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991.
超低介电常数材料和多孔SiOCH薄膜 总被引:2,自引:0,他引:2
集成电路的特征尺寸将降低到0.1μm,这时器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容所形成的阻容造成的延时、串扰、功耗已经成为限制器件性能的主要因素。目前集成电路的金属连线价质层材料为铝/二氧化硅配置,用电阻更小的铜取代铝作金属连线,用低介电常数(低K)材料取代二氧化硅作介质层成为科学意义重要、应用价值巨大的研究课题,微电子器件正经历着一场材料的重大变革中。本文着重评述了纳米尺度微电子器件对低介电常数(低k)薄膜材料的要求,介绍了多孔硅基低k薄膜的研究进展。 相似文献
992.
2-取代-2-碘甲基-1,3-茚二酮的合成 总被引:1,自引:0,他引:1
以邻苯二甲酸酐为原料,合成了2—取代—1,3—茚二酮,再经烷基化反应合成了2—取代—2—碘甲基—1,3—茚二酮.产物结构经红外光谱、核磁共振光谱和质谱得到了证实。 相似文献
993.
从剑桥晶体结构数据库(Cambridge Structure Database,CSD)中提取了11个4,7-取代的香豆素晶体结构实验数据,进行了晶体中的分子堆积分析.结果表明:在4,7-取代的香豆素晶体的自组装过程中,分子一般首先通过芳环之间的π/π作用或π/π和CH/π共同作用形成分子堆,分子堆之间再沿侧向(分子所在平面)通过氢键,形成网络堆积成三维晶体. 相似文献
994.
吡啶烷基化反应的活性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
使用烷基锂,烷基镁格氏试剂和脂肪酸自由基3种方法制备烷基吡啶,研究发现,不同的试剂反应活性不同,所得的主产物为α-位取代,用烷基锂所得主产物的收率较好,具有重要的合成意义.产物结构经IR,^1HNMR,^13CNMR,MS证实. 相似文献
995.
王遵尧 《盐城工学院学报(自然科学版)》2004,17(3):1-5
在HF/6-311G^**水平上计算了26个取代芳烃化合物,用电荷密度为0.001e/bohr^3轮廓的分子体积代替vander呲体积,以线性溶解能理论为基础,将结构参数作为理论描述符,导出两个理论线性溶解能相关模型,得出取代芳烃化合物的分子结构与对发光茵和呆鲦鱼毒性(-IgEC50和-IgLC50)的定量关系方程(r^2分别为0.8719和0.9089),两方程可以应用于同类化合物在相同条件下毒性的预测,得到的模型明显优于AMI的结果。 相似文献
996.
采用中低热固相法合成SrCl_2:Eu~(2 ),R~ (R=Li,Na,K)荧光体,用XRD,PL,XPS等方法研究了它的结构、荧光性质以及铕的价态.结果表明,SrCl_2:Eu~(2 ),R~ 荧光体在262nm或330 nm波长的UV光激发下产生强蓝光,发射峰位在405~415 nm之间.因为Eu~(2 )和Sr~(2 )的离子半径相近,还原生成的Eu~2 )占据部分Sr~(2 )的格位,有利于晶格的稳定,不会导致晶格畸变.而且在六方晶系中,Cl~-离子提供了一个SrCl 2:Eu~(2 )稳定存在的环境,Eu~(3 )→Eu~(2 )的还原可以通过不等价取代实现.掺杂Na~ 和K~ 荧光体发光强度增加相近的原因是Na~ 和K~ 与Eu~(2 )的半径之差接近,且与Sr~(2 )的半径相近,掺入后可以向Eu~(3 )提供格位.K~ 离子的半径大于Eu~(2 ),致使基质晶场强度明显增大,发射峰位明显红移. 相似文献
997.
含偶氮非线性光学生色团取代炔的合成及光限幅性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
合成一种新的偶氮苯非线性光学生色团取代乙炔,用红外光谱,元素分析,核磁共振对其进行了表征,利用波长1064nm脉冲宽度40ps的激光,对该化合物光学性能进行研究,结果显示该化合物的THF溶液对40ps的1064nm脉冲激光呈现出较好的光限幅性能,其限幅阈值为235.9GW cm2。 相似文献
998.
芳烃亲电取代反应的定位效应很复杂,苯环上的亲电取代定位规律是经验规则,至于理论解释则尚不完善.提出在激发态时苯环上π电子成对运动、均匀分布的观点,并结合共振论和电子对互斥作用对取代基的定位效应进行较直观的定性解释. 相似文献
999.
取代茚基二价稀土配合物催化甲基丙烯酸甲酯的聚合 总被引:3,自引:0,他引:3
较系统地研究了取代茚基二价稀土配合物(1—C5H9C9H6)2Sm(THF)作为单组分催化剂,催化MMA的聚合反应。结果表明,催化剂在较宽的温度范围显示出较高的催化活性,在以甲苯为溶剂的催化体系中加入少量的极性溶剂THF,聚合活性有显著的提高,温度降低MMA的转化率增加,所得PMMA的分子量升高,分子量分布变窄,几种取代茚基二价稀土配合物都显示了较高的催化活性,其活性次序为:(1—PhCH2C9H6)2Sm(THF)2<(1—C5H9C9H6)2Yb(THF)2<(1—C5H9C9H6)2Sm(THF)<(1—C2H5C9H6)2Sm(THF)2。中性取代茚基二价稀土配合物所得聚合物主要为间同立构的PMMA,而由离子型的二价稀土配合物KSm(1—C5H9C9H6)3(THF)3所得到的为无规立构PMMA。 相似文献
1000.
制备了包含杂多酸[SiCo(H2O)W11O39]6-(SiCoW11)和阳离子聚电解质--聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)的多层膜修饰电极,用循环伏安法研究了SiCoW11在酸性水溶液中的电化学行为及pH的影响,初探了反应机理.逐层的循环伏安行为表明膜的增长均匀,峰电流随膜层数的增加而增加,与其在溶液中的氧化还原行为相比,多层膜中的SiCoW11对BrO-3和NO-2体系的还原具有良好的电催化性能. 相似文献