AlGaAs／GaAs单片集成激光发射机

报道一种新型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ单片集成激光发射机。这种器件利用液相外延生长中的伴生高阻层，解决了半导体激光器与场效 晶体管驱动电路的工艺共容性问题，具有场效 晶体管与激光器结构同时形成且二者表面自动找平、制作简单的优点。     

枸橼酸镓－67注射液制备方法的研究

利用９Ｍｅｖ的氘核轰击以铜为衬底的镀锌靶，由核反应６７（ｄ，２ｎ）６７（ｄ，２ｎ）６７Ｇａ产生６７Ｇａ，其产额为３．８１ＭＢｑ／（μＡ·ｈ）．用异丙醚溶剂萃取法分离出无载体、高纯度的６７Ｇａ，并制得枸橼酸镓－６７注射液。在ｌｍＬ注射液中，杂质元素Ｚｎ，Ｃｕ，Ｆｅ和Ｔ＿ｉ的含量分别为０．６４μｇ，０．０５μｇ，０．４０μｇ和０．７４μｇ．Ｇａ（Ⅲ）（或６７Ｇａ）的化学产额为９７．０％±０．５％；６７Ｇａ产品中无发射高能γ射线的核素６６Ｇａ存在，１ｍＬ的６７Ｇａ产品中铁含量约为０．４０μｇ，不会影响６７Ｇａ在肿瘤中的积聚效果。     

无毒防锈颜料亚磷酸－磷酸钾锌的聚合及防锈性能研究

无毒防锈颜料亚磷酸－磷酸钾锌经高温处理生成聚合亚磷酸－磷酸钾锌，ＩＲ、Ｘ－ｒａｙ、ＤＴＡ、ＴＧＡ等测试证实了聚合物的形成．测定了它们的技术指标及漆膜性能、聚合物的防锈性能明显优于亚磷酸－磷酸钾锌．     

镓的高灵敏显色反应(Ga(Ⅲ)-BPR-Tween80-CTAB体系)

本文研究了高灵敏的Ga(Ⅲ)-BPR-Tween80-CTAB体系。该体系的适宜酸度为pH2.87～3.42。最大吸收在528nm。锌量在0.1～1.0μg/25ml范围遵守比耳定律。当Tween80在高浓度(0.8％)时,ε=5.72×10~5l·mol~(-1)·cm~(-1);当Twnne80在低浓度(0.24％)并辅以少量H_2O_2(浓度为4.8×10~(-3)％)时,ε=1.09×10~6l·mol~(-1)·cm~(-1)。镓在6mol/l盐酸介质中用乙酸丁酯萃取分离后,测定了分子筛型催化剂中的镓含量。     

Au激光等离子体中Au48+的跃迁谱线和能级寿命的理论计算

根据扩展的相对论多组态Dirac-Fock理论,采用“全相对论原子结构程序（GRASP2）”,考虑重要核的有限体积效应、量子电动力学效应（QED）和Breit修正以及组态间的相互作用,计算类镓Au^48＋的能级寿命、能级宽度、跃迁波长、跃迁几率和振子强度。结果表明：计算所得的波长与最新的实验数据及其他参考数据较吻合;能级寿命与能级宽度的关系符合海森保的能量与时间测不准原理;在类镓Au^48＋的跃迁中,3d-4f是一条较强的通道。     

纯铝中痕量镓的测定及机理研究

研究了纯铝中痕量镓示波极谱的直接测定方法.在醋酸缓冲溶液中,溴邻苯三酚红(BPR)与镓形成具有电活性的红色络合物,该络合物在滴汞电极上于-1.15V产生一灵敏的极谱还原波,峰电流与镓浓度在2.0×10-7mol/L～1.0×10-5mol/L范围内呈良好线性关系,检测限达1×10-7mol/L.该方法应用于纯铝中痕量镓的直接测定,简便快速,灵敏度高,结果准确.此外,还研究了电极反应的动力学参数.     

非水体系中磷酸镓大单晶合成与结构

非水体系中制备了GaPO4单晶,用X射线测定晶体结构的方法对化合物进行了表征.晶胞参数a=0.4908lnm,b=0.4908lnm,c=l.1066nm,α=90°,β=90°,γ=l20°.结构中的镓和磷均与氧形成四面体配位,骨架中的氧为二桥氧.无Ga-P连接方式,质子化的乙二胺阳离子未在孔道中.     

类Mannich反应合成合氟芳基—α—氨基烷基磷酸酯

用甲苯为溶剂，通过芳醛与对三氟甲基苯氨及亚磷酸烷基酯的类Mannich反应的简便方法合成了一系列N—对三氟甲基苯基—α—氨基烷基腾酸酯化合物，讨论了该反应的机理，其结构经元素分析、IR、^1H NMR谱表征。初步的生物测试结果表明，所合成的部分化合物具有良好的抑制烟草花叶病毒(TMV))活性。     

镓酸镧基固体电解质离子导电性与价电子结构的关系

文章应用固体与分子经验电子理论计算了镓酸镧基固体电解质材料的价电子结构,计算结果表明,1/(nAnB)随x及y增加而增加。实验结果表明,当x、y小于20%时,电导率σ随x、y增加而增加,并随1/(nAnB)增加而电导率σ增加,通过价电子结构的计算,可预测不同成分的LSGM的电导率。     

无卤代烷下亚磷酸三烷基酯的重排

亚磷酸三烷基酯同卤化亚铜、乙腈－同回流时,它能直接重排成相应的烃基磷酸酯;与碘化亚铜回流时,亚磷酸酯的重排比与氯化亚铜有利;重排中烃基的活性次序是：甲基＞乙基＞丁基