三向力传感器的智能化模块标定方法

提出了一种用微处理器对三向力传感器进行数字处理的数学方法和实用技术。这种方法和技术在解决三向力传感器或多向测力仪的向间干扰和静动态标定问题时,将会起到重要的作用,并可减轻用模拟器件进行补偿的难度。     

官能性引发剂法单端基反应性聚二甲基硅氧烷的合成与鉴定

合成了p-(二甲基、羟基)甲硅烷基-α-苯基苯乙烯的锂盐(Ⅰ)。(Ⅰ)可作为环氧烷类单体的官能性阴离子聚合的引发剂。用(Ⅰ)引发六甲基环三硅氧烷聚合得到的聚二甲基硅氧烷的一端基上定量地带有1,1-二苯基乙烯基反应基。该端基反应性聚二甲基硅氧烷可用于与活性聚合物碳阴离子的偶联反应。     

西松烯内酯的合成研究——Ⅱ.中间体苏式-7-羟基-3,9,13-三甲基-6-异丙烯基-(2E,8E,12)-十四碳三烯苯硫醚的合成

以香叶醇为原料经过4步反应得到8-溴-3,7-二甲基-(2E,6E)-辛二烯基苯硫醚(7),(7)与(?)牛儿醛在Cr(Ⅱ)作用下立体选择地得到苏式-7-羟基-3,9,13-三甲基-6-异丙烯基-(2E,8E,12)-十四碳三烯苯硫醚.     

In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构的LP-MOVPE生长

本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料.X光摇摆曲线观测到由于周期性多量子阱结构而产生的多级卫星峰,光致发光测量给出了不同阱宽下由量子阱尺寸效应而导致的PL谱.     

Sr1—xBaxNb2O6基本吸收边的研究

通过实验测量Sr_(0.57)Ba_(0.43)Nb_2O_6基本吸收边的位置;由透射曲线计算吸收系数;通过对a~2—hv曲线特征的研究,肯定了3.5eV以下吸收边的间接跃迁性质;确定了声子的能量E_p与禁带宽度E_g的值。     

Y（TTA）2（TPPO）2NO3配合物的晶体结构

Y(TTA)_2(TPPO)_2NO_3(TTA:噻吩甲酰三氟丙酮根,TPPO:三苯基氧化膦)配合物的晶体结构测定结果表明它属于三斜晶系,空间群P1.晶胞参数:a=1.1783(5)nm,b=1.2503(4)nm,c=1.1079(5)nm,α=102.07(3)°,β=117.92(3)°,γ=102.63(3)°,V=1.3122nm~3,Z=1.ρ=1.46g·cm~(-3).最终计算R,R_W分别为0.054和0.063.钇(Ⅲ)离子与8个氧原子配位,其中硝酸根为双齿配位.平均Y-O键长是0.235nm.     

偶图中独立边集的1—因子扩张

Ｇ＝（Ａ，Ｂ；Ｅ）是偶图，｜Ａ｜＝｜Ｂ｜＝ｎ≥２，若ｅ，ｆ∈Ｅ，ｅ≠ｆ，有ｄ（ｅ）＋ｄ（ｆ）≥３ｎ＋ｋ（ｋ≥１），则Ｇ中所有ｋ个边的独立集Ｍ皆可扩张成Ｇ的１－因子。     

4,4,7,7—四硝基—D3—三高立方烷的合成

从Ｄ３－三高立方烷－４，７－二酮出发，得到４，７－二硝基－Ｄ３－三高立方烷，通过控制反应时间，可将所得产物进一步分别氧化硝化为４，４，７－三硝基－Ｄ３－三高立方烷和目标化合物４，４，７，７－四硝基－Ｄ３－三高立方烷。