利用永久磁场抑制中子管中的电子电流

讨论密封式中子管中抑制二次电子的几种方法．对Philip型中子管,用永久磁块抑制二次电子时得到中子产额是不加磁块时中子产额的1．33倍．     

《中子物理》教学改革与实践

通过对《中子物理》教学内容、教学方式和考核形式等方面的改革与实践,解决目前《中子物理》课程教学中遇到的问题,促使学生们掌握《中子物理》课程的重点内容,学会解决问题的基本方法,提高教学质量。     

14 MeV中子反应和远离核研究

指出了中子源的重要性,扼要地说明了加速器中子源的特点。简单地介绍了14MeV中子引起的核反应,发现了14MeV中子可以引起重核的奇异(n,2p)反应,并以此为基础,形成了合成和研究重丰中子新核素的一条物理思想和生成、分离鉴别技术路线;先后合成和研究了^185Hf、^237Th、^175Er和^197Os等四种重丰中子新核素。     

从14MeV中子辐照过的锇靶中分离钨

用14MeV中子轰击天然锇靶,取道^192Os(n,α)反应生成^189W。利用改进的锇蒸馏装置蒸馏O8O4,完成锇与反应产物的分离;通过四苯砷铼沉淀除去铼。使用HPGe探测器测量了分离的钨样品的γ射线谱,该γ射线谱显示钨样品中杂质元素的去污是令人满意的。     

托卡马克中聚变中子的能谱测量

大、中型托卡马克在D-D和D-T运行条件下聚变中子能谱测量具有重要意义。论述了几种最新的聚变中子能谱仪,评估了各种聚变中子能谱仪的优势、适用的范围和技术方面的局限性,并对即将建成的HL-2A(中国环流器二号A)托卡马克的聚变中子的泄漏能谱测量以及研究聚中子在通过中子倍增剂过程中的能谱变化,在聚变中子能谱诊断方面提供了几种可供选择的技术方案。     

近太阳金属丰度恒星的中子俘获元素丰度

在我们提出的利用３种中子俘获过程的典型元素丰度观测值研究不同金属度下不同核合成过程对重元素丰度的贡献的方法的基础上,计算了近太阳金属丰度恒星的重元素的平均丰度,并将计算结果与观测结果进行了比较 。     

14 MeV中子(n,p)反应截面的系统学研究

研究中等和重质量核１４ＭｅＶ（ｎ,ｐ）反应截面的系统学特性．在对实验数据进行分析、评价的基础上,给出了系统学经验公式,并计算了一批核素的反应截面,理论计算与实验结果符合较好     

关于重丰中子远离核研究的实验方法

简单地介绍了重丰中子远离核研究的科学意义,报告了重丰中子新核素的产生、分离和鉴别方法。     

14 MeV中子防护体设计的MCNP模拟

用富氢材料防护产额为108个/s的D T中子发生器, 当富氢材料厚度大于76 cm时, 其中子辐射剂量低于0.025 mSv/h. 为降低防护体厚度, 用铜和含硼聚乙烯组成的双层材料作为14 MeV中子防护体. Monte Carlo(MCNP)计算结果表明, 若中子辐射剂量小于0.025 mSv/h, 则双层材料的最小厚度为52 cm, 硼的质量分数为1.00%, 铜和含硼聚乙烯的厚度分别为37 cm和15 cm.     

中国散裂中子源

中子散射是研究物质微观结构和动态过程的理想工具之一.散裂中子源能为中子散射提供高通量的脉冲中子。正在建设中的中国散裂中子源预计于2018年建成,为我国生命科学、材料科学、化学、物理学和工程等领域的物质微观结构研究提供强有力的手段。