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411.
先人主张以读引导全面训练。以读导说,以读导听,以读导写。这一教学理念在英语教育界的同行中,目前已几乎达成共识,但如何将这一理念具体实施,我几经探讨,归纳如下。 相似文献
412.
新课改是高中思想政治课教学的指南.要实施新课程教学,教师就要处理好师生关系,传授知识和培养品德的关系,教材、讲授和多媒体课件的关系,课堂教学与其他教学方式的关系,面向全体学生与培养学生特长的关系这五种关系. 相似文献
414.
麻勇斌 《贵州师范大学学报(社会科学版)》2008,(4)
文化遗产保护与利用工作是否科学、有效、经济,关键在于能否在实际操作中处理好三个关系、七个问题、五个矛盾。三个关系是:“花钱”与“赚钱”的关系,权属、权益、权重的关系,职能机构在文化遗产保护中的权力分配关系;七个问题是:持续力问题,保护机制的创新问题,国家法、地方法与习惯法的兼用问题,民族文化产品生产销售与市场管理问题,传统技术与现代技术规程对接的“端口”问题,遗产地的社区组织管理能力建设问题,人才队伍建设问题;五个矛盾是:物质文化遗产原有功能的继续发挥同实施保护存在机制上的矛盾,当地人的修复活动同国家有关职能机构的技术要求的矛盾,当地人所进行的文化内容重组同保持文化原生性的矛盾,权属模糊同正常管理的矛盾,对文化遗产的群体无意识同推动积极保护的矛盾。 相似文献
415.
该文从思维导图理论入手,探讨如何指导学生从"快速学习"和"清晰思考"两个核心概念出发,快速吸收、了解以及牢记新知,提高自我学习的能力。思维导图制作过程的具体步骤包括将主题放在中央位置、使用关键字、向外扩张、使用符号、颜色、文字、图画和其他形象、留出空间和多彩多姿等,同时在具体教学过程中还有不同的制作要点。该文还探讨总结了思维导图在高校教学中的应用模式,如MASTER模式、分析模式、知识管理模式、系统模式和反思模式。 相似文献
416.
针对由于环境干扰因素等影响水下目标精确定位的问题,提出了采用以声传感器为核心的多五元声传感阵列网络定位方法。根据水下空间环境,建立了多五元声传感阵列网络定位空间数学模型,研究与分析网络结构的多五元声传感阵列定位算法,给出了水下目标多五元声传感阵列网络定位参数的计算式及误差分析。分析表明:多五元声传感阵列网络定位参数的精度与声传感器阵列的布阵方式和声传感器之间的时延密切相关,随着时延的增大,水下目标方位角、俯仰角及距离误差也增大;通过采用单五元声传感阵列定位算法和多五元声传感阵列网络定位模拟对比实验,在同一区域下,多五元声传感阵列网络定位算法测量误差小于单五元声传感阵列定位算法测量误差,验证了水下目标多五元声传感阵列网络定位具有测试精度高的优点,为水下目标的精确定位及精确制导研制提供了技术方法,为开拓水下目标检测奠定了基础,具有很高的应用价值。 相似文献
417.
赵振宇 《上海师范大学学报(自然科学版)》2015,44(4):362-367
报道了一种基于半绝缘砷化镓(SI-GaAs)叉趾结构光电导天线在不同光生载流子浓度注入条件下,温度在4.2~270 K之间的太赫兹(THz)发射频谱.实验结果表明当温度达到70 K时,其THz发射强度达到最大值.光生载流子浓度和温度共同主导了THz波形和带宽.高照度情况下,大的光生载流子浓度导致空间电荷屏蔽.在此情况下,温度上升导致THz振荡的第一波谷退化.低照度情况下,THz波形呈现单极振荡,且随温度下降发射频谱出现红移.低温导致SI-GaAs的能隙和载流子迁移率发生变化,导致载流子出现谷带间散射,这一机制主导了光电导天线载流子动力学行为.高照度情况下,光电导天线太赫兹发射频谱的温度倚赖特性由空间电荷屏蔽导致的载流子迁移率差异决定.低照度情况下,温度倚赖特性由谷带间散射决定. 相似文献
418.
为了提高《C语言程序设计》教学效果,结合计算机专业学科竞赛的特点,从教学内容、教学方法、实践方式和考核方式4个方面提出了改革方案.通过教学实践证明,学生的专业能力和竞赛能力得到了全面的提高. 相似文献
419.
运用算子论方法研究因子von Neumann代数上的P点*-Lie导子.设M是Hilbert空间H(dimH≥2)上的因子von Neumann代数,证明了线性映射ф:M→M对所有的A,B∈M都有AB=P(P是一个固定的非平凡投影),如果满足ф([A,B]*)=[ф(A),B]*+[A,ф(B)]*,则ф是*-导子,其中[A,B]=AB-BA,[A,B]*=AB-BA*. 相似文献
420.
实际应用中,功率变流器经常会发生过流,重复的过流冲击会造成其功率器件绝缘栅型双极性晶体管(IGBT)的性能退化,并形成累积损伤,最终导致失效,而突然的失效会带来经济损失和安全问题,故需对重复过流冲击下IGBT的性能退化进行研究,建立相应的在线监测方法.针对目前对IGBT在重复过流下性能退化的研究较欠缺,搭建了过流冲击的实验平台来实现IGBT的重复过流冲击实验;采集重复过流冲击过程中IGBT外部端子的电气量,并提出相应的新的性能退化指标——导通电阻.结果表明:重复过流冲击会造成IGBT的性能退化,影响其外部电气特性;提出的退化指标——导通电阻明显地表征了IGBT内部累积损伤的程度. 相似文献