首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   15194篇
  免费   355篇
  国内免费   878篇
系统科学   865篇
丛书文集   702篇
教育与普及   374篇
理论与方法论   182篇
现状及发展   83篇
综合类   14221篇
  2024年   72篇
  2023年   237篇
  2022年   306篇
  2021年   334篇
  2020年   257篇
  2019年   270篇
  2018年   180篇
  2017年   241篇
  2016年   281篇
  2015年   410篇
  2014年   832篇
  2013年   701篇
  2012年   851篇
  2011年   945篇
  2010年   880篇
  2009年   990篇
  2008年   1149篇
  2007年   1023篇
  2006年   818篇
  2005年   736篇
  2004年   623篇
  2003年   566篇
  2002年   502篇
  2001年   461篇
  2000年   442篇
  1999年   331篇
  1998年   307篇
  1997年   275篇
  1996年   256篇
  1995年   188篇
  1994年   168篇
  1993年   140篇
  1992年   140篇
  1991年   117篇
  1990年   107篇
  1989年   101篇
  1988年   90篇
  1987年   53篇
  1986年   24篇
  1985年   5篇
  1984年   4篇
  1983年   4篇
  1981年   3篇
  1980年   2篇
  1963年   1篇
  1957年   2篇
  1938年   2篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
821.
本文用有限差分法求解磁泡薄膜畴壁运动耦合微分方程组,讨论了二维含垂直布洛赫线(VBL)畴壁的边界条件和初始条件,用计算机摸拟了VBL势阱对畴壁和VBL运动及传输的影响.  相似文献   
822.
本文介绍了1种四管IMPATT二极管功率合成电路。采用矩形谐振腔合成技术已成功地使用在毫米波IMPATT二极管功率合成。谐振腔是用过膜(尺寸)波导腔。过尺寸波导腔的使用增加了二极管之间的纵向距离,减小了在很高频率时机械尺寸的要求。合成单元是使用交叉的同轴——波导耦合的二极管支持结构。腔的两端由膜片和1个可调的短路器形成。这腔容易与标准波导耦合。由于矩形波导的不连续性,存在模的转换损耗。实验中获得了功率合成输出,并且有较高的功率合成效率。  相似文献   
823.
本文利用模糊数学观点较全面地分析了影响多管火箭射弹散布的因素,利用模糊数学方法对射弹散布进行数值分析.并提出改进多管火箭射击密集度的一些意见.  相似文献   
824.
本文指出Riemann积分与Lebesgue积分的本质区别在于空间的完备性上。区间(a,b)上所有Riemann可积函数所生成的空间R[a,b]是不完备的;而所有Lebesgue可积函数所生成的空间L[a,b]是完备的。  相似文献   
825.
本文采用Monte Carlo方法计算Millikan油滴实验的总不确定度及全分辨本领,结果表明,该实验可用于测量分数电荷。在此基础上,通过对123个油滴电荷的测定,观测到一个呈现分数电荷的事例。  相似文献   
826.
本文提出了一种把我国1515—7″织机改造为挠性剑杆织机的设计方案。对这种传剑机构进行了较全面的动力学分析,包括织机回转不匀的近似计算、弹性动力学模型的简化和传剑机构一阶固有频率和主振型的近似计算等。本文对研究其他类似的剑杆织机动力学特性具有一定的参考意义。  相似文献   
827.
打纬时梭口处上下层经纱的张力差异对打纬阻力存在明显的影响。打纬时张力的差异(在文中以张力比来表示)愈大,打纬阻力就愈小。本文首先利用一个简单的数学模型,定性地比较在不同张力差异的条件下打纬阻力的大小,然后通过实验数据加以证实。  相似文献   
828.
本文重点探讨分析联邦德国凯利威弗公司生产的可调挠度轧辊的结构与设计的特点,并提出可调挠度中固辊与一般中固辊和普通辊搭配两种设计方案,以及使用微型计算机进行设计的实例。  相似文献   
829.
本文简要介绍了 Ky Fan 不等式及其在经济平衡中的应用。  相似文献   
830.
利用一个简单的连续模型去研究聚丁二炔的结构相变,对于其中的σ电子和π电子分别处理.在聚丁二炔链上,当出现从PDB相向PDA相转变时,会出现一个畴壁和反畴壁,这个相变的出现主要是由于π电子重新分布的结果.我们把畴壁(反畴壁)当作元激发来处理,详细分析了相变过程,计算了畴壁(反畴壁)的结合能,成功能解释了如下的实验事实:在低温下PDA相比PDB相更稳定,并且会自发地发生从PDB向PDA的相变.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号