基于声发射技术的管道泄漏检测研究

通过搭建管道泄漏试验模拟平台,结合声发射(AE)技术,对管道泄漏AE信号的影响因素和初步定位技术进行了分析研究。探讨了传播距离、泄漏孔径、压力与AE信号之间的关系,通过相关分析法实现管道泄漏的定位。结果表明:AE信号频谱幅值随传播距离的增大呈衰减趋势;泄漏信号的频率随泄漏孔径的增大向低频集中,随压力的增大向高频扩展;传感器间距较小时,互相关分析法能够得出理想的定位结果。     

电热轻气炮电弧电阻计算及其弹道分析

该文的主要目的是确定电热轻气炮放电室中的电弧电阻,给出了计算电弧电阻的２种工程计算方法。其中平均电阻法直接由电弧电阻与充气压力、初始电能密度的实验拟合公式确定电阻;电弧通道法则根据电弧的特点推出电弧电阻公式,并通过实验确定有关系数。２种方法均可在电热轻气炮研究的不同情况下获得应用。针对１２７ｍｍ电热轻气炮,文中给出了有关参数分析结果。     

二维时域有限差分法提出高温超导互连线频变等效电路参数

采用二维时域有限差分（ＦＤＴＤ）法分析用于超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）封装互连的主温超导互连线的传输特性,并提取其频变等效电路参数。结合描述超导特性的Ｌｏｎｄｏｎ第一方程与Ｍａｘｗｅｌｌ方程进行二维ＦＤＴＤ分析,建立稳定的差分格式。在时域模拟过程中,非均匀渐变网格划分法的运用和时间序列预测模型的提出,大大节约了计算机内存和计算时间。计算结果和三维ＦＤＴＤ法分析结果比较,一致性较发,且提高了分析效率     

惠斯登电桥测量误差探讨

论述使惠斯登电桥产生测量误差的因素,即电桥的附加电阻、待测电阻的温升、电桥的灵敏度、桥臂元件的精度等级和电桥的精度级别,并提出了若干减少测量误差的措施。     

基于CAF相参积累的多载波信号时频差估计算法

多载波信号具有丰富的频域信息,相参积累能够拓宽信号的有效带宽,克服单载波信号带宽窄导致时差(time difference of arrival,TDOA)、频差(frequency difference of arrival,FDOA)参数估计精度不高的问题。以多载波信号的检测定位为背景,研究了基于多个载波信号互模糊函数(cross ambiguity function,CAF)相参积累的TDOA/FDOA参数估计算法,为多载波信号的无源定位提供高精度的定位参数估计方法。基于接收信号模型,推导了多载波信号的互模糊函数,从TDOA/FDOA两个维度分析了不同载波信号CAF的相位关系,通过相位补偿实现了多载波信号CAF的相参积累,并从理论上分析了TDOA/FDOA参数估计的性能改善情况。蒙特卡罗仿真表明,提出的多载波信号相参积累TDOA/FDOA估计算法性能明显优于单载波信号的估计性能,性能改善情况与理论分析一致。     

光氮互作对植物生长发育及氮素代谢影响的研究进展

光照和氮素等因素是影响植物生长发育的关键因子,植物光合作用依赖于光照提供的能量,其中光强、光质对植物生长发育、生理生化和氮代谢等方面起着重要作用.肥料为植物生长提供必要的营养条件,特别是氮肥,氮供应水平影响植物体内的生理特性,其在参与调控植物体生化反应中的酶及其辅基的合成方面必不可少.然而,植物生长发育往往受环境中多种因子的共同调控,光照和氮肥互作对植物的影响十分显著,本文综述了光照、氮素及光氮互作对植物生长发育指标的影响,阐述了光氮互作在植物生长发育中的重要性,有利于进一步了解植物生长过程中各影响要素之间的相互作用,为更好地提高植物特别是农作物生产效率及品质提供理论依据.     

脑水肿与脑出血的动态阻抗测量和阻抗成像基础研究

利用电阻抗成像技术,分别从一维阻抗测量、二维断层成像、三维立体成像等三个方面对颅内脑水肿、脑出血进行仿真研究,并对一维电阻抗成像进行了临床实验,同时还对电流的透颅效果进行了动物实验和仿真研究。研究结果表明：低频电流能够穿过颅骨;从一维颅表测量的电阻抗变化,可以反映颅内出血和水肿的动态过程;利用二维电阻抗断层成像可以反映颅内出血的变化情况;三维电阻抗重建图像对目标定位准确,可以分辨出多个成像目标。以上研究结果为脑水肿与脑出血的图像实时监护奠定了理论基础,积累了临床实践经验。     

发电厂变电所接地计算探讨

本文指出目前接地网设计中的常见错误,给出惠来电厂的接地设计的两个方案,选择出经济合理的接地网设计。     

基于CCF-PLS的通讯系统异常根因分析

针对通讯网络升级后出现的系统性能下降问题,提出了一种互相关函数-偏最小二乘(CCF-PLS)方法对系统性能进行监测,并给出导致系统性能下降的根本原因变量.对于大采样间隔且线性特性较强的通讯系统,PLS模型能很好地建立关键性能指标(KPI)与其他观测变量的回归模型.由于观测变量中存在较多与KPI不相关的成分,采用CCF能...     

稀磁半导体超晶格中的隧道磁电阻

关于GaMnAs/AlAs/GaMnAs磁单结的隧道磁电阻有着广泛的研究,利用转移矩阵的方法研究了稀磁半导体超晶格中隧道磁电阻。数值模拟表明:系统会发生共振隧穿,并且共振峰会劈裂。系统的隧道磁电阻随着势垒宽度的增减逐渐减小。