PIN型a-Si太阳电池中的结电场分布、耗尽区宽度和最佳i层厚度的设计与计算

本文用自恰法严格计算了pin器件中的pi和in分离势垒区中电荷密度分布ρ(x)、电场分布ε(x)及耗尽区宽度W,然后缩小i层厚度使之部分重迭,再用电场迭加厚理算出耗尽区中的电场分布,在此基础上根据全收集条件δ_(gmin)=μ_fτ_pε_(min)算出最佳i层厚度X_e,发现当i层的费米能E_f向E_i靠近和gmin下降时,引起W和X_c显著增大     

热壁外延PbTe／Si异质结带偏移的研究

本文提出一种测定具有高晶格失配率的异质结带偏移的新方法。利用Ｃ－Ｖ测量技术，估计了晶格失配和其它集中电容对ｎ－ＰｂＴｅ／Ｐ－Ｓｉ异质结内建电势的影响。在用适当方法剔除了由其它集中电容引起的测量误差后，所得内建电势差修正值接近理想ＨＪ的计算值。基于此修正值，计算的带偏移△Ｅｖ和△Ｅｃ十分接近国外文献所报导的结果。     

真空热迁移法制备硅垂直多重结X射线探测器

用真空热迁移法，以高纯石墨作为加热元件，构成大面积均匀热板，并以纯铁为冷板，通过严格控制冷、热板的温度，形成稳定的热梯度场。采用高阻单晶硅作为探测器的基体材料，在硅片表面用激光来进行刻槽，在其表面上蒸铝后，置于热迁移场中进行热迁移。按照探测器的要求，蒸发钛－钯－银构成电极，经钝化处理后沉淀适当厚度的Ａｌ层作为窗口，构成垂直多重结Ｘ射线探测器。探测器具有良好的光谱响应，对Ｘ射线有较高的灵敏度，适于较     

VMJ器件的红外特性

垂重多重结半导体器件(VMJ)有良好的近红外光电特性。本文报道了垂直多重结器件的制作工艺及其红外光谱响应的测量结果,同时对该器件的红外谱响应作了分析,并挺出了进一步改进方案.     

测量InGaAsP／InP异质界面的化学斜面法

本文利用ＡＥＳ测量了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质界面的组分分布和界面宽度，提出了化学斜面法测量界面宽度的新方法，同时讨论了晶格失配对界面宽度的影响。     

单异质结有机薄膜电致器件发光过程的理论模型

在Fowler—Nordheim方程的基础上，利用高斯定理对单异质结有机薄膜电致发光器件的发光过程进行理论分析和计算。计算结果表明在单异质结电致发光器件中，可降低器件的电流水平，提高器件的发光效率。     

用灰色聚类方法评价煤的结渣性能

采用灰色系统理论中的灰色聚类方法对磁窑堡煤、石咀山煤及其混合煤的结渣性能进行了评判，并将该方法所得评判结果与常用结渣指标差别的结果及实际结渣情况进行了比较。结果表明：灰色聚类方法评价煤的结渣性能时，其分辨力比用常规方法判别时高，判别结果更符合客观实际。     

电磁辐照下介观Josephson结中超流的崩塌与复苏现象

辐射场与物质的相互作用可导致许多奇特的物理现象,多年来一直是人们十分关注的研究课题。     

论淤地坝在治黄中的地位与作用—与康晓光先生商榷

论淤地坝在治黄中的地位与作用──与康晓光先生商榷ＲｏｌｅｏｆｓｉｌｔＡｒｒｅｓｔｅｒｉｎＴａｍｉｎｇｔｈｅＹｅｌｌｏｗＲｉｖｅｒ￥／／李西民（黄河水利委员会农水局，郑州４５０００３）《中国科学报》在１９９３年５月５日、８月１６日接连发表了康晓光先生的...