π-σ-π型双稳态分子器件的分子内电子转移及外电场效应

将由联苯阴离子和中性萘之间通过刚性环己烷所连接的经典的电子转移体系作一构象修正，得到一个新的π-σ-π型分子．UHF/6 -31G^**研究表明，新体系具有较高的能垒和很小的电子转移藕合，而且其藕合几乎完全通过环己烷桥上的化学键实现．外电场效应的研究进一步发现，该体系的电荷可稳定地定域在联苯片段或萘片段上，仅当出现外部刺激(如电、光等)，其电荷定域态才会迅速转变．因此，认为该体系可以作为双稳态分子器件材料的原型分子．     

不饱和烃同系物凝聚型物理性质递变规律的数学描述

以H-(CH2)n-CH=CH2和H-(CH2)n-C≡CH型同系物结构重复单元数值连续变化为模型,获得了描述该同系物凝聚型物理性质递变规律的数学表达式:P=(a0+a1n+a2n2)/(1+b2n2),式中a0、a1、a2、b2均为常数,n为结构重复单元数值,P为同系物的凝聚型物理性质。通过非线性回归分析,得到回归方程,结果表明同系物的凝聚型物理性质与重复结构单元数值之间满足上述关系式,并显示优良的相关性。     

LaMnO3不同晶位掺杂的磁电阻效应

基于研究钙钛矿型氧化物磁电阻效应的目的,采用固相反应法制备了实验所需的单相多晶样品,主要就La位二价金属离子掺杂和稀土互掺及Mn位掺杂对LaMnO3磁电阻影响的实验结果作比较研究,发现La位稀土互掺对磁电阻的影响可以用晶格效应来解释,并明确指出La位和Mn位掺杂是提高和调制钙钛矿型锰氧化物超大磁电阻效应的一种有效途径.     

V型缺口应力及应力强度因子的计算

断裂力学理论和应用对平面线弹性线裂缝问题已相当成熟，但对V型缺口(如混凝土坝坝踵)的研究还不很多．实际上当V型缺口的a=2π时(图1)即为线裂缝，因而研究V型缺口的应力和应力强度因子将更具有普遍意义．用常规有限元法虽也能求解，但要求网格分得很细，工作量很大，且不易掌握．文献[1]对此类问题曾有所研究，但没有给出应力强度因子的求法．亦有人提出用边界配置法求解，但边界条件复杂时实用性较差．本文对V型缺口应力及应力强度因子的计算做了一些探索，推导了缺口附近位移场，应变场和应力场的任意高阶级数表达式，并据此构造了能反映V型缺口应力奇异性的扇形奇异单元．     

论无穷级整函数的增长与Taylor系数关系

本文对无穷级整函数引入超级与超型的概念,同时研究它们与Taylor展式的系数之间的关系.     

单取代香豆素的~（13）CNMR化学位移与电荷密度、跃迁能与Hammett常数关系的研究

用ＨＭＯ法研究了香豆素及一些４－、５－、６－、７－及８－单取代香豆素类化合物，发现这些化合物的￣（１３）ＣＮＭＲ化学位移与π－电荷密度之间有很好的线性关系。此外，跃迁能与Ｈａｍｅｔｔ常数之间也有较好的线性关系。表６．参８。     

急性淤胆型肝炎64例临床观察

通过临床观察发现,淤胆型肝炎发病年龄较大,女性多于男性,均有黄疸,有不同程度的梗阻性黄疸表现,治疗难度大,病程长,有慢性化趋势.     

虚拟共享型MIMD的几个问题

并行处理是提高计算机性能的有效手段，也是新一代计算机的结构特征。本文论述虚拟共享型处理机的特点、实现机制、可伸缩性和负载平衡。     

浅谈网络环境下印刷型文献的主体地位

章分析了印刷献在规模数量、学术价值、检索利用等方面的优势，阐述了印刷型献在网络环境下图书馆馆藏中的主体地位。