光学微腔对光子激子系统玻色凝聚温度和热容量的影响

以半导体GaAs光学微腔为例,探讨了光学微腔对光子激子系统玻色凝聚温度和热容量的影响.结果表明:玻色凝聚临界温度随微腔宽度增大而升高,但只在微腔宽度不大时,变化才显著;而微腔宽度太小时,系统不会出现玻色凝聚;玻色凝聚临界温度随微腔内各点的位置变化很小,它只在腔内r=0附近较高;光子和激子对微腔热容量的贡献大致相同,均随温度升高而增大,随微腔宽度的增大而减小;微腔形状对玻色凝聚临界温度和热容量的影响很小.热容量只在微腔宽度很小时随位置的变化才显著.     

晶场中自旋为1的横向伊辛模型的相图

用平均场近似方法研究了纵场中横向伊辛模型的晶场效应，绘出相图，并计算了纵向磁化、横向磁化和四极柜。     

混合自旋─1/2─自旋─S伊辛模型临界温度的自由费密近似解

本文考虑正方晶格上混合自旋─１／２─自旋─Ｓ伊辛模型。运用自由费密近似方法对该模型进行了求解，计算得到了临界温度的自由费密近似解，并与Ｙｏｕｓｉｆ和Ｂｏｗｅｒｓ的高温级数解结果进行比较。     

非均匀磁性薄膜的临界温度,位移指数及相干临界指数

用非均匀磁性薄膜，采用变分累积展开方法，分别对海森堡模型及伊辛模型，计算了四阶临界温度Ｔ＾（４）ｃ（Ｌ），位移指娄λ，及相干临界指数ｖ，得到了ｖＩ＝０．７１２，ｖＨ＝０．７１０，此结果与实验值ｖ＝０．７０４符合得相当好。     

一种复杂的混合自旋模型及其临界温度求解

提出了正方格子上一种更为复杂的两体各向异性相互作用的混合自旋模型，分别通过平均场近似及同普适类标度变换理论，求出了该模型临界温度所满足的方程；分析讨论了该模型的耦合常数简化为特定模型时的临界温度值。     

BCS理论实质的量子力学分析

本文在BCS理论基础和实验基础上,从量子力学的角度分析了BCS理论的实质问题:(1)金属在进入超导态后结成库柏对;(2)电子之间有一种吸引力(电子—声子相互作用)使它们处于配对的束缚态。最后简要地评价了BCS理论。     

外磁场中不同拓扑结构的超导网络临界温度

用矩阵方程的多项式解法求得了基无回路为不对称的及基元回路长宽比为（３：１）的五节点超导网络在外磁场中的临界温度,又用矩阵方程的本征值解决求得了七节点六角形超导网络在外磁场中的临界温度,得到不同网络的临界温度变化范围与其网络基元回路中的磁通量有关,并对相边界曲线与网络结构之间的关系进行了讨论。     

变分累积展开对不同格点结构的磁性薄膜的热动力学性质的研究

采用变分累积展开方法，研究了面心立方(fcc)、体心立方(bcc)格点上Heisenberg磁性薄膜的热动力学性质．计算其临界温度、内能和热容到了三级累积展开．作为一个特例，对自旋1／2铁磁性薄膜，给出了这些物理量随温度和薄膜原子层数的变化关系．并与简立方(sc)情形下的相应结果作了比较．     

超导体的临介温度T_c及其结构性能关系

本文提出了超导体的临介温度及其结构性能相关的一个经验公式,在探索新的高温超导体系研究工作中,用它有助于优选配方,也有益于了解超导机制.