与３１ｋＨｚ阶梯形变幅轩组成的相向辐射系统的声化学产额．结果表明,双频辐射增强的声化学产额与辐射端面积有关,本文对此现象给出理论解释．     

用单光电子脉冲幅度刻度方法测量钨酸铅晶体发光产额

钨酸铅晶体的发光产额很低，用通常的方法测量其发光产额会引入较大误差。本文介绍了用单光电子脉冲幅度刻度方法对ＰｂＷＯ４发光产额进行测量，可以在实验室条件下利用常见放射源得到的比较准确的结果，并给出了用此方法对几种ＰｂＷＯ４样品的发光产额进行测量的实验结果。     

医用电子加速器中的光中子产额计算

计算了电子加速器中不同能量的电子垂直入射到钨靶和金靶上时的光中子产额。采用 Monte Carlo 程序EGS4对电子光子簇在靶中的输运进行模拟 ,计算出光子在靶中的径迹长度 ,从而求出光中子产额。对电子加速器钨靶和金靶中的光中子产额进行了计算 ,得到了电子加速器中光中子产额随打靶电子能量变化的规律及随靶厚度变化的规律 ,为加速器靶和屏蔽系统的设计提供依据 ,并为计算光中子的剂量分布和复合靶中的光中子产额奠定基础     

用MCNPX计算ADS金属靶散裂中子产额及散裂源中子效率

为了分析加速器驱动系统（ADS）中质子束能量对金属靶散裂产生的中子产额及靶内中子能谱、靶表面的泄漏谱的影响,利用MCNPX对ADS的重金属铅靶、钨靶在不同能量的质子束轰击下的中子产额、中子能谱及靶表面的中子泄漏谱进行了模拟计算,与国际上其他研究机构的模拟结果进行了比较,结果相近.并对铅靶、钨靶的中子产额及泄漏谱进行比较,模拟结果是钨靶的中子产额较铅靶的中子产额大但中子泄漏谱计数较铅的小.结合MCNP5还对一个次临界基准体系中散裂源中子相对于裂变中子的效率进行了计算.