肝素-紫杉醇抗癌药物系统的合成及其对癌细胞生长抑制的研究

为解决紫杉醇作为抗癌药物水溶性差毒性大的缺点,采用天然生物大分子肝素为载体,利用其具有良好的生物相容性、生物降解性以及良好的水溶性特征,选用三种带有不同a-取代基的氨基酸作为连接臂,设计合成了一类新型肝素-氨基酸-紫杉醇药物输送系统,目标产物用1H NMR进行了结构表征.体外水解动力学测试结果表明该系统水溶性好,MTT法测试结果表明所有化合对MCF-7(乳腺癌细胞)细胞毒活性优于紫杉醇.     

CaCl_2和CaSO_4·2H_2O激发粉煤灰-水泥体系胶砂强度研究

采用掺入30%,50%粉煤灰的水泥胶砂强度试验,研究了CaCl2和CaSO4.2H2O两种激发剂在单掺、复掺时对粉煤灰活性的激发效果。在试验范围内,CaCl2单掺对30%,50%粉煤灰水泥胶砂体系的粉煤灰激发效果显著;CaSO4·2H2O的单掺对30%粉煤灰激发效果随掺量呈非线性关系,早期强度的激发效果相对明显,掺入量为1.5%时,效果最佳。复掺时粉煤灰活性的激发均高于单掺激发,30%掺量粉煤灰复掺编号F2的粉煤灰水泥体系胶砂早期强度提高最为显著,50%掺量粉煤灰复掺编号F4的整体激发效果最佳。     

舰尾流场扰动影响分析及抑制技术研究

为了解决舰尾流场对舰载机着舰的干扰问题,首先,建立了舰尾流场模型,并利用综合仿真平台分析了各个尾流分量对全自动着舰的影响;其次,分析了稳态尾流情况下引入高度变化率的补偿对着舰精度的影响;最后,提出了一种基于遗传算法的全自动着舰尾流影响抑制技术.仿真实验表明:优化前的纵向全自动着舰系统高度偏差在-2.3～1.9 m范围内...     

SOD活性和VitC含量的变化与杂交水稻叶片抗早衰的关系

在杂交水稻威优35、威优49及其父本插秧后第24天测定其叶片SOD活性,并在抽穗期对其叶片SDO活性及VitC的含量从始穗起每隔4天测定一次;试验结果表明：自始穗期第4天到12天,杂交水稻威优49的叶片SOD活 性明显低于其他抗早衰品种,而始穗第4天到第8天威优49叶片VitC含量高于抗早衰品种威优35,随后VitC呈下降趋势,说明生育期未杂交水稻叶片的SOD及Vit C水平变化与抗早衰有较强的相关性。     

NaCl对水稻谷氨酰胺合成酶活性及同工酶的影响

在营养液中ＮａＣｌ有胁迫下,江西省妥根和叶的谷氨酰胺合成酶的活性降低,但叶的ＧＳ活性对ＮａＣｌ浓度的敏捷性大于根。根和叶中的ＧＳ活性变化与根和叶的平均质量和可溶性蛋白水平的变化是一致的。Ｎａｔｉｖｅ－ＰＡＧＥ。活性染色以及Ｉｍｍｕｎｏｂｌｏｔｔｉｎｇ检测表明,根和叶的ＧＳ活性原降低主要是由于ＧＳｒｂ和ＧＳ２的活性及其相应蛋白质水平降低所致。     

天然产物3′-甲氧基葛根素溶液结构的二维 NMR 研究

3′－甲氧基葛根素是从常用中药野生葛根中分离提取出来的一种具有很强生物活性的异黄酮类化合物。该化合物含季碳较多，有些^13C NMR的谱峰不易归属。本文利用包括氢检测异核多量子相干谱（HMQC）和氢检测远程异核多量子相干谱（HMBC）等多种二维核磁共振技术对该天然产物的^13C和^1H NMR谱峰进行了全归属。这些工作有助于利用二维核磁共振技术研究和确定含季碳较多的黄酮类新化合物的结构和利用扩散相关的核磁共振新技术研究葛根的生理活性成份与靶分子相互作用。     

用手性醇改性的铝锂试剂对芳酮的不对称还原

为开发新型手性铝锂试剂，探讨双不对称诱导效应，选用含杂原子的光学活性氨基酸为辅助配体，与1，2，5，6—二丙酮甘露醇共同修饰LiAIH4，对潜手性芳酮进行不对称还原，得到光学活性醇；通过与α—D-乙酰氧基—L-丙酰氯生成非对映异构体酯，经气相色谱分析，对映体过量在43．6％。N．7％之间。结果表明辅助配体的绝对构型、空间位阻、β位杂原子对光学产率均有影响。     

乘法噪声系数对稳锯齿系统逃逸率的影响

在不同乘法噪声系数情况下,计算了关联噪声驱动的双稳锯齿系统的逃逸率,计算结果表明,乘法噪声系数对相对逃逸率有极大的影响,改变乘法噪声系数,系统的相对逃逸率即可出现抑制平台,又可出现激活共振。     

N,Cd TiO2光催化活性的实验与理论研究

 采用热分解法制备了N, Cd共掺杂纳米TiO₂光催化剂,通过XRD、XPS和UV-DRS等对样品进行了分析表征,并以甲基橙为目标降解物考察了其光催化性能。实验表明产物N, Cd TiO₂为锐钛矿型,颗粒约为10~15 nm,N取代了TiO₂晶格中的O原子,而Cd以游离态分布在TiO₂表面;其光吸收发生明显红移;光催化活性提高,N、Cd在提高TiO₂的光催化活性方面具有协同作用。采用第一性原理方法,对其电子结构和光学性质进行了理论计算。结果发现在N,Cd TiO₂的带隙中出现了N2p和Cd5s的杂质能级,价带的电子可以吸收较小的能量跃迁到杂质能级上,接着二次激发跃迁到导带上,电子跃迁变得容易,吸收波长向可见光区移动。计算结果很好地解释了实验现象。     

一种具有温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源

介绍了一种用于集成电路内部的带隙基准源 ,采用了 3.3V ,0 .35 μm ,N阱 ,CMOS工艺 .通过Spectres和HSpice的仿真 ,它具有 6× 10 -6K-1的温度系数和 2 .2mV/V的电源抑制比 .