NOx对掺杂贵金属的SnO2气敏元件特性的影响

本文报道了掺杂Ｐｄ和Ｐｔ等贵金属的ＳｎＯ２气敏元件置于ＮＯｘ气氛中，灵敏度发生明显下降的现象，分析认为，其主要原因是元件中的贵金属受到ＮＯｘ污染，ＸＰＳ分析表明，污染后Ｐｄ ３ｄｓ／２已确有化学位移。     

锡和锌复合氧化物的合成及其缺陷结构

本文采用化学共沉淀和固相反应相结合的方法,制备掺杂和不掺杂的具有反尖晶石结构的锡和锌复合氧化物,还比较详细地研究了它的电导与氧分压、温度和掺杂物之间的关系以及相应的缺陷结构.并根据Seebeck 效应的测定推测其在700°—900℃的范围内具有小极化子的热激活跃迁机制.     

TiO2-SnO2复合粉体光催化降解亚甲基蓝

以钛酸四丁酯和SnCl（4.5）H2O为先驱物,乙醇为溶剂,经过溶胶-凝胶法和热处理制备出TiO2-SnO2复合纳米粉体.探讨了掺杂锡量、热处理温度对TiO2-SnO2复合纳米粉体光催化降解亚甲基蓝的影响,采用X射线衍射分析了热处理过程中样品的晶型转化.考察了水溶液pH值和粉体用量对光降解速率的影响,分析了TiO2-SnO2粉体对亚甲基蓝降解过程的表观动力学特点.     

非晶多层膜Fe/SnO2的磁特性

采用高频溅射制备了Fe/SnO2非晶多层膜，当SnO2层厚度ds固定为5mm时，样品的饱和磁化强度Ms随Fe层厚度dm的减小而降低，这主要受死层效应和维度效应的影响，样品在dm很小时，呈现准二维磁性，样品的居里温度Ic随dm的减小而单调下降，当Fe层固定为2ng时，Ms随ds的减小而升高。     

脉冲激光溅射SnO2气敏膜

脉冲激光溅射镀膜是一种高质量的薄膜制备技术，本文研究分别以ＳｎＯ２和纯锡作靶，用此技术生长的ＳｎＯ２膜的结构及对氢，乙醇的气敏性，探索将此技术应用于气敏膜制备的途径。     

MOPECVD法制备超微颗粒SnO2薄膜

以ＳｎＣｌ４液体为锡源用ＭＯＰＥＣＶＤＥ方法制备出了ＳｎＯ２薄膜,用Ｘ射线衍射仪和透射电镜（ＴＥＭ）分析了薄膜的晶体结构和ＳｎＯ２晶体的颗粒度,优化出制备超微颗粒ＳｎＯ２薄膜的最佳工艺,并给出此膜蒸发上电极,制成ＳｎＯ２气敏器件,测量其对乙醇的气敏特性,实验证明减小ＳｎＯ２晶体的粒度可以改进元件的气敏特性。     

SnO_2纳米晶粉的溶胶-水热合成

以 Sn Cl4 · 5H2 O原料 ,用溶胶 -水热晶化复合法制备粒度较均匀 ,平均晶粒尺寸为 2 .5～ 4 .0nm的 Sn O2 纳米晶粉 .运用 X射线衍射 (XRD)、差热分析 (DTA)和红外吸收光谱 (IR)等分析手段对纳米晶粉进行表征 .结果表明 ,溶胶 -水热晶化复合法可以克服单纯水热法产率低的缺点     

二氧化锡量子点的制备及其光学性质

利用水热法制备了二氧化锡量子点,其粒径分布为4～7nm.高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察结果发现各种粒径的量子点均有良好的分散性;室温光致发光(PL)谱显示不同粒径的量子点在600nm处都有一个宽的发光峰,分析结果表明该发光峰与样品中的氧空位缺陷有关;样品的低频拉曼光谱显示在38cm-1处有一对称的声学声子拉曼峰,该峰随着样品尺寸的减小向高频方向移动.     

Cr2O3对（Co，Ta）掺杂的SnO2压敏电阻电学特性的影响

研究了Cr对(Co，Ta)掺杂的SnO2压敏材料电学性质的影响。当Cr2O3的含量从0增加到0．15mol％时，(Co，Ta)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从206V／mm增加到493v／mm；1kHz时的相对介电常数从1968猛降至498；晶界势垒高度分析表明，SnO2晶粒尺寸的迅速减小是样品击穿电压增高、相对介电常数急剧降低和电阻率迅速增大的主要原因。对Cr含量增加引起SnO2晶粒减小的原因进行了解释。掺杂0．15mol％Cr2O3的SnO2压敏电阻非线性系数为24，击穿电压达498V／mm，在高压保护领域有很好的应用前景。