四棱豆“桂丰三号”主要性状观察初报

报道了“桂丰三号”的主要植物学特征、农艺性状和生长发育特性．“桂丰三号”是一个无限生长型的中晚熟品种,主蔓长３．５～４．５ｍ,其第１５～２０节开始着生花芽、第３～１０节上共长出３～７条侧蔓．３月１５日至６月３０日期间,从播种到开花约需７５天;７月１０日至２０日期间,从播种到开花约需５０天．３月至７月２０日期间,无论何时播种,其开花结荚盛期都在９月中旬至１０月中下旬。单株结荚数３０～５０荚,荚长１９ｃｍ,荚横断面呈正方型,每荚有１５粒种子,老熟种子黄褐色、圆形,千粒重３００ｇ。嫩豆荚淡绿色,成熟豆荚黑褐色．     

FP—JTE终端扩展区注入剂量对击穿电压的影响

提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法,分析了下ＦＰ－ＪＴＥ终端结构中扩展区注入剂量对击穿电压的影响,结果表明击穿电压与注入剂量呈线性关系,场板可减弱击穿电压注入剂量的第三性。     

苯甲酰三氟丙酮与稀土配合物的合成及性质研究

本文合成了苯甲酰三氟丙酮（Ｌ）和三苯基氧膦（ＴＰＰＯ）、联吡啶（Ｂｉｐｙ）、邻菲罗啉（ｐｈｅｎ）、四甲基氢化铵（ＮＭｅ４ＯＨ）与稀土Ｙ、Ｌａ、Ｅｕ、Ｔｂ离子的混合型配合物。测定配合物的Ｈ１ＮＭＲ谱及质谱,并对测定结果进行了分析。     

差动变压器式位移传感器的三次设计

差动变压器式位移传感器是一种广泛应用于工业生产现场的传感器。由于影响这类传感器输出特性的结构参数较多,因此对其进行参数优化配置较为困难。应用三次设计方法对其进行优化设计,用正交选优方法确定一组优化参数,用容差设计得到以最佳性能价格比为目标的参数搭配。得出了各参数对传感器性能的影响程度,指出了提高其整体性能指标的方法。     

GaAs（100）面上气相淀积生长GaS钝化膜

用加热分解α－Ｇ２Ｓ３的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上气相沉积了准单晶的ＧａＳ钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的ＧａＳ／ＧａＡｓ异质结能带结构图,即价带偏移１．５ｅＶ,导带偏移０．３ｅＶ,界面附近存在０．４ｅＶ的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为ＧａＡｓ器件制作的有用工艺。     

Cu~(2+)与三磺基四苯基啿卟啉配位反应研究

利用吸收光谱法和直流极谱法研究了Cu~(2+)的还原状态、抗坏态、抗坏血酸浓度及溶解氧对Cu~(2+)与三磺基四苯基卟啉配位反应的影响。结果表明Cu~(2+)与三磺基四苯(?)基四苯基卟啉配位反应的可能机制为抗坏血酸首先将高价铜还原为亚铜,亚铜离子与配位剂生成对氧成对氧敏感的不稳定中间体Cu~(Ⅰ)——三磺基四:苯基卟啉配合物,立即又被溶解氧氧化为Cu(Ⅱ)——Ⅱ)——三磺基四苯基卟啉配合物。     

三乙基苄基氯化铵合成反应动力学研究

用电导法分别测定了三乙基苄基氯化铵合成反应在乙醇、正戊醇、１,２－二氯乙烷三种溶剂中的反应进程,此反应在三种介质均为二级反应;求出了不同温度下的反应速度常数、反应活化能、指前因子以及活化熵变;１,２－二氯乙烷是非质子性溶剂,对三乙基苄基氯化铵合成这类双分子亲核反应有利。乙醇溶剂的反应速度随温度升高而明显加快。     

AlGaAs／GaAs HBT基区电流的研究

在ALGaAs/GaAs HBT E-M模型直流参数的研究基础上,对HBT的基区电流进行了研究,特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流,因为在HBT的小偏置情况下,HBT的BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位。当BE结间外加电压为0.5-1.2V时,ALGaAs HBT的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近,这一研究结果有助于进一步了解HBT的直流特性和1/?噪声特性。     

对称稀疏矩阵三对角化并行算法

本文用Ｇｉｖｅｎｓ变换,给出一个对称稀疏矩阵的三对角化并行算法,具有很好的并行加速及效率,由于充分考虑了矩阵的稀疏性,使算法中数据存储及通讯相当节省。     

基片温度对RF磁探溅射GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜光谱特 …

利用射频（ＲＦ）磁控共溅射技术,以光学石英玻璃为基片,在不同基片温度下制备了系列ＧａＡｓ／ＳｉＯ２半导体纳米颗粒镶嵌薄膜样品,采用岛津光谱仪,对薄膜在２００至２０００ｎｍ波段范围内透射光谱进行了测量。结果表明,与ＧａＡｓ夫体材料相比,薄膜样品吸收边发生明显的蓝移;且随着基片温度的降低,蓝移量增大,而当基片温度达到３００℃时,光谱中出现了明显的吸收峰,量子限域效应是导致结果的主要原因。