(5R，4R)-5-(l-孟氧基)-4-膦酸二酯基-γ-丁内酯的合成

手性呋喃酮与亚磷酸三酯通过不对称Michael加成反应,得到了含磷官能团的新手性化合物(5R,4R)-5-(l-孟氧基)-4-膦酸二酯基-γ丁内酯.该反应具有条件温和、产率较高、光学纯度单一的特点(d.e≥98%).通过元素分析,IR,UV,     

水溶液中金属镓作用下频哪醇合成的研究

超声波引发或搅拌下Ga-H2O-CH3OH体系中进行了一系列芳香醛的偶联反应,室温下分别反应2h或4h得69%～82%或31%～76%的频哪醇产品.该方法操作简便、速度快、产率高.     

氧化铝分散的LSGM电解质材料的相结构和力学性能研究

Sr、Mg掺杂的LaGaO3是一种具有发展前景的中温固体氧化物燃料电池的电解质材料,由于其机械性能较差,限制了该材料在实际中的应用。文章研究了不同粒度氧化铝分散的Sr、Mg掺杂的LaGaO3的相结构和力学性能,发现加入细氧化铝可以较大地提高该材料的力学性能。     

亚磷酸氢钙高温热分解特性研究

采用热重分析和x-射线衍射分析研究亚磷酸氢钙的高温热分解性质,并分析了亚磷酸氢钙在不同温度下的分解产物组成.亚磷酸氢钙在400℃时开始分解,700℃后产物虽继续吸热,但只发生相变,分解产物主要为磷酸三钙和焦磷酸钙,研究结果可为工业生产次磷酸钠废渣的资源化处理提供理论依据,同时对亚磷酸氢钙的应用具有重要的参考价值.     

痕量镓的阴极溶出伏安法

当pH=5时镓与桑色素形成配合物吸附在悬汞电极上,产生一个敏锐的还原波。本文探索了最佳条件和共存离子的干扰,其峰电流与镓的浓度成比例,线性范围在1～120ppb,检测下限为0.3ppb。实验方法应用在攀枝花钢厂的钢、铁、矿石和炉渣中镓的测定,结果良好。     

电位滴定－主成分分析法同时测定磷酸与亚磷酸

提出同时测定磷酸与亚磷酸的一种新方法．该法利用已知混合酸的电位滴定数据建立多元线性回归数学模型，用该模型对未知混合酸中磷酸和亚磷酸进行浓度测定，获得满意结果．     

光致发光谱测量掺硅AlGaAs中的DX能级

在调制掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的光致发光谱中,靠近强发光峰的低能端存在几个弱峰,且发光强度随温度的增加而变化。这些弱峰是由于掺硅ＡｌＧａＡｓ中ＤＸ中心上的电子向起受主作用的ＳｉＡｓ原子跃迁复合而引起。由此确定ＤＸ中心有四个能级,其激活能分别为０．３５ｅＶ,０．３７ｅＶ,０．３９ｅＶ和０．４１ｅＶ。     

聚丙烯酰胺溶胶凝胶法合成La0.9Sr0．1Ga0．8Mg0．2O3-δ中温固体电解质及其性能

采用聚丙烯酰胺溶胶凝胶法制备了具有钙钛矿结构的中温固体电解质La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-?(LSGM)粉体材料.TG-DSC分析表明,凝胶在250℃附近发生强烈的氧化反应.XRD测试表明,凝胶在1400℃烧结6h,可以完全转变为稳定的钙钛矿相,经1000℃烧结所得粉体的颗粒尺寸平均为200-300 nm.1 450 ℃时烧结体的相对密度达到98%,平均粒径为3～10ìm.该样品在800℃时的电导率为7.5×10-2S/cm,活化能为37.4 kJ/m01.研究结果表明用聚丙烯酰胺溶胶凝胶法合成LSGM粉体有利于提高纯度,改善导电性能.     

氧化镓异质集成和异质结功率晶体管研究进展

超宽禁带氧化镓(Ga₂O₃)半导体具有临界击穿场强高和可实现大尺寸单晶衬底等优势,在功率电子和微波射频器件方面具有重要的研究价值和广阔的应用前景.尽管Ga₂O₃材料与器件研究已取得很大进展,但其极低的热导系数和缺少有效的p型掺杂方法成为限制其复杂器件结构制备和器件性能提升的主要瓶颈.针对上述两大关键瓶颈,本文综述了利用异质材料集成的方法实现高导热衬底Ga₂O₃异质集成晶体管与基于p型氧化镍/n型氧化镓(pNiO/n-Ga₂O₃)异质结的Ga₂O₃功率二极管和超结晶体管的研究进展.采用离子刀智能剥离-键合技术实现的高导热衬底Ga₂O₃异质集成方案可有效解决其导热问题,碳化硅(Si C)和硅(Si)基Ga₂O₃异质集成晶体管展现出远优于Ga₂O₃