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本系统采取在低压供电端用三相全桥可控硅整流器作为前置预调节器,再用晶体串联调整器与直流高压反馈信号的构成双回路闭环,达到了直流高压输出电压稳定度〈0.1%,纹波系数〈0.01%。文中对稳压各环节的参数进行了详细的分析及定量计算。 相似文献
13.
实验证实,非偏振中子入射到铁磁性材料中时,会产生双折射现象.本文用定态薛定谔方程讨论自由电子近似与非自由电子近似下,中子的折射与反射,从理论上预言了偏振中子在有效质量各向异性时,也会有双折射现象.本文还从理论上预言了,当中子的能量较高时,偏振中子与非偏振中子均会产生双反射或多反射现象. 相似文献
14.
石瑞民 《陕西理工学院学报(自然科学版)》2004,20(2):63-67
在测井条件下,系统研究了输运方程的Galerkin变分问题的有限元求解过程。提出了对二维、三维测井区域都适用的有限元剖分方法,在中子测井问题的有限元模拟程序中实现了稳态与非稳态问题的统一处理。计算实例验证了该方法的有效性。 相似文献
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研制了一台脱离真空机组和充氘系统的12 kJ紧凑型密封等离子体焦点中子源, 在520 Pa最佳工作氘气压力下, 中子产额为(1.4 ± 0.39)×109 (D-D)中子/脉冲. 采用ANSYS软件对DPF中子管内阴阳电极间隙的场分布进行了模拟, 并采用激光干涉法对阳极端部的等离子体鞘运动过程进行了诊断. 最终研制的密封等离子体焦点中子源具有稳定运行时间长、产额高、放电次数多、体积小且易于维护等优点. 相似文献
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采用离子注入法及退火工艺,在硅基二氧化硅薄膜中制备了镶嵌结构的天然Ge纳米晶样品. 通过退火实验研究,发现随着退火温度的升高,纳米晶的晶态峰峰位红移,这意味着Ge纳米晶受到的应力减小. 当退火温度达到 700 ℃时,纳米晶的晶态峰强度显著增强,而且薄膜中与Ge有关的缺陷发光减弱. 采用中子嬗变掺杂法对天然Ge纳米晶进行了掺杂,X射线荧光光谱数据表明,样品中成功的引入了Ga杂质和As杂质. 薄膜中形成的与Ge有关的缺陷具有稳定的结构,中子辐照之后其发光仍然存在,而且,掺杂后的样品中没有发现与Ga或As有关的 相似文献