Ellingham图及其在金属制取中的应用

说明了金属氧化物热力学稳定性与其生成反应的标准自由能变化之间的关系，分析了Ｅｌｌｉｎｇｈａｍ图的热力学意义，讨论了金属还原反应的自发性，说明了选择不同金属氧化物的还原剂的热力学依据。     

激光退火对碲镉汞电性能的影响

利用ＹＡＧ脉冲激光器（脉宽为１０ｎｓ，波长为１．０６μｍ）对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火，分析离子注入及激光退火引起的样品电学性质的变化；通过对电导率－迁移率谱的研究，发现激光退火能够消除辐射损伤，并激活注入杂质。     

奇偶互补方阵的充要条件

给出奇偶互补方阵的定义 ,并证明了n×n阶方阵A为奇偶互补方阵的充要条件是 2 |n且 4 n .     

SnO2—ZnO二元系半导体陶瓷材料特性

报道了ＳｎＯ２－ＺｎＯ二元系半导体陶瓷体及其薄膜的制备方法，材料的电学，光学，热敏，气敏和湿敏特性，以及掺杂和热处理对材料特性的影响，ＳｎＯ２－ＺｎＯ半导体陶瓷材料有很好的稳定性，是一种多功能复合半导体材料，在光伏技术，敏感技术及仪器仪表领域有着广泛应用。     

四大顶级IT展“会师”2008上海国际信息化博览会

2008年3月18日，为期三天的“2008上海国际信息化博览会”在上海新国际博览巾心盛大开幕。本次信博会由上海市信息化委员会、上海市浦东新区人民政府共同主办，国际半导体设备与材料协会（SEMI）、慕尼黑国际博览集团（MMI）、     

区县级国产电子政务解决方案推介大会

由信息产业部软件与集成电路促进中心（CSIP）主办的区县级国产电子政务解决方案推介大会在北京召开。会议主题是：推进国产软硬件产品在电子政务建设中广泛应用，促进国产软硬件产业自主创新和规模化发展，实现以用兴业。     

紊乱是物理学的喜讯

格温(E.G.Gwinn)和韦斯特韦恃(R·M·Westervelt)在他们最近的一篇论文(Phys Rev Lett 59 157—160,1987)中探讨了冷却P型锗的电子迁移从规则行为向紊乱行为过渡的一条途径。在此以前,利谢贝尔(A.Iibchaber)和他的合作者用很不相同的物理系统(水银的对流)找到了一条同一性质的途径。这个新实验作为半导体物理学的一项研究是很有趣的,并由于它的许多技术结果:这两个实验都显示了很高的精确度,因此,现在能被实验家们用于检验向紊乱过渡的理论。紊乱已成为物理学的一门活跃分枝的一个总括的名称,它描述在大部分决定性非线性动力学系统中出