CuO-SnO2纳米粉末的制备

用溶胶-凝胶法制备了CuO-SnO2纳米粉末，利用TG-DTA、XRD等对样品进行表征。讨论了热处理温度、掺杂物浓度等对最终产物尺寸的影响。     

SnO2—ZnO陶瓷热敏特性的实验研究

本文研究了不同原料配比对SnO_2-ZnO陶瓷的结构及其热敏特性的影响,通过改变SnO_2和ZnO的比例可以获得室温电阻率为10~(-3)Ω-cm到10~6Ω-cm,B值为200到22000,工作温度范围在70到1200K的热敏电阻材料。     

Fabrication and structural characterization of large-scale uniform SnO<Subscript>2</Subscript> nanotube arrays by sol-gel method

Semiconductor SnO2 nanotube arrays were fabricated by sol-gel method based on highly ordered nanoporous anodic alumina membrane. Their microstructures were characterized by scanning electron microscopy,transmission electron microscopy, selective electron diffraction spectroscopy and X-ray diffraction. Results indicated that SnO2 nanotubes have a thickness of about 20-30 nm,and a diameter of about 100-200 nm. The length of the nanotubes is about 1 μn, XRD and SEDS indicated that these SnO2 nanotubes are polycrystalline.     

分散剂对纳米相二氧化锡制备的影响

采用化学沉淀法 ,通过在不同阶段加入适量的分散剂 ,制备了纳米相二氧化锡 .以 PCS、TEM详细研究了二氧化锡胶体和粉体的粒子形貌、大小及分布 .结果表明 :二氧化锡胶体颗粒分散均匀 ,粒径约 3nm左右 ,分布范围窄 ;80℃烘干后粒径约 8nm左右 ;70 0℃煅烧后颗粒为球型 ,团聚体少 ,颗粒粒径小于 5 0 nm.最后 ,定性分析了分散剂在纳米相二氧化锡制备中的分散机理 .     

SnO_2纳米晶的胶溶法合成及气敏性质

用胶溶法合成SnO2纳米晶及液体浆料,利用X光衍射、红外光谱等对SnO2纳米晶进行表征,并对SnO2纳米晶的气敏性质进行初步测试．     

SnO2中空球和纳米粒子结构的光谱对比分析

以SnCl4.5H2O作为锡源,采用共沉淀法制备SnO_2纳米粒子,以碳球为模板制备了SnO_2中空球。对产物进行了TGA,XRD,TEM,EDX表征,以检测产物的微观结构和形貌为纯SnO_2样品金红石结构。与SnO_2纳米粒子相比,SnO_2中空球结构具有较大的比表面积,因此在表面产生大量的氧空位,造成中空球结构的禁带宽度较小,拉曼光谱中四方金红石的固有模式Eg和A1g发生蓝移现象,SnO_2中空球的PL光谱强度比纳米粒子要强。     

SnO_2薄膜的化学气相淀积 Ⅱ.SnO_2薄膜的结构和气敏性能

研究了用化学气相淀积方法制备的SnO_2薄膜的组成。晶体结构和气敏性能。发现薄膜为多晶结构,在薄膜生长过程中,(200)、(110)晶面择优生长;薄膜对H_2的气敏灵敏度随温度的升高而增加,并存在一合适的工作温度范围:100～250℃。     

浸涂法制备掺锑SnO_2透明导电膜

以三氯叔丁醇锡和三氯化锑为主的有机-无机溶液,采用垂直浸涂法,在普通Na-Ca-Si系玻璃基片上制备了透明的掺锑SnO_2导电膜。薄膜的主透过波长在480nm附近,膜厚达1.26μm时其透光率约为80％,薄层电阻R_s可低达35Ω。研究表明,预涂SiO_2致密膜对于消除由于界面上Na~+的扩散而造成的电性能下降是有效的。锑的掺杂浓度在Sb/Sn=6％(mol)时膜有最低的R_s值,可见光-远红外透射率随Sb的增加而下降。随膜厚的增加,R_s按指数规律下降,但光吸收增加。膜厚在1.2μm时其光电特性优化因子φ_(T(?))最大。适当提高热处理温度和延长热处理时间,膜中SnO_2主晶相的晶化程度提高,膜的光、电性能可以同时得到改善。     

SnO2光透射率气敏薄膜的制备和研究

采用溶胶-凝胶技术，利用旋转涂膜法制备二氧化锡薄膜。结果发现，常温下在含有CO的气氛中光通过薄膜的透射率变大，对CO有较高的灵敏度。并对制备过程中出现的实验现象、制备机理及薄膜的结构和特性进行了分析和研究。     

石墨对含钴SnO2基气敏元件性能的影响

钴添入ＳｎＯ２中可增大对乙醇气体的灵敏度，但同时带来一些不利因素。将石墨添加到不同钴含量的ＳｎＯ２基酒敏陶瓷中可以改善其电气性能，克服钴的副作用。通过对样品室温电阻的大小、时间稳定性和老化性三个方面进行研究，得到的结论是：在１０６０℃添加１％Ｗｔ左右的Ｃｏ２Ｏ３，并掺入１％￣５％Ｗｔ的石墨，其各项指标均较好。