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791.
SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析   总被引:5,自引:0,他引:5  
对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布时,可得到最小的基区渡越时间;Ge分布对SiGe和Si的有效态密度之比的影响很小,但对迁移率的影响较大;基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小.  相似文献   
792.
793.
本文给出并论证了亲似对应三角形和有关投影理论的7个命题,8个推论.  相似文献   
794.
本文给出一般曲边三角形域上一种构造高代数精确度,且不含内部节点的新的边界插值公式——带微商项的边界插值公式。  相似文献   
795.
796.
797.
本文着重研究了把矢量三角形的运算引入四杆机构综合的新方法,该方法可以使连杆平面通过五个人为指定的点及相对转角,经过迭代计算,设计出刚体的连架杆。为使五个指定点的位置更趋于合理,我们把各精确点设为具有一定位置精度的模糊点,使迭代运算更易于成功。  相似文献   
798.
799.
建立了内接三角形与内接四面体的两个新的不等式,推广了二维与三维Euler不等式。  相似文献   
800.
给出R.Kooistra不等式的新推广形式,并运用结果建立两个新的不等式。  相似文献   
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