胰腺癌介入诊疗新技术的研究

胰腺癌是消化系统中较常见的恶性肿瘤，具有发现晚、转移早、进展快、预后差的特点。近数十年来，其发病率在全世界范围内逐年上升，位居恶性肿瘤的第13位，预后极差；死亡率高居恶性肿瘤的第8位。国人胰腺癌发病率亦呈上升趋势。据北京、上海等地的统计数据显示：胰腺癌发病率位于恶性肿瘤的第9～10位，死亡率位于第6～7位。由于胰腺癌早期诊断的困难性、肿瘤的侵袭性和缺乏有效、成熟的系统综合治疗手段，     

水平钻井环空岩屑床表面颗粒临界启动流速的影响因素

利用环空流速分布规律和边界层绕流理论,探讨水平井大斜度和水平井段钻进时钻井液冲蚀岩屑床的临界流速。水平井大斜度和水平井段钻进时,环空岩屑因停泵而自然沉降形成岩屑床,通过对岩屑床表面颗粒进行受力分析和边界层绕流假设,结合数学推导得到床面岩屑颗粒所受钻井液表面切力解析式,建立床面颗粒临界启动解析模型。模型计算与实验数据结果表明,在不同井斜角和颗粒直径条件下,循环介质为清水时模型预测的临界启动流速与实验数据的绝对平均误差不超过8.80%,循环介质为PAC溶液时绝对平均误差在2.51%～7.06%。边界层绕流和环空流速是岩屑临界启动流速的重要影响因素。     

非浸没式刚性植被群分布对弯道水流的影响

为分析不同刚性非浸没式植被群分布对弯道水动力特性的影响,采用180°U形折叠往返式水槽模拟天然弯道河流,运用声学多普勒流速仪(ADV)进行测量,通过测量数据计算弯道水流水位、纵向流速分布、湍流动能(TKE)、环流强度以及弥散系数等.结果表明:植被存在情况下水位增高,在植被的"阻滞"作用下,植被区的流速远小于非植被区的流速,但在植被区域和非植被区域之间产生大的流速梯度;植被和弯道都会加剧水流紊动效应,植被区和非植被区交界处的湍流动能最大,且沿弯道出现湍流动能的重分布现象;由于植被对于弯道环流有阻碍作用,使得弯道环流在非植被区很强,而在植被区很弱;植被对横向弥散系数影响较小,非均匀植被对纵向弥散系数影响较大.     

水平井偏心环空低速顶替运移机制研究

水平井固井顶替过程中,受限于现场设备,难以实现紊流顶替,而在层流流速区间内,两相流体在偏心环空中运移机制复杂。基于计算流体动力学方法,建立几何模型和数值模型,采用流体体积法对两相流体顶替界面进行追踪,研究了不同顶替流速下水平井偏心环空流体运移机制。结果表明,（1）低偏心度下,1倍隔离液用量能够实现90%顶替效率,而当偏心度大于0.5时,顶替效率相对较低,即使增加隔离液用量,也未能提高顶替效率;（2）针对套管严重偏心情况,将流速由1.0 m/s降低到0.2 m/s,有助于界面平稳发展,并多置换出6.8%钻井液,解决窄边滞留,宽边指进问题;（3）水平井偏心环空固井注替过程存在偏心效应、重力效应、黏滞效应等多方面影响,这些因素相互制约、相互作用,因此,针对现场实际井况,合理设计固井工艺参数,不仅能提高固井质量,还能起到降本增效的作用。     

来自全球气候预测网站的预报:全球气温可能上升11℃

根据世界上最大的气候建模研究的结果，温室效应可能要比专家们以前所预言的情形严重得多得多。在最坏的情形下，与前工业时代相比，翻了一番的二氧化碳浓度将使全球气温平均上升11℃以上。但是，除了预言更大范围的最大温升以外，该项目也扩大了温度可能变化的范围。     

回流段纵向紊速平面分布的实验研究

河道水流区别于规则管渠水流的主要特征之一是天然河道中存在着各种形式的环流,诸如纵轴环流、横轴环流、竖轴环流和斜轴环流等。环流结构严重影响着水流的紊动结构,从而引起水流能量损失的变化。例如回流(竖轴环流)区内的大尺度旋涡在不断地形成、分解、再形     

新大洋中的“女伯爵”(五)

一起向前走专家们一直在争议"大崩溃"是怎么引起的,但有一点是没有争议的,就是多年前一直在谈论的温室效应是一个重要因素,这引起了大气温度逐步升高。起初只是平均温度在慢慢地上升,但突然发生了急速跃升,冰川和极地的冰壳开始融化,海平面随即上升。     

大化水电站二期导流工程导流明渠泥沙运动与冲淤

大化水电站二期导流工程截流前，导流明渠基本堵塞，靠人力及机械清淤无法按时实现截流。经过分析研究，采用主河槽预抛方案提高上游水位，使导流明渠水流速由１．０ｍ／ｓ逐渐增大到３．２５ｍ／ｓ，在１７天内冲走２５．２万ｍ３淤积泥砂，实现了按计划截流。     

关于平均海面变化研究的若干问题

论述平均海平面，海面，潮面，平均潮面和海拔的概念、定义。提出研究平均海平面的一些基本问题，以及尚待深入探讨的几个问题，给出国内外的若干研究成果。     

高性能存储器系统

在过去的十年当中，微处理器的速度快速上升，每18个月CPU速度就会增加一倍。然而，当初内存的速度增加一倍却用了整整十年。ITRS（International Technology Roadmap for Semiconductor）研究表明，存储器将会依然沿着现有的发展道路发展，因此ITRS的短期和长期目标表明，在2016年之前，目前的存储器性能上升速度将会一直保持现有水平。