CaCl2的水解反应对固态SiO2显微特征的影响

利用扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)等手段,并结合热力学理论计算,研究了浸泡在1173 K温度下脱水不完全的CaCl2熔盐中的固态SiO2圆柱样显微特征变化及其原因,初步分析了CaCl2盐的水解反应对固态SiO2电解特性的影响.结果表明,未严格脱水操作的CaCl2盐很容易高温水解,生成的CaO在熔体中的活度只要不低于0.001,即可与SiO2逐级形成CaO·SiO2(CS)、3CaO·2SiO2(C3 S2)和2CaO·SiO2(C2 S)等多种硅酸盐,导致圆柱体外表面的形貌、结构发生较大变化;圆柱体内部渗透进入的熔盐中CaO含量低,形貌变化较小.外表面硅酸盐层的存在使仅内置阴极集流体的固态Si O 2圆柱体电解还原速度减慢和难度增加.     

模拟法描绘静电场实验的数据处理

在用水做电介质的静电场描绘实验中,如果用直流电源,理论值和实验值偏差较大;如果用交流电源,理论值和实验值则吻合较好。自制了静电场测试仪器并进行实验测试,分析了误差产生的原因,提出了根据实际情况对理论值进行修正的方法。结果表明,采用本文提出的静电场测试仪和修正方法,可以使理论值和实验值较好地吻合。     

FTW150K高比容钽粉研制钽电容器电介质膜形成工艺的研究

研究FTW150K高比容钽粉研制钽电解电容器电介质膜的形成工艺.用例试方法分析,讨论在容量、损耗参数引出难和形成工艺不稳定条件下,钽电解电容器的形成电压、形成电流及形成温度等对电介质膜的影响.结果表明,形成致密的电介质氧化膜是容量引出的关键,当形成电压为额定电压的4～5倍、形成电流为1.76μA时为该实验的最佳工艺条件.     

不同电解液中钛合金电解等离子体抛光的对比分析

利用粗糙度仪、激光发射率测试仪、光学及电子显微镜等设备,对不同电解液体系中得到的钛合金试样表面的粗糙度及形貌进行了分析.结果表明:配方4电解液体系中得到的试样表面最为平整、镜面效果最好;配方1、2、3处理得到的膜层表面粗糙度也有较大的改善.     

微细电解加工的机理及实验

为研究微细电解加工的基本规律,根据电解加工的基本原理,建立了以电容模型为基础的数学模型.采用高频窄脉冲电源,电解加工主要是以暂态加工为主要过程,电容模型能够较准确地描述脉冲电解加工,对脉冲电解加工提供了公式依据.通过基础实验研究,得出加工间隙随着脉冲频率的提高而减小,加工电压越大加工间隙也越大,浓度低加工间隙也减小的结论以及带螺旋槽的电极排屑效果比圆形的效果更加快速.     

微细电解加工超窄脉冲电源的研发

超窄脉冲电源是实现微细电解加工的关键技术.本文设计了一种新型双路微细电解电源,包括超窄脉冲的产生和功放、加工过程中检测电路以及对脉冲电源保护的电路等,并能减小脉间期间的极化.通过基于超窄脉冲微细电解铣削加工试验,证实了该电源在微细电解加工的可行性.     

阳极Ta/Ta2O5的薄膜曲界面结构特征及形成机理

采用电化学方法制备了钽电解电容器阳极.通过场发射扫描电镜和理论分析对钽阳极断面的曲面结构特征及其形成机理进行了研究.研究结果发现Ta/Ta_2O_5的薄膜曲界面存在间隙层(1nm),该间隙层为氧空位及其缺陷离子迁移所致;曲面结构的应力模型表明曲面薄膜界面的电化学生长过程生产缺陷浓度高于平面系统,讨论了钽电解电容器曲面薄膜的形成过程对电场应力畸变屏蔽的机理.     

大功率风电机组用轴承钢中非金属夹杂物特征及来源分析

采用非水溶液电解法萃取大功率风电机组用轴承钢轧材中的非金属夹杂物,结合SEM和EDS分析,对夹杂物的形貌、尺寸、成分及类型进行表征,并分析其可能来源。结果表明,该风电轴承钢轧材中非金属夹杂物主要包括Al-Ca-Si-Mg系氧化物和Al-Ca-Si-Mg系硫化物两大类;在钢中T[O]含量仅为0.0007%时,仍存在以SiO2为主的Al-Ca-Si-Mg系大型夹杂物。     

低温电解条件下铝电解用NiFe_2O_4-10NiO基金属陶瓷阳极Fe元素腐蚀行为研究

采用粉末冶金技术制备出铝电解用NiFe2O4-10NiO陶瓷基体和30(40Cu-Ni)/(NiFe2O4-10NiO)金属陶瓷阳极,并在低温电解条件下,对NiFe2O4陶瓷相中Fe元素的腐蚀行为进行研究。结果表明,在烧结过程中,NiFe2O4尖晶石陶瓷基体会在氮气中发生离解,在动态化学腐蚀试验和电解试验中,陶瓷相中的Fe元素更容易进入电解质;电解24h后,铝液中Fe、Ni、Cu的含量分别为0.45%、0.13%和0.03%。     

8-羟基喹啉修饰电极测定铜的研究

本文研究了Cu(Ⅱ)在8-羟基喹啉修饰玻碳电极上的阳极溶出伏安特性。电极过程为不可逆过程。当底液为0.1MHAc-0.1MNaAc溶液,预电解电位为-0.6V(Vs.Ag-AgCl)时,铜的阳极溶出峰高比未修饰的纯玻碳电极提高约5倍。检出限可低至0.05ng/ml.150倍Cu(Ⅱ)浓度的Fe3+、50倍的Zn2+、Mn2+、Cr3+、Tl+,25倍的Co2+、Sn2+、Ni2+、Bi3+、Pb2+,5倍的Sb3+、Cd2+和2倍的Hg2+对铜的溶出峰不影响。本法测定了尿铜,对4ng/ml的Cu(Ⅱ)测得