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91.
运用XRD分析氟掺杂二氧化锡导电玻璃导电面SnO2的晶型,发现其属于四方晶系,晶粒尺寸为32.35nm。运用XPS分析氟掺杂二氧化锡导电玻璃导电面的元素组成主要是Sn和O,未能检测出F。进一步研究表明,电子束辐照前后Sn所处的化学状态相同(以Sn4+的形式存在),O以2种化学状态存在,分别对应氧充足和氧缺乏状态,且随着电子束辐照注量的增加,会有少量的氧失去而使氧充足状态的O1s逐渐减少。 相似文献
92.
以SnCl4·5H2O和NH4F为原料,用喷涂热分解法在石英玻璃上制备SnO2·F薄膜。采用X光电子能谱分析仪(XPS)和X光衍射仪(XRD)分别表征SnO2·F薄膜的成分和晶体结构,研究了F-的掺杂量和热处理对薄膜方块电阻、可见光区透射率和红外光区反射率的影响。实验结果表明,用本次实验的配方,衬底温度TS大致450℃,喷涂时间为15s时,薄膜的方块电阻R□为0.2~4kΩ/□,可见光透过率达T≈80%和红外光反射率R≈80%以上。样品在O2及N2气氛中进行一定温度范围的退火处理后,其电阻率上升。 相似文献
93.
94.
用二氯化锡和NaY沸石为原料,经浸渍、焙烧等工序制备SnO2/NaY光催化剂,通过X射线粉末衍射、透射电镜和紫外可见漫反射光谱表征显示:尺寸在20~60二氧化锡纳米棒在NaY沸石表面上形成;以紫外光为光源,对甲基橙溶液进行光催化降解以检验其光催化性能,结果表明:该催化剂具有紫外光催化活性. 相似文献
95.
研究了磁等离子化学气相沉积的不同工艺条件对SnO2薄膜导电性能的影响,实验结果表明,外加适当位移,大小的纵向磁镜场,可使等离子体化学气相沉积技术中制备SnO2薄膜所需的氧气流量降低,沉积时间缩短,且制得的薄膜电阻大大降低,轴向分布均匀性明显增加,对以上结果进行了分析和讨论。 相似文献
96.
Zhengdao Li Yong Zhou Ruzhong Sun Yan Xiong Haiquan Xie Zhigang Zou 《科学通报(英文版)》2014,59(18):2122-2134
This review focuses on recent developments in the nanostructured SnO2 photoanodes for dye-sensitized solar cells (DSSCs) applications. Carefully designed and fabricated nanostructured SnO2 films are advantageous for effective improvement in performance of DSSCs. Nano- crystals can offer a large surface area for dye adsorption; nanowires are able to provide a direct transfer pathway for the rapid collection of photogenerated electrons; the mes- oporous, monodisperse beads with a submicrometer-sized diameter ensure a large specific surface area for dye adsorption and simultaneously promote light scattering; the surface modification of SnO2 by other oxides may improve the photovoltage and photocurrent, hence resulting in the higher power conversion efficiency of SnO2-based DSSCs. 相似文献
97.
二氧化锡超微粒子气敏薄膜的复数阻抗谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用直流气体放电活化反应蒸发法制备了二氧化锡超微粒子薄膜,测量了薄膜的阻抗谱,验证了超微粒子薄膜的内部模拟等效电路。研究了温度、还原性气体以及热处理对阻抗谱的影响,并用氧吸附理论和晶界热垒理论定性地解释了这些现象。 相似文献
98.
应用同时平衡原理和电中性原理对Sn(Ⅳ)-Sb(Ⅲ)-NH3-NH4Cl-H2O体系进行热力学分析,得到标准状态下该体系的[Sn^4+]T和[Sb^3+]T与pH值之间的关系曲线,以此为基础对该体系的沉淀机理进行研究。研究结果表明:体系pH值决定沉淀反应的可行性和反应进行的方向;采用常规共沉淀方法制得的锑掺杂二氧化锡前驱体为Sn(OH)4和Sb4O5Cl2 2种沉淀的不均匀混合物;添加缓释剂进行均相沉淀、采用并流沉淀或在沉淀反应前使用适当的配位剂可获得锑掺杂均匀的二氧化锡。 相似文献
99.
100.
本文研究了不同原料配比对SnO_2-ZnO陶瓷的结构及其热敏特性的影响,通过改变SnO_2和ZnO的比例可以获得室温电阻率为10~(-3)Ω-cm到10~6Ω-cm,B值为200到22000,工作温度范围在70到1200K的热敏电阻材料。 相似文献