SnO_2 薄膜光谱透过率及气敏特性研究

研究了半导体氧化物ＳｎＯ２膜及其掺杂薄膜的光谱透过率气敏特性，导出了光波在固体介质中传播时的光折射率、消光系数、吸收系数的表示式，以及在“空气—薄膜—玻璃”三元系统中光透过率的近似表达式；解释了气敏使半导体氧化物薄膜系统光透过率变化的原因。所有这些结果与解释，与我们的实验结果相一致，也与一些文献报导的实验结果相符合［１，２］。     

Fuzzy格上的亚序同态及性质

讨论Ｆｕｚｚｙ格上的序同态Ｆ－同态之关系，给出了亚序同态的概念，研究了几种同态的互相转化及共有关性质。     

自动网格形状测试技术

采用网格投影和亚象素技术，成功地进行了自动网格法的三维形状自动测量．提出了一种新的网格点分割法——全场阈值函数法，加快了分割速度，提高了分割质量．并且还提出了一种利用网格相邻位置关系进行搜索编码的新方法，解决了大变形或含空缺点网格点阵的自动编码和匹配问题．通过对标准斜面和圆柱面进行的实测研究，验证了自动网格形状测试法可以快速自动地进行高精度测量．文中给出了部分实验结果     

氟化亚铕的制备和表征

氟化亚铕是重要的低价稀土离子激活源，其制备以往主要采用氢气还原法和金属还原法，这些方法不是具有危险性，就是成本太高，给实际应用带来困难，在发光材料的合成和研究过程中，偿试用碳粉还原制备氟化亚铕，并用Ｘ射线衍射和荧光光谱方法和进行分析表征，实验结果表明，铕用碳粉还原法制得了整比的氟化亚铕，取得了预期结果     

双（正辛基亚磺酰）乙烷萃取铂的性能和机理

用正辛基硫醇与１，２－二溴乙烷合成双（正辛基硫代）乙烷，继而制得双（正辛基亚磺酰）乙烷（ＢＯＳＥ）．研究题示试剂用于溶剂萃取铂的性能和机理．实验表明，在ＫＩ存在下２～６ｍｏｌ／Ｌ盐酸介质，ＢＯＳＥ—乙酸丁酯能定量萃取铂（Ⅳ）．研究萃取与反萃取的最佳条件，ＩＣＰ—ＡＥＳ分析表明常见贱金属离子不被萃取，一定量的贵金属离子不干扰（除钯外）．斜率法测得萃合物的组成为ＰｔＩ２（ＢＯＳＥ），红外光谱指出ＢＯＳＥ的亚砜硫原子与Ｐｔ（Ⅱ）配位，萃合物为一混型配位络合物．提出一种铂与普通金属和贵金属（除钯外）的分离方法     

厚膜二氧化锡材料的气敏特性研究

用液相结晶和高温分解法制备偏离化学计量比的二氧化锡材料，对此二氧化锡进行掺杂，制成由一定原料配方组成的厚膜浆料，以此浆料用丝网印刷技术制备ＳｎＯ２厚膜气敏元件。然后，对系列元件进行气敏特性测试，所制备的ＳｎＯ２气敏元件表现出对乙醇气体的选择敏感性。     

亚正定阵上的Minkowski不等式

对亚正定阵证明了一个Ｍｉｎｋｏｗｓｋｉ淡等式，从而推广改进了一些文献的结果。     

生抗1号抗生素产生菌的培养条件研究

本文通过正交试验设计对生抗１号产生菌金色链莓菌的培养基和培养条件进行了筛选，找到该菌的最佳培养基和最适生长条件。     

相转移催化下的交叉羟酸缩合反应

以ＰＥＧ－４００为相转移催化剂，用于苯甲醛与丙酮之间的交叉羟醛缩合反应，合成了二亚苄基丙酮，产率达９１％。     

常温半导体气敏元件的研制

简述了常温气敏陶瓷材料及高分子材料的制备方法，常温电阻型及振荡型元件的制造工艺及其气敏特性，最后探讨了元件的工作机理及今后的改进方法。