掺锑二氧化锡纳米粉末的制备及电化学性质研究

采用离子交换除氯水解法和有机溶剂共沸干燥方法制备得到导电性好的掺锑二氧化锡纳米粉末,用XRD对掺锑二氧化锡纳米粉末的结构进行表征;采用粉末微电极技术,对掺锑二氧化锡纳米粉末的电化学性质进行了研究.     

SnO_2/PI复合膜的制备及光催化性能研究

以聚酰亚胺薄膜为基材,氯化亚锡为前驱体,通过表面改性离子交换法合成了SnO2/PI复合膜,探讨了最佳制备条件,采用SEM、ATR-FTIR等手段对其形貌、结构进行表征,并以亚甲基蓝为目标降解物,对复合薄膜的光催化性能进行评价,6h后亚甲基蓝降解率达到98.6%.     

氢氧焰燃烧合成纳米SnO2/TiO2复合颗粒的形貌与结构

利用预混合氢氧焰燃烧合成了形态和结构不同的SnO2／TiO2复合纳米颗粒,颗粒呈多面体结构,形貌介于球形和立方方形之间,复合颗粒由同为四方晶系的SnO2和TiO2组成。在SnO2／TiO2复合颗粒中存在Sn—O—Ti键,没有出现相分离现象。复合颗粒表面的Ti：Sn(mol：mol,下同)比大于复合颗粒内部的Ti：Sn,而且复合颗粒内部Ti：Sn接近理论值。     

溶胶-凝胶法制备纳米二氧化锡的研究

采用溶胶-凝胶法制得平均粒径为30nm的二氧化锡超微粉,并对最佳实验条件进行相关讨论.通过X射线粉末衍射、透射电镜等方法观察了二氧化锡纳米粉体的形貌、聚集状态.     

粉末溅射SnO2：Pt薄膜和SnO2／SnO2：Pt双层膜的气敏特性

用粉末溅射方法制轩了体掺杂型ＳｎＯ２：Ｐｔ薄膜和表面层掺杂ＳｎＯ２／ＳｎＯ２;Ｐｔ双层膜。实验结果表明,由室温至２００℃,这两种薄膜对ＣＯ气体均显示了较高的灵敏度和选择性。单层膜厚度和双层膜导电层及气敏层厚度对灵敏度有明显的影响。通过对掺杂单层膜和双层膜所敏特性的比较,对粉末溅射ＳｎＯ２薄膜的气敏响应机理进行了探讨。     

用Sol-Gel法制备气敏传感器SnO2薄膜的研究

采用无机试剂（ＳｎＣｌ４．５Ｈ２Ｏ）为原料,用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法制备研制气敏传感的ＳｎＯ２薄膜,研究了ＳｎＯ２薄膜的电阻随掺杂和温度的变化关系,并且用ＸＲＤ对ＳｎＯ２薄膜进行分析,结果表明,掺杂和热处理温度对薄膜晶粒尺寸的大小、薄膜的结构形态均有较大的影响,进而影响薄膜的电导及传感器的灵敏度。     

β-萘氧基酞菁钴/二氧化锡复合材料的制备及表征

采用原位合成的方法制备β-萘氧基酞菁钴/二氧化锡复合材料,利用UV,IR,XRD,TG对产物进行表征.结果表明,复合材料在紫外光谱中出现了酞菁特征吸收,并且出现Q带的红移现象,红外光谱中出现了M-O的振动吸收峰,在XRD谱图中显现出SnO2晶粒变小,说明-萘氧基酞菁钴与二氧化锡之间具有一定的相互作用.     

喷涂热分解法制备SnO2·F薄膜及其光电性能研究

以SnCl₄·5H₂O和NH₄F为原料,用喷涂热分解法在石英玻璃上制备SnO₂·F薄膜。采用X光电子能谱分析仪(XPS)和X光衍射仪(XRD)分别表征SnO₂·F薄膜的成分和晶体结构,研究了F^-的掺杂量和热处理对薄膜方块电阻、可见光区透射率和红外光区反射率的影响。实验结果表明,用本次实验的配方,衬底温度TS大致450℃,喷涂时间为15s时,薄膜的方块电阻R_□为0.2~4kΩ/□,可见光透过率达T≈80%和红外光反射率R≈80%以上。样品在O₂及N₂气氛中进行一定温度范围的退火处理后,其电阻率上升。     

二氧化锡超微粒子气敏薄膜的复数阻抗谱研究

用直流气体放电活化反应蒸发法制备了二氧化锡超微粒子薄膜，测量了薄膜的阻抗谱，验证了超微粒子薄膜的内部模拟等效电路。研究了温度、还原性气体以及热处理对阻抗谱的影响，并用氧吸附理论和晶界热垒理论定性地解释了这些现象。     

Sn(Ⅳ)-Sb(Ⅲ)-NH3-NH4Cl-H2O体系热力学分析及其应用

应用同时平衡原理和电中性原理对Sn（Ⅳ）-Sb（Ⅲ）-NH3-NH4Cl-H2O体系进行热力学分析，得到标准状态下该体系的[Sn^4＋]T和[Sb^3＋]T与pH值之间的关系曲线，以此为基础对该体系的沉淀机理进行研究。研究结果表明：体系pH值决定沉淀反应的可行性和反应进行的方向；采用常规共沉淀方法制得的锑掺杂二氧化锡前驱体为Sn（OH）4和Sb4O5Cl2 2种沉淀的不均匀混合物；添加缓释剂进行均相沉淀、采用并流沉淀或在沉淀反应前使用适当的配位剂可获得锑掺杂均匀的二氧化锡。