三芳基镓与α,β--不饱和酮反应的研究

报道了三芳基镓与α,β－不饱和酮反应生成相应的芳酮,反应条件温和,产率达７０％－８０％,并用元素分析,ＩＲ和＾１ＨＮＭＲ对产的结构进行了表征。     

镓(Ⅲ)—水杨醛氨基酸Schiff碱配合物与DNA的相互作用研究

应用紫外-可见光谱、循环伏安法和粘度法研究了3个镓(Ⅲ)—水杨醛氨基酸Schiff碱配合物(GaL2,GaLbipyCl,GaLphenCl,L为水杨醛谷氨酸Schiff碱,bipy为2,2'-联吡啶,phen为1,10-邻菲啰啉)与DNA分子的键合作用.紫外-可见光谱表明配合物与DNA发生插入作用;循环伏安法表明GaLbipyCl与DNA的作用涉及沟槽或静电结合方式,GaL2和GaLphenCl与DNA发生嵌入作用;粘度法表明配合物与DNA以沟槽模式或部分插入的方式结合.综上所述,推测3个配合物以沟槽模式或部分插入的方式与DNA结合.     

一种测量电光旋光晶体La3Ga5SiO14电光系数γ11的新方法

从理论上对激光处于电场中的旋光晶体传播方程进行了研究,应用琼斯距阵理论分析了入射到晶体表面和透过晶体的光的偏振态,推导出了透过晶体出射的光为线偏振的条件,利用旋光晶体电光系数γ_(11)与施加电场的电压V和晶体角度α的关系,通过实验,测量了La_3 Ga_5 SiO_(14)晶体电光系数γ_(11)为2．2×10~(-12)m/V．     

Ga1—xInxAs1—ySby四元合金系光学性质的研究

以对ＧａＳｂ为衬底、外延生长的四元化合物Ｇａ１－ｘＩｎｘＡｓ１－ｙＳｂｙ（组分在ｘ＝０．０３２，ｙ＝０．９４到ｘ＝０．２６，ｙ－０．９范围内）进行了远红外反射谱、喇曼散射、光吸收和光致发光的测量。结果给出外延层晶格振动的性质及不同温度下（８３Ｋ－３００Ｋ）四元合金的能隙，并详细讨论了能隙随温度的变化。     

四甘醇二甲醚提纯三甲基镓的研究

采用加合物提纯法（又称配合物提纯法）提纯三甲基镓(TMG)，筛选出四甘醇二甲醚（TGDE）作为加和物，得到最佳的加合物配比和解配条件。结果表明，TMG·TGDE加合物中TMG与TGDE的最佳物质的量比为1∶0.2，且在解配条件t=120℃、p=10kPa时，解配产率y高达94%，产品TMG纯度可达6N。通过质谱、红外、元素分析方法表征了不同物质的量比的TMG·TGDE加合物，提出了加合反应与解配反应的机理。     

宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展

 宽禁带、超宽禁带半导体器件已经成为国际半导体器件和材料的研究和产业化热点，概述了半导体材料的划代，综述了宽禁带、超宽禁带半导体器件和材料最新进展，并展望了未来的发展方向和前景。     

稀磁半导体Zn—xMnxSe／GaAs外延膜光学特性研究

研究了用热壁外延法在GaAs衬底上生长的不同x含量的Zn1-xMnxSe薄膜，通过X射线衍射和喇曼光谱的研究表明，晶体的质量取决于Mn的含量，随着Mn的含量的增高，晶体的质量下降。