相转移卡宾法不对称合成α—甲基—α—氨基酸

本文报道了以N—苄基氯化辛可宁为手性催化剂,由相转移卡宾法来不对称合成α—甲基—α—氨基酸.探讨反应条件对化学产率和光学收率的影响.     

层状K-Fe-Ti金属氧化物的制备及性质研究

本文以KNO_3,Fe(NO_3)_3·_9H_2O,TiO_2为原料,通过固相反应,制备出高结晶度K-Fe-Ti层状金属氧化物。并详细考察了不同配比、不同反应时间以及不同反应温度对产品结晶度的影响,筛选出最佳合成条件。经过XRD,SEM,TG-DTA及BET表征,初步探讨了层状金属氧化物(简称为LMO)的基本性能。以乙二醇为分散体系,正已铵的插入,使LMO的面网间距由0.78nm增加到2.65nm.     

含固定化酶颗粒反应器的动力学特性研究

在连续流动带搅拌的反应器中,突然导入固定化的酶粒子,随着流入反应器的流速不同,存在着两类响应:最小型和衰减型响应.这些响应可由临界Thiele模数决定,当Thiele模数大于临界值时,流出反应器的底物浓度呈衰减性响应;否则,呈最小型响应。决定不同响应的临界速度可由简单的实验方法求出,从而可决定反应速度常数。本文除扼要叙述这种方法的理论推导外,通过对固定化α-葡萄糖淀粉酶的动力学实验,证明随流入反应器流体流速的变化,的确存在两种不同的响应,并可确定临界流速及反应速度常数和Michaelis常数。     

手性液晶的研究——Ⅵ.2,5-二苯基吡啶类

设计合成了(+)-2-[4-(2′-甲基丁氧基)苯基]-5-(4″-烷氧基苯基]吡啶和(+)-2-[4-烷氧基苯基]-5-[4′-(2″-甲基丁氧基)苯基]吡啶两个系列共七个手性液晶化合物。进行了结构分析,确证其结构。它们具有右旋近晶相、宽的相变温度、稳定性好等性能。     

手性液晶的研究——Ⅶ.苯基嘧啶类铁电液晶

合成了四个系列共十四个化合物,测定了它们的相变温度和相态,对部分化合物进行了电滞回线和螺距的测试,并比较了结构和性能的关系。其中(d)AmPA′Pm(Ⅱ)和(d)HpPA′Pm(Ⅳ)为室温铁电液晶,AP(d)Hp′Pm(Ⅲ)为胆甾相液晶,对产物进行了初步的混合配方探索。     

热致型高分子的液晶度与结晶度

利用解偏振光强(DLI)、广角X-射线衍射(WAXD)及密度测定等方法,对目前国内外尚有争议的聚合物液晶态相态系统进行了研究,就聚合物液晶相的均相异相问题提出了新的看法,认为聚合物液晶相仍是一个异相系统,但由于聚合物处于液晶态时,分子排列比较规整,加之其特殊的粘度特性,致使液晶体系中液晶的不完善程度较结晶的不完善程度小,也即液晶度高于结晶度,从而解释了聚合物由结晶态进入液晶态时解偏振光强突然增大的反常行为。     

硅中杂质,缺陷对器件制作与性能的影响及控制

本文针对硅中杂质、缺陷对器件制作和性能的影响进行研究,提出控制杂质与缺陷的不良影响和提高器件的成品率和优品率的途径。     

高分子液晶态中高强度向错的观察

液晶向列相存在的向错是由于分子取向方向在一点或线上发生不连续变化引起的.在偏光显微镜下,向列相一般呈现二条或四条黑色条纹相交于一点所组成的纹影织构,根据向错强度|s|=1/4×黑色条纹数目,它们分别是强度s=±1/2和s=±1两种类型的向错分子指向矢排列形式的一种光学效应.当交叉偏振光转动时,纹影核心的位置不变,而黑色条纹却随着交叉偏振光的转动而转动.如果黑色条纹转动方向与交叉偏振光转动方向相同,此纹影织构对应的向错是正向错,相反的则是负向错.向错理论说明向错的弹性畸变能与s~2成正比,     

块状Cu-Ti纳米晶合金的直接形成——高压下从高温固相淬火

纳米晶材料的研究是目前材料研究的热点课题.目前,纳米晶的形成主要有两种方法,1.气相冷凝法;2.非晶晶化法.气体冷凝法是由蒸气冷凝先制得纳米晶粒,然后再压实而成块,纳米晶粒表面易污染,压后的界面很难达到很好的结合;而且压的块不致密,不利于纳米晶粒的研究和应用,非晶晶化法虽说可以解决上面的问题,但是也有不利的一面;它必须要先制成非晶,然后再对其处理晶化形成纳米晶,这样就决定了这些纳米晶体系必须首先能形成非晶,否则也不可能形成纳米晶.其次,非晶样品目前最多只能是二维大尺寸的非晶薄带,因而其处理后产生的样品也只能是纳米晶的薄带.     

HgBa_2CaCu_2O_(6+δ)和HgBa_2Ca_2Cu_3O_(8+δ)超导体合成及超导性研究

自从高T_c铜氧化物超导体发现以来,许多相关超导相已相继合成出来,它们均含有二维铜氧面,连结铜氧面并作为载流子库的结构单元有很多种,如(BiO)_2,(TIO)_2,CuO链和TIO层等等.最近Putilin等发现含Hg的超导体 HgBa_2CuO_(4 δ),它含有一个铜氧面,T_c为94K.含更多铜氧面的Hg系超导相也已发现,其抗磁转变T_c高达134K.采用高压合成方法可制得1212,1223,1234超导相,常压合成也可制备出1212,1223超导相,但其制备